公开(公告)号：TWI521653B

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：TW100105916

申请日：2011-02-23

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 今泉有加里 ,  IMAIZUMI, YUKARI ,  河津剛史 ,  KAWAZU, GOSHI ,  工藤功 ,  KUDO, ISAO ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO ,  蛭田陽一 ,  HIRUTA, YOICHI

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201601263A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104115674

申请日：2015-05-15

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  丹羽康一郎 ,  NIWA, KOICHIRO ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2224/83

Abstract: 本發明以實現優良散熱特性及高度信賴性的半導體封裝為課題。半導體封裝包含一支撐基板、一半導體裝置、一絕緣層及一配線。半導體裝置經由一黏接材料黏接至前述支撐基板之一正面。絕緣層覆蓋前述半導體裝置。配線貫通前述絕緣層且電性連接前述半導體裝置及一外部端子。其中，於前述支撐基板之背面處設置有延伸至前述半導體裝置之一第一開口部。前述黏接材料亦可構成前述第一開口部之一部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明以实现优良散热特性及高度信赖性的半导体封装为课题。半导体封装包含一支撑基板、一半导体设备、一绝缘层及一配线。半导体设备经由一黏接材料黏接至前述支撑基板之一正面。绝缘层覆盖前述半导体设备。配线贯通前述绝缘层且电性连接前述半导体设备及一外部端子。其中，于前述支撑基板之背面处设置有延伸至前述半导体设备之一第一开口部。前述黏接材料亦可构成前述第一开口部之一部分。

公开(公告)号：TWI694548B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW104129281

申请日：2015-09-04

Applicant: 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L21/304

公开(公告)号：TWI685935B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW104123201

申请日：2015-07-17

Applicant: 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 池元義彦 ,  IKEMOTO, YOSHIHIKO ,  井上広司 ,  INOUE, HIROSHI ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  松原寛明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  今泉有加里 ,  IMAIZUMI, YUKARI

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/538 ,  H01L21/58

公开(公告)号：TWI681514B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW104122944

申请日：2015-07-15

Applicant: 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/373

公开(公告)号：TW201802967A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106112542

申请日：2017-04-14

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 稻岡俊幸 ,  INAOKA, TOSHIYUKI ,  浦辻淳広 ,  URATSUJI, ATSUHIRO

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/64 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/03632 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/83

Abstract: 在此提供一種半導體封裝件之製造方法，為用以於半導體裝置與配線間獲得良好接觸。半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。於基材上配置半導體裝置，半導體裝置於上表面設置有外部端子。形成覆蓋半導體裝置之樹脂絕緣層。於樹脂絕緣層形成露出外部端子之開口部。於形成開口部之後，對於前述開口部之底部進行電漿處理。於電漿處理之後，對於前述開口部之底部進行藥液處理。形成導電體，導電體連接至於開口部露出之外部端子。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种半导体封装件之制造方法，为用以于半导体设备与配线间获得良好接触。半导体封装件之制造方法包含以下步骤。于基材上配置半导体设备，半导体设备于上表面设置有外部端子。形成覆盖半导体设备之树脂绝缘层。于树脂绝缘层形成露出外部端子之开口部。于形成开口部之后，对于前述开口部之底部进行等离子处理。于等离子处理之后，对于前述开口部之底部进行药液处理。形成导电体，导电体连接至于开口部露出之外部端子。

公开(公告)号：TWI515850B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW100105915

申请日：2011-02-23

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 丸谷尚一 ,  MARUTANI, HISAKAZU ,  岩見康成 ,  IWAMI, YASUNARI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  高橋知子 ,  TAKAHASHI, TOMOKO ,  山方修武 ,  YAMAGATA, OSAMU ,  三次真吾 ,  MITSUGI, SHINGO ,  陳崇浩 ,  CHIN, SOKO

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L23/16 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/22 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201601270A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104119150

申请日：2015-06-12

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 橋本聖昭 ,  HASHIMOTO, KIYOAKI ,  竹原靖之 ,  TAKEHARA, YASUYUKI

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 本發明以提供減輕支撐基板與黏接材料之間所發生之內部應力且具高度信賴性之半導體封裝為課題。本發明之半導體封裝包含一支撐基板、設置於此支撐基板之主面之一應力緩和層、配置於此應力緩和層之上之一半導體裝置、覆蓋此半導體裝置且由相異於此應力緩和層之絕緣材料製成之一密封體、貫通此密封體且電性連接於此半導體裝置電性連接之一配線，及電性連接於此配線之一外部端子。此時，於相同溫度條件下，此支撐基板之彈性係數為A，此應力緩和層之彈性係數為B，且此密封體之彈性係數為C時，A>C>B或C>A>B之關係成立。

