半導體裝置、半導體積層模組構造、積層模組構造及此等之製造方法
    39.
    发明专利
    半導體裝置、半導體積層模組構造、積層模組構造及此等之製造方法 审中-公开
    半导体设备、半导体积层模块构造、积层模块构造及此等之制造方法

    公开(公告)号:TW201530715A

    公开(公告)日:2015-08-01

    申请号:TW103102077

    申请日:2014-01-21

    Abstract: 本發明之目的在於提供一種即使是尺寸不同的LSI晶片,亦可容易地進行垂直積層之半導體裝置。 半導體裝置係包含:絕緣性基板;半導體元件,係使元件電路面朝上而搭載於絕緣性基板之一方的主面上;第1絕緣材料層A,係將半導體元件之元件電路面上及其周邊之絕緣性基板上予以密封;第1金屬薄膜配線層,係設於第1絕緣材料層A上,且一部分露出於外部;第1絕緣材料層B,係設於第1金屬薄膜配線層上;第2絕緣材料層,係設於絕緣性基板之另一方的主面上;第2金屬薄膜配線層,係設於第2絕緣材料層內,且一部分露出於外部;連通孔,係貫通絕緣性基板,將第1金屬薄膜配線層與第2金屬薄膜配線層予以電性連接;及外部電極,係形成於第1金屬薄膜配線層上;該半導體裝置具有將第2金屬薄膜配線層、配置於半導體元件之元件電路面的電極、第1金屬薄膜配線層、連通孔、及第1金屬薄膜配線層上的外部電極予以電性連接之構造。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种即使是尺寸不同的LSI芯片,亦可容易地进行垂直积层之半导体设备。 半导体设备系包含:绝缘性基板;半导体组件,系使组件电路面朝上而搭载于绝缘性基板之一方的主面上;第1绝缘材料层A,系将半导体组件之组件电路面上及其周边之绝缘性基板上予以密封;第1金属薄膜配线层,系设于第1绝缘材料层A上,且一部分露出于外部;第1绝缘材料层B,系设于第1金属薄膜配线层上;第2绝缘材料层,系设于绝缘性基板之另一方的主面上;第2金属薄膜配线层,系设于第2绝缘材料层内,且一部分露出于外部;连通孔,系贯通绝缘性基板,将第1金属薄膜配线层与第2金属薄膜配线层予以电性连接;及外部电极,系形成于第1金属薄膜配线层上;该半导体设备具有将第2金属薄膜配线层、配置于半导体组件之组件电路面的电极、第1金属薄膜配线层、连通孔、及第1金属薄膜配线层上的外部电极予以电性连接之构造。

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