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公开(公告)号：CN113161365A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011265112.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，包括：在第一基板上的第二基板，并且该第二基板包括下半导体层和在下半导体层上的上半导体层；在上半导体层上的电极结构，并且该电极结构包括多个堆叠的电极；竖直沟道结构，其穿透电极结构并连接到第二基板；层间介电层，其覆盖电极结构；以及切割结构，其穿透层间介电层和上半导体层。上半导体层具有由切割结构限定的第一侧壁。下半导体层具有与第一侧壁相邻的第二侧壁。第一侧壁和第二侧壁彼此水平地偏移。
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公开(公告)号：CN107786764B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710418689.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种调制解调器芯片和包括调制解调器芯片的应用处理器。调制解调器芯片与射频芯片进行通信，并且包括：数字接口，其配置为基于数字通信从射频芯片接收包括多个样本的数据。逻辑块基于调制解调器芯片中的时钟信号生成帧同步信号，将所生成的帧同步信号提供给数字接口，并且与帧同步信号同步地接收所述多个样本。
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公开(公告)号：CN110618955A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910410634.7
申请日：2019-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种电子设备及由电路执行的方法。所述电子设备包括：接收均衡器，其基于第一系数对第一信号执行第一均衡，并且基于第一系数对一个或多个第二信号执行一个或多个第二均衡，所述一个或多个第二信号基于与外部设备的发送均衡器的一个或多个特性相关联的第二系数；以及电路，其迭代地将基于第一系数生成的控制信息发送到外部设备，直到关于第一系数满足终止条件，控制信息使得第二系数增加或减小，迭代发送的控制信息使得与一个或多个第二均衡的最终均衡对应的第一系数的第一绝对值变得小于与第一均衡对应的第一系数的第二绝对值。
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公开(公告)号：CN110557242A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910480298.3
申请日：2019-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L9/06
Abstract: 公开一种用于恢复数据的装置、数据收发系统和数据解扰方法。一种用于通过对加扰数据进行解扰来生成恢复数据的装置包括：线性反馈移位寄存器，被配置为：接收包括多个边沿的第一时钟并顺序地生成多个种子，其中，所述多个种子包括分别与所述多个边沿中的第一边沿至第N-1边沿相应的第一种子至第N-1种子(其中，N是2或大于2的自然数)；种子计算器，被配置为：通过使用第一种子计算与所述多个边沿中的第N边沿相应的第N种子；解扰器，被配置为：通过使用由线性反馈移位寄存器生成的所述多个种子和由种子计算器计算的第N种子，对加扰数据进行解扰。线性反馈移位寄存器还被配置为：通过使用第N种子生成第N+1种子。
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公开(公告)号：CN110544696A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910744071.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了存储器装置和制造存储器装置的方法，所述存储器装置包括：多个栅电极层，堆叠在基底的上表面上；多个通道，在垂直于基底的上表面的方向上延伸穿过所述多个栅电极层；多个电路元件，设置在所述多个栅电极层的外围区域中；以及层间绝缘层，包括仅设置在外围区域中并覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层以及覆盖第一层间绝缘层和所述多个栅电极层的至少一部分的第二层间绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110505027A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910376532.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了眼睛张开度测量电路、包括其的接收器、测量眼睛张开度的方法。接收器包括采样器，该采样器基于采样时钟对与数据的第一逻辑值对应的第一电压电平和与所述数据的第二逻辑值对应的第二电压电平进行采样。均衡器接收并调整第一电压电平和第二电压电平。时钟和数据恢复电路基于来自均衡器的第一电压电平和第二电压电平来恢复采样时钟。眼睛张开度测量电路：(1)根据第一电压电平中的大于第一参考电压电平的上电压电平，以第一步长单位跟踪第一西格玛电平，(2)根据第二电压电平中的小于第二参考电压电平的下电压电平，以第二步长单位跟踪第二西格玛电平，(3)计算第一西格玛电平和第二西格玛电平之间的差。
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公开(公告)号：CN109300908A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810812055.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L23/48 , H01L21/48
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11575 , H01L21/4814 , H01L23/481
Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括衬底。该半导体器件包括包含堆叠在衬底上的导电层的堆叠结构。而且，该半导体器件包括穿透堆叠结构的台阶区域的虚设结构。虚设结构的一部分包括第一区段和第二区段。第一区段在平行于衬底的上表面的平面中沿第一方向延伸。第二区段在所述平面中沿交叉第一方向的第二方向从第一区段突出。
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公开(公告)号：CN108461475A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810270157.4
申请日：2013-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/522 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/24 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/441 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/498 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/441 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L23/49844 , H01L23/5226 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/2481 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种三维半导体装置。所述装置可以包括顺序地堆叠在基板上以构成电极结构的电极。每个电极可以包括：连接部，从位于其上的一个电极的侧壁向外水平地突出；对齐部，具有与位于其上或其下的一个电极的侧壁共面的侧壁。这里，电极中的设置成彼此竖直邻近的至少两个电极可以以这样的方式设置，即，所述至少两个电极的对齐部具有基本对齐成彼此共面的侧壁。
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