Un aparato, un sistema y un método para producir hidrógeno

    公开(公告)号:ES2890248T3

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:ES11751678

    申请日:2011-08-15

    Applicant: GASPLAS AS

    Abstract: Un sistema de producción de hidrógeno a partir de hidrocarburos gaseosos, caracterizado por un módulo (2) de pretratamiento de gas conectado de forma fluida a un depósito (66) de gas y al menos a un generador (100) de hidrógeno; y un módulo (3) de posprocesamiento de hidrógeno conectado de forma fluida a través de un conducto (81) de alimentación al generador y a un módulo (5) de almacenamiento y distribución, comprendiendo dicho generador de hidrógeno boquillas (105) de plasma; una cámara (102) de reacción acoplada a cada una de las boquillas de plasma; cada boquilla de plasma comprende un generador (301, 302) de plasma de microondas y un tubo (303) de alimentación para dirigir un flujo del hidrocarburo gaseoso a través del generador de plasma a entradas respectivas a la cámara de reacción, por lo que el generador de plasma de microondas es adecuado para al menos ionizar parcialmente el hidrocarburo gaseoso para formar un plasma antes de la entrada del hidrocarburo al menos parcialmente ionizado en la cámara de reacción, y la cámara de reacción comprende al menos una salida (101) a través de la cual se transporta hidrógeno al módulo (3) de posprocesamiento, y el módulo (2) de pretratamiento comprende medios para precalentar el hidrocarburo gaseoso.

    METHOD FOR PROCESSING A GAS AND A DEVICE FOR PERFORMING THE METHOD

    公开(公告)号:CA2833965A1

    公开(公告)日:2012-11-01

    申请号:CA2833965

    申请日:2012-04-27

    Applicant: GASPLAS AS

    Abstract: The present invention relates to a method and device for processing a gas by forming microwave plasmas of the gas. The gas that is to be processed is set in a two or three co-axial vortex flow inside the device and exposed to a microwave field to form the plasma in the inner co-axial vortex flow, which subsequently is expelled as a plasma afterglow through an outlet of the device. The device is provided with a microwave field choking effect by having a diameter of the exit channel larger than zero but smaller than 1/16 of the wavelength of the standing microwave within the microwave chamber and a length, ?, of the exit channel that may correspondingly have one of the following ranges: from a factor larger than zero but smaller than (n+1/8), n G {0, 1, 2, 3}, of the wavelength of the standing microwave within the microwave chamber.

    Plasma reactor
    37.
    发明专利

    公开(公告)号:GB0902784D0

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:GB0902784

    申请日:2009-02-19

    Applicant: GASPLAS AS

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