Abstract:
The present invention relates to a diode laser and to a laser resonator for a diode laser having improved lateral beam quality without using an external resonator. The present invention in particular relates to a broad area laser having high power output. It is the aim of the present invention to provide a diode laser and a laser resonator for a diode laser, which has high lateral beam quality at high power output, requires little adjustment effort and is inexpensive to produce. The laser resonator according to the invention comprises a gain section (GS), a first planar Bragg reflector (DBR1) and a second planar Bragg reflector (DBR2), wherein the gain section (GS) has a trapezoidal design and the first planar Bragg reflector (DBR1) is arranged on a first base side of the trapezoidal gain section (GS) and the second planar Bragg reflector (DBR2) is arranged on the opposing base side of the trapezoidal gain section (GS), wherein the width (D1) of the first planar Bragg reflector (DBR1) differs from the width (D2) of the second planar Bragg reflector (DBR2).
Abstract:
An evaporator cell (100) which is equipped for evaporating, in particular, a high-melting evaporation material, comprises a crucible (10) for receiving the evaporation material, which crucible comprises a crucible base (11), a side wall (12) which extends in an axial direction of the crucible (10) and a crucible opening (13), and a heating device (20) having a heating resistor (21) which comprises a multiplicity of heating zones (21.1, 21.2) which are arranged on an outside of the crucible (10) and extend along the axial direction of the crucible (10), wherein the heating zones (21.1, 21.2) are equipped for multi-side resistance heating and/or electron beam heating of the crucible (10), and wherein the heating zones (21.1, 21.2) are constructed in such a manner that a heating current through the heating resistor (21) which is formed, for example by a resistance sleeve, flows in parallel and in the same sense through all heating zones (21.1, 21.2). A process for operation of the evaporator cell is also described.
Abstract:
The invention relates to a nucleic acid sequence that codes for peptides which inhibit the interaction of protein kinase A (PKA) and protein kinase A-anchor proteins (AKAP), a host organism, which has the nucleic acid sequence and, optionally, expresses the peptides. The invention also relates to the use of the peptides and of the host organism when studying diseases, which are associated with the AKAP PKA interaction, and to the use of the peptides as a pharmaceutical agent for treating diseases of this type.
Abstract:
The invention relates to Stat molecules which are mutated and their use in the activation of gene expression, in the screening of inhibitors or activators of transcription factors, the identification of binding proteins, the production of a drug for diagnosis and/or treatment of diseases associated with the activation of gene expression as well as in the targeting of active substances. The Stat molecules occurring in the nucleus of a cutaneous T cell lymphoma cell line are characterized in that at least one conserved hydrophobic amino acid on the surface of the N-domain of the Stat wild type is mutated.
Abstract:
La presente invención se refiere a un conjugado que tiene la fórmula (I): en donde una molécula de unión al receptor (RBM) está conectada con una fracción de fármaco (D). La presente invención también se refiere a intermedios para producir el mismo, métodos para preparar el mismo, composiciones farmacéuticas que lo comprenden, así como usos de los mismos. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)
Abstract:
Halbleitervorrichtung (300), die folgende Merkmale aufweist:ein Substrat (310), wobei das Substrat (310) einkristallin ist, wobei das Substrat (310) einen Galliumindiumarsenid-Mischkristall mit der Summenformel Ga(1-x)In(x)As aufweist, wobei der Indiumanteil x zwischen 0,1 Prozent und 4 Prozent beträgt und zumindest ein aluminiumgalliumarsenidbasiertes Halbleiterbauelement (320) mit einer epitaktisch hergestellten Halbleiterschichtfolge, wobei das Halbleiterbauelement (320) an dem Substrat (310) angeordnet ist.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Pulsgenerator und insbesondere einen schnellen optischen Pulsgenerator mit hoher Effizienz.Ein erfindungsgemäßer optischer Pulsgenerator umfasst ein aktives optisches Bauelement (10), dazu ausgebildet, optische Strahlung zu emittieren; und ein Mittel zur elektrischen Ansteuerung (20) des aktiven optischen Bauelements (10), dazu ausgebildet, das aktive optische Bauelement (10) zu einer gepulsten Emission optischer Strahlung anzuregen; wobei das Mittel zur elektrischen Ansteuerung (20) eine erste Treiberschaltung (24) und eine zweite Treiberschaltung (26) aufweist, wobei die zweite Treiberschaltung (26) dazu ausgebildet ist, das aktive optische Bauelement (10) durch einen elektrischen Anstiegspuls während einer anfängliche Pulsdauer (tind-ton) mit einer zweiten Spannung (VD2) zu versorgen und die erste Treiberschaltung (24) dazu ausgebildet ist, das aktive optische Bauelement (10) durch einen elektrischen Hauptpuls über die restliche Pulsdauer (toff-tind) mit einer kleineren ersten Spannung (VD1) zu versorgen. Bei einem alternativen optischen Pulsgenerator umfasst das Mittel zur elektrischen Ansteuerung (20) eine Treiberschaltung (28) mit einer ersten Spannung (VD1) und einer kleineren zweiten Spannung (VD2).
Abstract:
Herstellungsverfahren für eine Wellenleiterstruktur, umfassend die Schritte:Einbringen eines Wellenleiters (101) in mindestens einen Wellenleiterhalter (106, 106a, 106b), Fixieren der Position des Wellenleiters (101) im Wellenleiterhalter (106, 106a, 106b) und Teilen des Wellenleiters (101) in mehrere inhärent koaxiale Wellenleitersegmente (101a, 101b, 101c, 101d), dadurch gekennzeichnet, dass die Fixierung gasdicht erfolgt, so dass zwischen den Wellenleitersegmenten (101a, 101b, 101c, 101d) durch die Fixierung hindurch kein Gasaustausch stattfindet, und in Längsrichtung der Wellenleiterstruktur mindestens ein Bereich ohne Wellenleiter (101) mit einer Länge zwischen 1 mm und 15 mm zur effizienten Evakuierung von Gas ausgebildet wird.
Abstract:
Die Erfindung betrifft das Züchten eines Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls mit kubischer Kristallstruktur aus einer Schmelze. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall enthält wenigstens 5 % Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid, so dass seine Liquidustemperatur unter 2400 °C beträgt. Alternativ kann der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall auch Yttriumoxid und wenigstens 5 % Scandiumoxid enthalten und die Anteile von Yttriumoxid und Scandiumoxid können in einem Ausgangsmaterial so ausgewählt sein, dass der zu züchtende Selternerd-Sesquioxid-Kristall eine Liquidustemperatur von unter 2400 °C hat. Das Ausgangsmaterial kann in einem Tiegel, der aus einem Material besteht, welches eine Schmelztemperatur von unter 3000 °C hat, bei einer Temperatur von 2400 °C oder weniger geschmolzen werden. Der Seltenerd-Sesquioxid-Kristall kann aus dem geschmolzenen Ausgangsmaterial unter Verwenden eines Kristallzüchtungsverfahrens, beispielsweise des Czochralski-Verfahrens oder des HEM-Verfahrens gezüchtet werden. Auch ein tiegelfreies Züchten des Seltenerd-Sesquioxid-Kristalls ist bei einer Temperatur von 2400 °C oder weniger möglich, beispielsweise mittels optischem Zonenschmelzen.