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公开(公告)号：CN107017263B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710032615.6
申请日：2017-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及垂直存储器件及其制造方法。一种垂直存储器件可以包括：多个字线，其在第一方向上间隔开，其每个在垂直于第一方向的第二方向上延伸并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第一宽度；虚设字线，其在最上字线的上方，包括开口并且具有它的在第三方向上有第一宽度的一部分；第一串选择线(SSL)和第二串选择线(SSL)，其在虚设字线上方，第一SSL和第二SSL沿第一方向在基本相同级处，第一SSL和第二SSL的每个在第三方向上具有比第一宽度更小的第二宽度；以及多个垂直沟道结构，其每个穿过字线、虚设字线以及第一SSL和第二SSL中的一个。
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公开(公告)号：CN107111342B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580072242.4
申请日：2015-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16 , G06F3/03 , G06F3/0362 , G06F3/0484 , G04G17/08 , G04G21/02
Abstract: 根据各种实施例，提供了一种电子设备及其控制方法，该电子设备包括：主体，包括至少一个电子组件；旋转体，可旋转地设置为使得所述旋转体围绕所述主体的区域的至少一部分；旋转检测装置，用于检测所述旋转体的旋转参数；以及至少一个处理器，用于基于检测到的旋转参数执行所述电子设备的相应功能。
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公开(公告)号：CN107623557B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710554740.3
申请日：2017-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04J3/06
Abstract: 一种用于与RFIC进行数字通信的基带IC以及包括该基带IC的设备。用于与RFIC进行数字通信的基带IC包括：数字接口电路，被配置为根据数字接口协议从RFIC接收包括至少一个采样信号的帧信号，从帧信号重构所述至少一个采样信号，并与接收参考信号同步地向基带调制解调器传送所重构的采样信号；以及采样同步管理器，被配置为产生接收参考信号，其中帧信号与发送参考信号同步地从RFIC发送到基带IC。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701297A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780007864.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06Q20/341 , G06Q20/085 , G06Q20/227 , G06Q20/32 , G06Q20/3224 , G06Q20/327 , G06Q20/36 , G06Q20/385 , G06Q20/40145 , H04L12/66 , H04W4/00
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种电子装置，包括：MST模块；显示器；无线通信模块；和处理器，其中，处理器被配置为：识别电子装置的位置；识别支付请求；响应于所述支付请求，确定与所述位置相应的支付传输方案；并在根据所述支付传输方案改变支付信息的数据集或传输周期时，通过使用MST模块向外部电子装置发送与支付有关的支付信息。可以通过说明书识别的其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：CN106981491A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710033439.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L29/42328 , H01L29/42344 , H01L27/115
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个可以包括：电极部分，设置在单元阵列区域上，以沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；电极连接部分，设置在连接区域上，以沿第二方向延伸并且使电极部分彼此水平地连接；突出，在连接区域上设置为从电极连接部分沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN104659033A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410663213.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供了垂直存储器器件及其制造方法。该垂直存储器器件包括基板、沟道、栅线和连接部分。多个沟道在垂直于基板的上表面的第一方向上延伸。多个栅线在第一方向上堆叠以彼此间隔开，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸，每个栅线交叉一组沟道并围绕该组沟道的每个沟道的外侧壁。栅线形成包括多个垂直水平面的台阶结构。连接部分连接多个栅线中的位于相同的垂直水平面的一组栅线，连接部分从第二方向分支，该组栅线中的栅线在第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN1971917A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146422.5
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42324
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：衬底，具有单元区；以及单元器件隔离层，位于该衬底的单元区上，以限定单元有源区。浮置栅极可以包括顺序层叠在单元有源区上的下部浮置栅极和上部浮置栅极，而隧道绝缘图形可以位于浮置栅极与单元有源区之间。控制栅电极可以位于该浮置栅极上，而且阻挡绝缘图形可以位于该控制栅电极与浮置栅极之间。更具体地说，上部浮置栅极可以包括位于该下部浮置栅极上的扁平部分和一对从与该单元器件隔离层相邻的扁平部分两边向上延伸的壁部分。此外，由该扁平部分和这对壁部分包围的空间上部的宽度可以大于该空间下部的宽度。还讨论了相关方法。
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