公开(公告)号：CN115799297A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210498032.3

申请日：2022-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  金尚元 ,  金昌炫 ,  申建旭 ,  李昌锡

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种垂直沟道晶体管包括：第一源/漏电极；第二源/漏电极，在第一方向上与第一源/漏电极间隔开；第一沟道图案，在第一源/漏电极和第二源/漏电极之间；第一栅电极，在第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在第一沟道图案和第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在第一源/漏电极和第一沟道图案之间。

公开(公告)号：CN115196622A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210207355.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  卞卿溵 ,  赵连柱 ,  申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  申铉振 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  林炫锡

IPC: C01B32/186

Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。

公开(公告)号：CN112750834A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011177930.6

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡 ,  卞卿溵 ,  申铉石 ,  洪锡模

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。

公开(公告)号：CN110880447A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN110752204A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN108121153A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。