Abstract in simplified Chinese: 本发明以提供减轻支撑基板与黏接材料之间所发生之内部应力且具高度信赖性之半导体封装为课题。本发明之半导体封装包含一支撑基板、设置于此支撑基板之主面之一应力缓和层、配置于此应力缓和层之上之一半导体设备、覆盖此半导体设备且由相异于此应力缓和层之绝缘材料制成之一密封体、贯通此密封体且电性连接于此半导体设备电性连接之一配线，及电性连接于此配线之一外部端子。此时，于相同温度条件下，此支撑基板之弹性系数为A，此应力缓和层之弹性系数为B，且此密封体之弹性系数为C时，A>C>B或C>A>B之关系成立。

公开(公告)号：TW201530715A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103102077

申请日：2014-01-21

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 井上廣司 ,  INOUE, HIROSHI ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO ,  澤地茂典 ,  SAWACHI, SHIGENORI ,  山方修武 ,  YAMAGATA, OSAMU

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明之目的在於提供一種即使是尺寸不同的LSI晶片，亦可容易地進行垂直積層之半導體裝置。 半導體裝置係包含：絕緣性基板；半導體元件，係使元件電路面朝上而搭載於絕緣性基板之一方的主面上；第1絕緣材料層A，係將半導體元件之元件電路面上及其周邊之絕緣性基板上予以密封；第1金屬薄膜配線層，係設於第1絕緣材料層A上，且一部分露出於外部；第1絕緣材料層B，係設於第1金屬薄膜配線層上；第2絕緣材料層，係設於絕緣性基板之另一方的主面上；第2金屬薄膜配線層，係設於第2絕緣材料層內，且一部分露出於外部；連通孔，係貫通絕緣性基板，將第1金屬薄膜配線層與第2金屬薄膜配線層予以電性連接；及外部電極，係形成於第1金屬薄膜配線層上；該半導體裝置具有將第2金屬薄膜配線層、配置於半導體元件之元件電路面的電極、第1金屬薄膜配線層、連通孔、及第1金屬薄膜配線層上的外部電極予以電性連接之構造。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种即使是尺寸不同的LSI芯片，亦可容易地进行垂直积层之半导体设备。 半导体设备系包含：绝缘性基板；半导体组件，系使组件电路面朝上而搭载于绝缘性基板之一方的主面上；第1绝缘材料层A，系将半导体组件之组件电路面上及其周边之绝缘性基板上予以密封；第1金属薄膜配线层，系设于第1绝缘材料层A上，且一部分露出于外部；第1绝缘材料层B，系设于第1金属薄膜配线层上；第2绝缘材料层，系设于绝缘性基板之另一方的主面上；第2金属薄膜配线层，系设于第2绝缘材料层内，且一部分露出于外部；连通孔，系贯通绝缘性基板，将第1金属薄膜配线层与第2金属薄膜配线层予以电性连接；及外部电极，系形成于第1金属薄膜配线层上；该半导体设备具有将第2金属薄膜配线层、配置于半导体组件之组件电路面的电极、第1金属薄膜配线层、连通孔、及第1金属薄膜配线层上的外部电极予以电性连接之构造。

公开(公告)号：TW201423923A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：TW102144961

申请日：2013-12-06

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 友永義幸 ,  TOMONAGA, YOSHIYUKI ,  大井田充 ,  OOIDA, MITSURU ,  渡邊勝己 ,  WATANABE, KATSUMI ,  佐藤秀成 ,  SATO, HIDENARI

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本發明提供一種同時達成低熱阻化、高密度化且耐熱性優異的半導體裝置及其製造方法。半導體裝置包括：基板，基板的背面具有多個外部端子且基板的正面具有與多個外部端子電性連接的多個接合端子；半導體晶片，搭載於基板的正面上，且於半導體晶片的正面具有多個接合墊；多個接合線，將多個接合墊之間連接，或將多個接合端子與多個接合墊之間連接；第一密封層，密封基板的正面、多個接合線及半導體晶片；以及第二密封層，形成於第一密封層上，且第二密封層之熱導率高於第一密封層之熱導率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种同时达成低热阻化、高密度化且耐热性优异的半导体设备及其制造方法。半导体设备包括：基板，基板的背面具有多个外部端子且基板的正面具有与多个外部端子电性连接的多个接合端子；半导体芯片，搭载于基板的正面上，且于半导体芯片的正面具有多个接合垫；多个接合线，将多个接合垫之间连接，或将多个接合端子与多个接合垫之间连接；第一密封层，密封基板的正面、多个接合线及半导体芯片；以及第二密封层，形成于第一密封层上，且第二密封层之热导率高于第一密封层之热导率。