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公开(公告)号：CN108428795B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810126979.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。
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公开(公告)号：CN100552924C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610144800.6
申请日：2006-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L51/0005 , H01L51/0016 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及制造方法，其中薄膜晶体管的特性可以被提高。所述显示装置的制造方法包括：在绝缘衬底上形成包括栅电极的多条栅布线；形成电极层，该电极层包括彼此分开的源电极和漏电极以在夹置于它们之间的栅电极上界定沟道区；在电极层上形成具有第一开口的第一阻挡壁，第一开口用于暴露沟道区、源电极的一部分和漏电极的一部分，第一阻挡壁具有表面；形成屏蔽膜来覆盖第一开口内的沟道区；处理第一阻挡壁的所述表面；去除屏蔽膜；在第一开口内形成有机半导体层。
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公开(公告)号：CN1841758A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610058922.3
申请日：2006-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L51/0545 , H01L51/055
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：基板、设置于基板上的数据线、与数据线相交且包括栅电极的栅线、设置于栅线上且包括暴露数据线的接触孔的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上且通过接触孔电连接到数据线的第一电极、关于栅电极与第一电极相对设置的第二电极、设置于第一和第二电极上且接触第一和第二电极的有机半导体、和设置于有机半导体上的导电阻挡体。
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公开(公告)号：CN1761067A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510087567.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3272 , H01L27/3274 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0055 , H01L51/0068 , H01L51/0078 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管阵列板，其包括：一衬底；一形成在衬底上且包括一源极的数据线；一形成在衬底上且与所述数据线分隔开的漏极；一安置在所述源极和漏极上的有机半导体；一形成在所述有机半导体上的栅绝缘体；一安置在所述栅绝缘体上包括一栅极的栅线；一形成在所述栅线上且在所述漏极上具有一第一接触孔的钝化层；一通过所述第一接触孔连接到所述漏极的像素电极；和一安置在所述有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。
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公开(公告)号：CN1905233B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200610108116.2
申请日：2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；源极和漏极，它们形成在绝缘基板上并且彼此分离，并且在它们之间具有沟道区；壁，所述壁分别暴露至少部分源极和漏极，环绕沟道区和由含氟聚合物形成；和在壁内部形成的有机半导体层。因此本发明提供其中有机半导体层被平面化的TFT基板。此外，本发明还提供制备有机半导体层被平面化的TFT基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100495717C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510087567.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3272 , H01L27/3274 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0055 , H01L51/0068 , H01L51/0078 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管阵列板，其包括：一衬底；一形成在衬底上且包括一源极的数据线；一形成在衬底上且与所述数据线分隔开的漏极；一安置在所述源极和漏极上的有机半导体；一形成在所述有机半导体上的栅绝缘体；一安置在所述栅绝缘体上包括一栅极的栅线；一形成在所述栅线上且在所述漏极上具有一第一接触孔的钝化层；一通过所述第一接触孔连接到所述漏极的像素电极；和一安置在所述有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。
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公开(公告)号：CN101041720A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710086742.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08J5/18 , C08F2/44 , C08F4/04 , C08F4/32 , C08F20/14 , C08F12/08 , C08F12/36 , C08L79/00 , C08L79/02 , C08L65/00 , G02F1/1333 , C08L33/12 , C08L25/06
CPC classification number: H01B1/20 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G02F1/13439 , H01B1/124 , H01L27/3244 , H01L51/5206 , H01L2251/5369
Abstract: 一种制备导电透明材料的方法，包括：提供纳米颗粒，其包括具有导电聚合物的核和包围该核的至少一部分并且包含第一透明聚合物的壳；通过混合包括第二透明聚合物和纳米颗粒的基剂粉末而提供混合物；以及通过压制该混合物而形成导电网络，其中所述核彼此连通(接触)。因此，本发明提供了高度导电和透明的导电透明材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN101004528A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610152447.6
申请日：2006-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李容旭
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/13338
Abstract: 本发明提供了一种电泳显示器，其具有一对被微胶体层隔开的基板；以及多个像素，形成在至少一个基板上的行栅极线和列数据线的交叉处，其中，至少一个所述基板在被接触以改变在任意所述像素处的所述基板之间的间隔时足够柔软；多条感测信号线，与数据线平行而形成；以及感测信号处理单元，与感测信号线连接，用于感测在任意所述像素处的所述基板之间的电容的改变。
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公开(公告)号：CN1952766A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610141684.2
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2202/022 , G02F2202/10
Abstract: 本发明公开了一种平板显示器，其包括：多条栅极线；多条数据线，与该栅线绝缘，其中各自的数据线与各自的栅极线相交以界定像素；和多个TFT，包含有机半导体层，并且设置在该像素中，其中各个该多个TFT设置在沿该栅极线的方向上相邻于其他的该多个TFTs，其中在沿该栅极线的方向上的相邻TFT之间的距离大于在沿该栅极线的方向上的该像素的宽度。因此，本发明提供具有均匀TFT特性的平板显示器。
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公开(公告)号：CN1832191A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610006490.1
申请日：2006-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L51/05 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 根据本发明实施例的一种有机薄膜晶体管阵列板，包括：衬底；数据线，位于衬底之上；绝缘层，位于数据线之上，并且具有露出数据线的接触孔；第一电极，位于绝缘层之上，并且通过接触孔与数据线相连；第二电极，位于绝缘层之上；有机半导体，位于第一和第二电极之上；栅极绝缘体，位于有机半导体之上；以及栅极电极，位于栅极绝缘体之上。
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