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公开(公告)号：CN106067542A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510761655.5
申请日：2015-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01M4/663 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/48 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M2220/30 , H01M4/362 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/583 , H01M4/625
Abstract: 本发明涉及负极材料、包括其的二次电池、及它们的制造方法。实例实施方式涉及电极材料、包括所述电极材料的二次电池、以及制造所述电极材料和所述二次电池的方法。电极材料可包括具有多个孔的泡沫结构体和设置于所述多个孔中的多个纳米结构体。所述泡沫结构体可包括石墨烯泡沫结构体。所述多个纳米结构体可包括纳米颗粒和纳米棒的至少一种。所述多个纳米结构体可包括能够容纳/放出离子的材料。所述电极材料可用作二次电池的负极材料。
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公开(公告)号：CN106065466A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610258537.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/30
Abstract: 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6-b-c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。
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公开(公告)号：CN104617135A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410616370.8
申请日：2014-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/72 , H01L29/772 , H01L29/73 , H01L29/861 , H01L31/04 , H01L31/08 , H01L31/18 , H01L21/335 , H01L21/328
Abstract: 本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。
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公开(公告)号：CN103715259A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310221610.X
申请日：2013-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y99/00 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管（TFET）。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。
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公开(公告)号：CN103022106A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210344858.0
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/456 , H01L29/1606 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。
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公开(公告)号：CN106067542B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201510761655.5
申请日：2015-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及负极材料、包括其的二次电池、及它们的制造方法。实例实施方式涉及电极材料、包括所述电极材料的二次电池、以及制造所述电极材料和所述二次电池的方法。电极材料可包括具有多个孔的泡沫结构体和设置于所述多个孔中的多个纳米结构体。所述泡沫结构体可包括石墨烯泡沫结构体。所述多个纳米结构体可包括纳米颗粒和纳米棒的至少一种。所述多个纳米结构体可包括能够容纳/放出离子的材料。所述电极材料可用作二次电池的负极材料。
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公开(公告)号：CN106169511B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201610157055.2
申请日：2016-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/101
Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。
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公开(公告)号：CN106065466B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201610258537.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/30
Abstract: 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6‑b‑c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。
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