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公开(公告)号：CN101252169A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810009506.3
申请日：2008-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件在其存储节点中包括相变层，还包括：底部电极；安置在底部电极上、由相变材料制成的底部电极接触层；安置在底部电极接触层上、宽度小于底部电极接触层的第一相变层；安置在第一相变层上、宽度大于第一相变层的第二相变层；以及安置在第二相变层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN1996608A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610121663.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了一种相变材料、含有该相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的操作方法。所述相变存储器包括：开关元件；以及连接到所述开关元件的含有相变材料的存储节点。所述存储节点包括：第一电极；相变层；以及第二电极。所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。所述相变材料的相变温度和重置电流低于使用常规GST化合物时的相变温度和重置电流。
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公开(公告)号：CN116190376A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211103564.9
申请日：2022-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金基俊
IPC: H01L27/04
Abstract: 可提供一种集成电路装置，包括：基板，其包括字线沟槽以及与字线沟槽的内壁的第一侧壁部分相邻的第一凹陷；沟道区，其在内壁上并且在平行于基板的上表面的第一方向上延伸，该沟道区包括在基板的与内壁相邻的部分中的第一沟道区以及在内壁上并且包括第一导电类型的二维(2D)材料的第二沟道区；栅极绝缘层，其在第二沟道区上；字线，其在栅极绝缘层上并且在字线沟槽内部；以及源极区，其在第一凹陷中并且包括第一导电类型的2D材料。
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公开(公告)号：CN111615607B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880086927.8
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F24F1/0011 , F24F1/0018 , F24F1/0047 , F24F1/0063 , F24F13/14
Abstract: 公开了一种空调，其防止由将冷却空气或加热空气再次引入到热交换器中引起的冷却或加热性能的变差。该空调包括：壳体，包括具有多个孔的空气排出板以及出口；热交换器，位于壳体内；鼓风机，配置为朝向空气排出板或出口吹送与热交换器进行过热交换的空气；叶片，在引导位置和关闭位置之间旋转，该引导位置用于引导从鼓风机吹送并通过出口排出的空气的方向，该关闭位置用于关闭出口，其中叶片包括第一叶片和与第一叶片间隔开的第二叶片，并配置为在第一叶片位于关闭位置时朝向空气排出板引导从鼓风机吹送的空气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113261157A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980085642.7
申请日：2019-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于融合IoT技术和第五代(5G)通信系统的通信方案和系统，用于支持超越第四代(4G)系统的高数据传输速率。可以基于5G通信技术和IoT相关技术将本公开用于智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务)。提供了一种无线通信系统的天线模块。该天线模块包括天线和滤波器，天线被配置成基于从无线通信芯片供应的信号通过辐射表面辐射电波，滤波器被配置成传输从天线辐射的电波的一些频带，其中，滤波器被布置成与辐射表面间隔预设距离。
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公开(公告)号：CN108870536A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810471056.3
申请日：2017-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F24F13/14 , F24F1/0003 , F24F1/0011 , F24F1/0057 , F24F11/74 , F24F2013/205 , F24F1/0007 , F24F13/082 , F24F13/1413 , F24F13/15
Abstract: 空调包括排放叶片，所述排放叶片配置为在从鼓风机吹出并且向出口排放的空气的方向受控制的引导位置和出口关闭的关闭位置之间移动，其中，排放叶片包括多个叶片孔，在关闭位置处空气通过所述多个叶片孔经由排放叶片排放，排放叶片在引导位置和关闭位置之间移动并且控制从鼓风机到排放板或出口的气流。通过这种配置，可通过排放叶片的操作来控制排放到壳体外部的气流。
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公开(公告)号：CN108006932A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711006890.7
申请日：2017-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F24F13/10
CPC classification number: F24F13/14 , F24F1/0003 , F24F1/0011 , F24F11/74 , F24F2001/0048 , F24F2013/205
Abstract: 空调包括排放叶片，所述排放叶片配置为在从鼓风机吹出并且向出口排放的空气的方向受控制的引导位置和出口关闭的关闭位置之间移动，其中，排放叶片包括多个叶片孔，在关闭位置处空气通过所述多个叶片孔经由排放叶片排放，排放叶片在引导位置和关闭位置之间移动并且控制从鼓风机到排放板或出口的气流。通过这种配置，可通过排放叶片的操作来控制排放到壳体外部的气流。
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公开(公告)号：CN1996608B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610121663.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了一种相变材料、含有该相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的操作方法。所述相变存储器包括：开关元件；以及连接到所述开关元件的含有相变材料的存储节点。所述存储节点包括：第一电极；相变层；以及第二电极。所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。所述相变材料的相变温度和重置电流低于使用常规GST化合物时的相变温度和重置电流。
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公开(公告)号：CN101017878A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610159880.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/8615 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L29/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种含有带二极管功能的电阻元件的相变RAM(PRAM)及其制造和操作方法。该PRAM包括：衬底；在衬底上所形成的相变二极管层；以及在相变二极管层上所形成的上部电极。相变二极管层包括掺杂了第一杂质的材料层和堆叠在掺杂层上的相变层。相变层显示出掺杂了具有与第一杂质相反的导电类型的杂质的半导体材料的特性。
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