公开(公告)号：CN1905232B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200610103288.0

申请日：2006-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  金洙真 ,  金泳敏 ,  宋根圭 ,  李容旭 ,  洪雯杓 ,  崔泰荣 ,  吴俊鹤

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0533 ,  H01L51/107

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。

公开(公告)号：CN1983620B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610138293.5

申请日：2006-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  李容旭

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/283 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基板、形成在基板上的数据线、连接至数据线的源电极、包括与源电极相对的一部分的漏电极、具有露出源电极和漏电极的部分的开口的隔离件、形成在开口内的有机半导体、形成在有机半导体上的栅极绝缘体、以及与数据线交叉且具有栅电极的栅极线。

公开(公告)号：CN1917226B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610115554.1

申请日：2006-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  洪雯杓 ,  李容旭 ,  吴俊鹤 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口；栅极绝缘体，形成于第一开口中；源电极，设置于栅极绝缘体上且连接到数据线；像素电极，设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极；绝缘岸，形成于源电极和漏电极上，绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口；和有机半导体，形成于第二开口中。

公开(公告)号：CN100593869C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200610099327.4

申请日：2006-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  吴俊鹤 ,  李容旭

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0533

Abstract: 本发明涉及一种显示装置，包括：绝缘基板；源电极和漏电极，在绝缘基板上，并被沟道区隔开；有机半导体层，在沟道区内以及在源电极的至少一部分和漏电极的至少一部分上形成；以及自组装单层，具有设置在有机半导体层和源电极之间的第一部分和设置在有机半导体层和漏电极之间的第二部分，以减小电极和有机半导体层之间的接触电阻。因此，本发明的实施例提供了包括性能增强的TFT的显示装置。

公开(公告)号：CN1982070A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610136252.2

申请日：2006-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容旭 ,  洪雯杓 ,  吴俊鹤

IPC: B41J3/407 ,  B41J2/01 ,  H01L51/40 ,  H01L21/00

CPC classification number: B41J11/002

Abstract: 根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统包括：在基板上淀积墨水的喷墨印刷室；以及与所述喷墨印刷室间隔预定间距的干燥室，其通过调节淀积在所述基板上的墨水的溶剂的蒸汽压力来干燥所述墨水。单独设置干燥室，并调节所述干燥室内的溶剂的蒸汽压力，从而调节墨水的干燥速度，以改善有机半导体的结晶度。

公开(公告)号：CN1917226A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610115554.1

申请日：2006-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  洪雯杓 ,  李容旭 ,  吴俊鹤 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口；栅极绝缘体，形成于第一开口中；源电极，设置于栅极绝缘体上且连接到数据线；像素电极，设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极；绝缘岸，形成于源电极和漏电极上，绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口；和有机半导体，形成于第二开口中。

公开(公告)号：CN1905232A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610103288.0

申请日：2006-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  金洙真 ,  金泳敏 ,  宋根圭 ,  李容旭 ,  洪雯杓 ,  崔泰荣 ,  吴俊鹤

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0533 ,  H01L51/107

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。

公开(公告)号：CN1841809A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200510121640.9

申请日：2005-12-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  财团法人索尔大学校产学协力财团

Inventor： 李容旭 ,  丁奎夏 ,  洪雯杓 ,  尹都宁 ,  洪钟仁 ,  金吉亚

IPC: H01L51/30 ,  H01L29/51 ,  H01L27/28 ,  H01L27/12 ,  H01B3/18 ,  C08L65/00 ,  C08L71/00 ,  C07H3/06

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08B37/0006 ,  H01L21/312 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/052

Abstract: 本发明公开一种绝缘膜，包含它的薄膜晶体管阵列面板及其制备方法。根据本发明实施方案的绝缘膜具有化学式1，式中R彼此相同或不同并具有化学式2，m是整数。