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公开(公告)号：CN105980788A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008185.3
申请日：2015-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种设置有利用摩擦部件能够平滑地移动的机门的空调机。所述空调机包括：主体，用于形成外观；排出口，配备于所述主体的下部而排出空气；机门，设置在所述主体的前面，以开闭所述排出口；驱动装置，包括可旋转地设置的小齿轮(pinion)、以及与所述小齿轮啮合而以与所述机门一起移动的方式设置的齿条(rack)；摩擦部件，在所述齿条进行移动时对所述齿条进行加压而使所述齿条和所述小齿轮维持预定间距。齿条和机门可以利用摩擦部件并借助于电机的力量而平滑地沿着曲线路径滑动。
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公开(公告)号：CN108870536B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201810471056.3
申请日：2017-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F24F1/0063 , F24F1/0018 , F24F13/14 , F24F13/08 , F24F13/15
Abstract: 空调包括排放叶片，所述排放叶片配置为在从鼓风机吹出并且向出口排放的空气的方向受控制的引导位置和出口关闭的关闭位置之间移动，其中，排放叶片包括多个叶片孔，在关闭位置处空气通过所述多个叶片孔经由排放叶片排放，排放叶片在引导位置和关闭位置之间移动并且控制从鼓风机到排放板或出口的气流。通过这种配置，可通过排放叶片的操作来控制排放到壳体外部的气流。
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公开(公告)号：CN114078975A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110934274.8
申请日：2021-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/788 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体器件和非易失性存储器件。半导体器件包括：衬底；元件隔离膜，在衬底中限定第一有源区；在第一有源区上的第一栅电极；第一源/漏区，在元件隔离膜和第一栅电极之间位于第一有源区内部；以及隔离接触部，在元件隔离膜中沿与衬底的上表面相交的竖直方向延伸。隔离接触部配置为被施加电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103033017A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210377525.8
申请日：2012-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F25D29/00 , F25B2600/0251 , F25D17/045 , F25D17/065 , F25D21/006 , F25D2317/061 , F25D2600/02 , F25D2700/12
Abstract: 本发明提供一种冰箱及其控制方法。所述冰箱包括：低温储藏室节气闸，用于控制向低温储藏室供应冷空气；高温储藏室节气闸，用于控制向高温储藏室供应热空气；控制器，当控制压缩机和风扇被驱动时，控制低温储藏室节气闸打开、高温储藏室节气闸关闭，使得低温储藏室的温度达到设定的低温；当低温储藏室的温度达到设定的低温时，控制压缩机和风扇的驱动停止、低温储藏室节气闸关闭；当停止供应冷空气时，控制除霜加热器和风扇被驱动、高温储藏室节气闸打开。
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公开(公告)号：CN1240121C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200310101393.7
申请日：2003-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/60
CPC classification number: H01L28/91 , H01L21/31116 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 根据本发明的一个实施例的半导体器件的制造方法包括：制备具有第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底；在衬底上形成第一绝缘膜；蚀刻第一绝缘膜形成接触和槽形位线图形，露出第一接触焊盘和第二接触焊盘；同时分别在接触和位线图形中形成接触栓塞和位线，接触栓塞和位线具有共平面的上表面；以及形成连接到第一接触焊盘的电容器的下电极。
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公开(公告)号：CN1497701A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101393.7
申请日：2003-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/60
CPC classification number: H01L28/91 , H01L21/31116 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 根据本发明的一个实施例的半导体器件的制造方法包括：制备具有第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底；在衬底上形成第一绝缘膜；蚀刻第一绝缘膜形成接触和槽形位线图形，露出第一接触焊盘和第二接触焊盘；同时分别在接触和位线图形中形成接触栓塞和位线，接触栓塞和位线具有共平面的上表面；以及形成连接到第一接触焊盘的电容器的下电极。
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公开(公告)号：CN119562518A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411198838.6
申请日：2024-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括单元结构和电连接到单元结构的外围电路结构。单元结构包括在垂直方向上堆叠并在垂直方向上彼此隔开的多个栅电极、在垂直方向上穿透所述多个栅电极的沟道结构、以及连接到沟道结构的位线。外围电路结构包括有源区、在有源区上的栅极结构、与有源区交叉的栅极结构、在栅极结构的至少一侧并在有源区中的源极/漏极区、覆盖栅极结构的绝缘间隔物、在绝缘间隔物的侧壁上并电连接到源极/漏极区的导电间隔物、以及电连接到导电间隔物的接触。绝缘间隔物的最顶部表面的至少一部分与导电间隔物的最顶部表面的至少一部分共面。
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公开(公告)号：CN115274390A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210291022.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。
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