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公开(公告)号：CN108630684B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201810243703.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：沟道图案，设置在基板上；一对源极/漏极图案，设置在每个沟道图案的第一侧和第二侧；以及栅电极，设置在沟道图案周围，其中栅电极包括相邻的沟道图案之间的第一凹陷的顶表面，其中沟道图案与基板间隔开，并且其中栅电极设置在基板和沟道图案之间。
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公开(公告)号：CN109509791B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810630928.6
申请日：2018-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高度集成的半导体器件。所述半导体器件包括衬底，所述衬底包括由所述衬底中的沟槽界定的器件区。所述半导体器件包括多个鳍形有源区，所述多个鳍形有源区在所述器件区中彼此间隔开且在第一方向上延伸。所述半导体器件包括突出图案，所述突出图案沿所述沟槽的底表面延伸。另外，所述突出图案与所述多个鳍形有源区之间的间隔大于所述多个鳍形有源区中两个相邻的鳍形有源区之间的间隔。
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公开(公告)号：CN110047803B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201811201559.5
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/308
Abstract: 本申请涉及一种制造半导体器件的方法和通过该方法制造的半导体器件，该方法包括：在衬底上形成硬掩模图案；形成围绕硬掩模图案的蚀刻停止图案；形成覆盖蚀刻停止图案的侧壁的间隔物图案；去除蚀刻停止图案；蚀刻衬底以形成有源鳍和虚设鳍；形成围绕有源鳍和虚设鳍的阻挡掩模图案层，并在阻挡掩模图案层的顶表面上形成掩模蚀刻图案；蚀刻阻挡掩模图案层以形成围绕有源鳍的阻挡掩模图案；蚀刻虚设鳍；去除围绕有源鳍的阻挡掩模图案；以及在衬底上沉积器件隔离膜，使得器件隔离膜不与有源鳍的上部接触，其中有源鳍与虚设鳍之间的间隔距离大于有源鳍之间的有源鳍间隔距离。
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公开(公告)号：CN116031209A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211311828.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底沿第一方向延伸并具有第一区域和第二区域的半导体结构；形成与半导体结构的第一区域相交并沿垂直于第一方向的第二方向延伸的牺牲栅图案；减小半导体结构的暴露于牺牲栅图案的至少一侧的第二区域在第二方向上的宽度；通过去除半导体结构的第二区域的一部分来形成至少一个凹陷部分；在牺牲栅图案的至少一侧在半导体结构的凹陷部分中形成一个或多个源/漏区；通过去除牺牲栅图案形成至少一个间隙区；以及通过在间隙区沉积栅介电层和栅电极来形成栅结构。
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公开(公告)号：CN115148817A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210245403.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，在第一方向上延伸并且在第二方向上分别具有第一宽度和第二宽度，第二宽度大于第一宽度；连接区，连接到第一有源区和第二有源区并且在所述第二方向上具有在第一宽度与第二宽度之间的第三宽度；第一栅结构和第二栅结构，分别与第一有源区和第二有源区交叉并且在第二方向上延伸；以及虚设结构，与连接区的至少一部分交叉，在所述第二方向上延伸，并且在第一方向上在第一栅结构与第二栅结构之间。虚设结构包括：第一图案部和第二图案部，在第一方向上与第一栅结构的侧表面分别间隔开第一距离和第二距离，第二距离大于所述第一距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948511A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110470776.X
申请日：2021-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/762
Abstract: 公开了半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括：衬底，包括彼此间隔开的第一区域和第二区域，其中器件隔离层介于所述第一区域和所述第二区域之间；第一栅电极和第二栅电极，分别位于第一区域和第二区域上；绝缘分离图案，将第一栅电极和第二栅电极彼此分离，并在横穿第一方向的第二方向上延伸；连接结构，将第一栅电极电连接到第二栅电极；以及第一信号线，电连接到连接结构。第一栅电极和第二栅电极在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此对准。第一信号线可以在第二方向上延伸并且可以与绝缘分离图案竖直地重叠。
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公开(公告)号：CN109585527A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811060645.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括：基底掩埋绝缘膜，其覆盖衬底上的鳍型有源区的下侧壁；隔离图案，其具有比基底掩埋绝缘膜的顶表面高的顶表面；以及栅极线，其覆盖鳍型有源区的沟道部分。栅极线具有上栅极和下栅极，上栅极覆盖沟道部分的上部，下栅极从上栅极朝向衬底突出并填充沟道部分的下侧壁与隔离图案的上侧壁之间的空间。
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公开(公告)号：CN109494221A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811052594.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1211 , H01L29/0642 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/0684 , H01L29/0692
Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其可包括第一有源鳍、第二有源鳍及栅极结构。所述第一有源鳍可在衬底上在第一方向上延伸，且可包括第一直线延伸部分、第二直线延伸部分及位于所述第一直线延伸部分与所述第二直线延伸部分之间的弯曲部分。所述第二有源鳍可在所述衬底上在所述第一方向上延伸。所述栅极结构可在所述衬底上在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。所述栅极结构可与所述第一有源鳍的所述第一直线延伸部分及所述第二直线延伸部分中的一者交叉，且可与所述第二有源鳍交叉。本公开的半导体装置具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN101582296B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910128693.1
申请日：2009-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C23/00 , H01L27/108
Abstract: 本发明公开了机电开关及其形成方法。本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当第二电极被赋予能量时，第一部分移动以连接到贮存节点。
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公开(公告)号：CN103378161A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310149427.3
申请日：2013-04-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/1033 , H01L29/78 , Y10S977/742
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的截面面积。
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