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公开(公告)号：KR101426108B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020097009170
申请日：2007-09-26
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
IPC: C08J5/18
CPC classification number: G03C1/7954 , B29C55/06 , B29C55/143 , B29K2033/18 , B29K2067/00 , B29K2105/0032 , B29K2105/0088 , B29K2105/04 , B29K2711/12 , B29K2995/0025 , B41M5/36 , B41M5/41 , B41M5/508 , B41M2205/02 , B41M2205/12 , C08J5/18 , C08J2367/02 , C08K3/013 , C08L25/12 , C08L67/02 , Y10S430/165 , Y10T156/10 , Y10T428/24802 , Y10T428/24893 , Y10T428/249953 , Y10T428/249978 , Y10T428/249992 , Y10T428/254 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855 , C08L2666/06 , C08L35/00 , C08L25/00
Abstract: 연속상 선형 폴리에스테르 매트릭스에 분산되거나 용해된, 무기 불투명화 안료, 증백제, 착색제, UV-흡수제, 광 안정화제, 산화 방지제 및 난연제로 이루어진 재료의 군으로부터 하나 이상의 재료 및 상기 매트릭스에 분산된 비가교 랜덤 SAN-중합체를 갖는 연속상 선형 폴리에스테르 매트릭스로 본질적으로 이루어져 있고, 상기 필름은 백색, 미세기공, 불투명 및 축방향 연신되어 있고, 상기 선형 폴리에스테르 매트릭스는 본질적으로 하나 이상의 방향족 디카르복실산, 하나 이상의 지방족 디올 및 임의로 하나 이상의 지방족 디카르복실산으로 이루어진 단량체 단위를 갖고, 선형 폴리에스테르 대 비가교 SAN-중합체의 중량비는 2.0:1 내지 19.0:1 의 범위이고, 하나 이상의 방향족 디카르복실레이트 단량체 단위 중 하나는 이소프탈레이트이고, 이소프탈레이트는 선형 폴리에스테르 매트릭스 중 총 디카르복실레이트 단량체 단위의 15 몰% 이하의 농도로 상기 폴리에스테르 매트릭스에 존재하는 필름, 불투명 미세기공 축방향 연신된 필름의 제조방법, 및 여기에 투명 패턴을 수득하는 방법.
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公开(公告)号：KR1020140092917A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020147016283
申请日：2013-01-18
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
CPC classification number: C09D11/101 , B41J2/01 , B41J11/0015 , B41J11/002 , B41M5/0023 , B44C1/227 , C09D11/107 , C09D11/30 , C09D11/326 , C09D11/328 , C23F1/02 , G03F1/0023 , H05K3/061 , Y10T428/24612
Abstract: 본 발명은 에칭 공정 동안 보호층을 형성하는 방사선 경화성 잉크젯 잉크를 잉크젯 프린팅하는 방법에 관한 것으로, 상기 방사성 경화성 잉크젯 잉크는, 상기 방사선 경화성 잉크젯 잉크의 총 중량을 기준으로, 적어도 70 %wt의 중합성 조성물을 포함하고, 상기 중합성 조성물은 산소 분율 OFR > 0.250 및 가중 중합성 관능도 WPF ≥ 0.0050을 가지며, 상기 중합성 조성물은, 분자 내에 에틸렌성 이중 결합을 갖고 인산에스테르기 또는 카르복실산 기를 포함하는 어떠한 중합성 화합물도 함유하지 않는다.
Abstract translation: 用于在蚀刻工艺中形成保护层的喷墨印刷可辐射固化喷墨油墨包括至少70重量％的基于可辐射固化喷墨油墨的总重量的可聚合组合物，其中所述可聚合组合物的氧分数为OFR> 0.250， 加权聚合性官能团WPF≥0.0050，所述聚合性组合物在其分子中不含有具有烯属双键且包含磷酸酯基或羧酸基的聚合性化合物。
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公开(公告)号：KR100936426B1
公开(公告)日：2010-01-12
申请号：KR1020047008540
申请日：2002-11-22
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
IPC: C08G61/12 , C08G75/06 , C09D165/00
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/122 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1452 , C08G2261/3223 , C08G2261/43 , C08G2261/51 , C08G2261/794 , C09D165/00 , H01G9/028 , H01G11/48 , Y02E60/13 , Y10T428/31533 , C08L25/18
Abstract: A process for preparing an aqueous or non-aqueous solution or dispersion of a polythiophene or thiophene copolymer, containing structural units according to formula (I): in which R 1 and R 2 independently of one another represent hydrogen or a C 1-5 -alkyl group or together form an optionally substituted C 1-5 -alkylene residue, comprising the step of: preparing the polythiophene or thiophene copolymer with an initiator in a reaction is medium in the presence of polyanions under oxidizing or reducing conditions under an inert atmosphere such that when said initiator is added less than 3 mg of oxygen per litre of the reaction medium is present in the reaction medium; an aqueous or non-aqueous solution or dispersion prepared therewith; the use of an aqueous or non-aqueous dispersion or solution comprising the aqueous or non-aqueous solution or dispersion of a polythiophene or thiophene copolymer for coating an object; a printable paste containing the aqueous or non-aqueous solution or dispersion of a polythiophene or thiophene copolymer; and an electroconductive or an antistatic layer prepared using an aqueous or non-aqueous solution or dispersion comprising the aqueous or non-aqueous solution or dispersion of a polythiophene or thiophene copolymer.
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公开(公告)号：KR100851893B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020037012572
申请日：2002-03-19
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
Inventor： 그로에넨달람베르투스 , 로우웨트프란크 , 조티지아니
IPC: C07D495/04
CPC classification number: C07D495/04 , C08G61/126 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E60/13
Abstract: C2-C5 알킬렌 브릿지; 입체선택적으로 치환되고, 선형 또는 분지된 C2-C24 알킬, C3-C18 시클로알킬, C1-C18 알콕시 또는 폴리에틸렌옥사이드기 (알코올, 아미드, 에테르, 에스테르 또는 술포네이트기로 이루어진 군으로부터 선택된 최소한 하나의 치환기를 선택적으로 포함) 또는 상기 C2-C5 알킬렌 브릿지에서 치환된 최소한 하나의 키랄 중심을 갖는 선택적으로 치환된 아릴기를 포함하는 화학식을 갖는 티오펜 화합물; 그로부터 유도된 폴리머; 화학식 (Ⅰ)에 따른 티오펜을, 선택적으로 화학적 또는 전기화학적으로 중합하는 방법; 및 그로부터 유도된 폴리머를 포함하는 분산물, 페이스트 및 층이 개시된다.
티오펜 화합물-
公开(公告)号：KR100847904B1
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020027017657
申请日：2001-06-22
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
IPC: C08J3/02
CPC classification number: C09D11/03 , C08G61/126 , C09D5/24 , C09D11/10 , C09D165/00
Abstract: 본 발명은 치환되거나 치환되지 않은 티오펜의 중합체 또는 공중합체 및 다가음이온을 포함하는 라텍스의 수성 분산액을 동결 건조시킴으로써 얻을 수 있는 선택적으로 고체 함량이 10 중량%를 넘는 재분산성 또는 가용성 생성물; 상기 생성물을 포함하는 프린팅 잉크; 상기 생성물을 포함하는 피복 분산액 또는 용액 및 물 또는 유기 용매를 가하여 상기 생성물을 재분산 또는 희석시켜 분산액 또는 용액을 얻는 단계, 피복 용액 또는 분산액에 선택적으로 기타 성분을 가하는 단계 및 분산액 또는 용액을 대상에 도포하는 단계를 포함하는 대전방지층 또는 전기전도층을 제조하는 방법에 관한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070083852A
公开(公告)日：2007-08-24
申请号：KR1020077009732
申请日：2005-10-24
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
IPC: H01L51/40
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C2213/77 , H01L27/285
Abstract: Passive memory devices comprising at least one passive memory element and a support having a non-conductive surface on the at least one side provided with the passive memory element, the passive memory element comprising a first electrode system, an insulating system and a second electrode system, wherein the first electrode system is a pattern system; wherein the first electrode is insulated from the second electrode system; wherein at least one conductive bridge is present between the first and the second electrode systems; wherein in the absence of the at least one conductive bridge there is no direct electrical contact between the first and the second patterned electrode systems; and wherein the systems and the conductive bridges are printable using conventional printing processes; and a process for providing a passive memory device, the passive memory device comprising at least one passive memory element and a support, the support having on the at least one side provided with a passive memory element either a non-conductive surface or a patternable conductive layer, the passive memory element comprising a first patterned electrode system, a second patterned electrode system, an insulating system between the first patterned electrode system and the second patterned electrode system and at least one conductive bridge between the first patterned electrode system and the second patterned electrode system, and wherein in the absence of the at least one conductive bridge there is no direct electrical contact between the first and the second electrode systems, comprising the steps of: realizing a first electrode pattern on the non-conductive surface of the support or in the patternable conductive layer on the support, providing an insulating pattern on the first electrode pattern, providing a second electrode pattern on the insulating pattern, and providing electrical contact between the first electrode pattern and the second electrode pattern at predesignated points, wherein at least one of the steps is realized by a conventional printing process.
Abstract translation: 无源存储器件包括至少一个无源存储器元件和在至少一个侧面上设置有无源存储元件的非导电表面的支撑件，所述无源存储元件包括第一电极系统，绝缘系统和第二电极系统 ，其中所述第一电极系统是图案系统; 其中所述第一电极与所述第二电极系统绝缘; 其中在所述第一和第二电极系统之间存在至少一个导电桥; 其中在不存在所述至少一个导电桥的情况下，所述第一和第二图案化电极系统之间不存在直接电接触; 并且其中所述系统和所述导电桥可使用常规的印刷工艺进行印刷; 以及用于提供无源存储器设备的过程，所述无源存储器设备包括至少一个无源存储器元件和支撑件，所述支撑件在所述至少一个侧面上设置有非导电表面或可导电导电 所述无源存储元件包括第一图案化电极系统，第二图案化电极系统，所述第一图案化电极系统和所述第二图案化电极系统之间的绝缘系统以及所述第一图案化电极系统和所述第二图案化电极系统之间的至少一个导电桥 电极系统，并且其中在不存在所述至少一个导电桥的情况下，在所述第一和第二电极系统之间不存在直接电接触，包括以下步骤：实现所述载体的非导电表面上的第一电极图案，或 在支撑体上的可图形导电层中，在第一电极上提供绝缘图案 在绝缘图案上提供第二电极图案，并且在预先指定的点处在第一电极图案和第二电极图案之间提供电接触，其中至少一个步骤通过常规印刷工艺实现。
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公开(公告)号：KR1020030085576A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：KR1020037012572
申请日：2002-03-19
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
Inventor： 그로에넨달람베르투스 , 로우웨트프란크 , 조티지아니
IPC: C07D495/04
CPC classification number: C07D495/04 , C08G61/126 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E60/13
Abstract: C2-C5 알킬렌 브릿지; 입체선택적으로 치환되고, 선형 또는 분지된 C2-C24 알킬, C3-C18 시클로알킬, C1-C18 알콕시 또는 폴리에틸렌옥사이드기 (알코올, 아미드, 에테르, 에스테르 또는 술포네이트기로 이루어진 군으로부터 선택된 최소한 하나의 치환기를 선택적으로 포함) 또는 상기 C2-C5 알킬렌 브릿지에서 치환된 최소한 하나의 키랄 중심을 갖는 선택적으로 치환된 아릴기를 포함하는 화학식을 갖는 티오펜 화합물; 그로부터 유도된 폴리머; 화학식 (Ⅰ)에 따른 티오펜을, 선택적으로 화학적 또는 전기화학적으로 중합하는 방법; 및 그로부터 유도된 폴리머를 포함하는 분산물, 페이스트 및 층이 개시된다.
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公开(公告)号：KR102017782B1
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：KR1020177015350
申请日：2015-12-10
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
Inventor： 볼렌디르크
IPC: C09D11/52 , B01F17/00 , C09D11/03 , C09D11/322
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公开(公告)号：KR1020170084157A
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020177015350
申请日：2015-12-10
Applicant: 아그파-게바에르트 엔.브이.
Inventor： 볼렌디르크
IPC: C09D11/52 , B01F17/00 , C09D11/03 , C09D11/322
CPC classification number: C09D11/52 , B01F17/0007 , B22F1/0044 , B22F9/18 , C09D5/24 , C09D7/63 , C09D7/67 , C09D11/03 , C09D11/32 , C09D11/322 , C09D11/38 , H05K1/097
Abstract: 금속나노입자및 액체캐리어를포함하는금속나노입자분산액으로서, 상기분산액이화학식 I, II, III 또는 IV에따른분산안정화화합물을더 포함하는것을특징으로하는금속나노입자분산액: 여기서, Q는치환또는비치환된 5원또는 6원헤테로방향족고리를형성하는필수원자를나타내고, M은수소, 1가양이온기및 아실기로이루어진군으로부터선택되고, R1 및 R2는독립적으로, 수소, 치환또는비치환된알킬기, 치환또는비치환된알케닐기, 치환또는비치환된알키닐기, 치환또는비치환된알카릴기, 치환또는비치환된아랄킬기, 치환또는비치환된아릴기또는헤테로아릴기, 히드록실기, 티오에테르, 에테르, 에스테르, 아마이드, 아민, 할로겐, 케톤및 알데히드로이루어진군으로부터선택되고, R1 및 R2는 5 내지 7원고리를형성하는필수원자를나타낼수 있고; R3 내지 R5는독립적으로, 수소, 치환또는비치환된알킬기, 치환또는비치환된알케닐기, 치환또는비치환된알키닐기, 치환또는비치환된알카릴기, 치환또는비치환된아랄킬기, 치환또는비치환된아릴기또는헤테로아릴기, 히드록실기, 티올, 티오에테르, 술폰, 술폭사이드, 에테르, 에스테르, 아마이드, 아민, 할로겐, 케톤, 알데히드, 니트릴및 나이트로기로이루어진군으로부터선택되고; R4 및 R5는 5 내지 7원고리를형성하는필수원자를나타낼수 있다.
Abstract translation: （I），（II），（III）或（IV）的分散体稳定化合物， II> <式III> <式IV>其中表示所必需的原子，以形成一个Q是被取代或未被取代的5或6元杂芳环，M为选自氢，由一个假阳性的组是一组温暖和酰基 和，R 1和R 2独立地为氢，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的炔基，取代或未取代的烷芳基，取代或未取代的芳烷基， 选自取代或未取代的芳基或杂芳基，羟基，硫醚，醚，酯，酰胺，由胺，卤素，酮，和醛组成的组中，R 1和R 2可以形成一个5至7元环 至 它可以表示字符和颈部; R 3至R 5独立地为氢，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的炔基，取代或未取代的烷芳基，取代或未取代的芳烷基，取代或 选自未取代的芳基或杂芳基，羟基，硫醇，硫醚，砜，亚砜，醚，酯，酰胺，胺，卤素，酮，醛，腈基团和硝基，和组成的组中; R4和R5可以代表形成5-至7-元环的必要原子。
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