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公开(公告)号：CN102071242A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010547445.3
申请日：2010-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F16K99/003 , B01L3/502738 , B01L2300/0803 , B01L2300/087 , B01L2300/1861 , B01L2400/0409 , B01L2400/0677 , F16K99/0001 , F16K99/0032 , F16K99/004 , F16K2099/0084
Abstract: 本发明提供了一种微流器件、光照射装置、微流系统和驱动该系统的方法。该微流系统包括：微流器件，包括容纳流体样品的腔室、连接到腔室并且流体样品通过其流动的通道以及控制流体样品通过通道的流动的阀；照射装置，照射电磁能量；以及散射器，散射并分布从照射装置照射到微流器件的照射区的电磁能量。
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公开(公告)号：CN1779430A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510126814.0
申请日：2005-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C12N1/066 , B01F13/0059 , B01F13/0809
Abstract: 一种微流体器件，包括：至少一个入口，至少一个出口和一连接入口与出口的微通道。微流体器件包括两个或更多个电磁体，这些电磁体设置在微通道的侧壁上并相对于微通道延伸的方向以预定方向定位。
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公开(公告)号：CN1746659A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099239.X
申请日：2005-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N21/645 , G01J3/51 , G01N2021/6421 , G01N2021/6471
Abstract: 本发明提供了一种能够利用光学检测器以不同波长高速测量多通道试样的光学检测装置以及一种使用该光学检测装置的多通道试样分析器。该光学检测装置包括一光学检测器；一具有彼此连接成盘状的至少两个滤色镜的滤光轮；多个光学通道，多个光束通过该多个光学通道进入所述滤光轮；以及一反射镜单元，其包括多个反射镜，用于顺序地将透过该滤光轮的多个光束反射到所述光学检测器，其中所述反射镜单元与所述滤光轮一起旋转。
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公开(公告)号：CN1637407A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410078652.3
申请日：2004-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N21/645 , G01N2021/6482
Abstract: 本发明涉及一种超小型荧光检测仪，能够实时检测具有预定体积并位于一种微流体芯片上的微室中进行的反应。所述荧光检测仪用于实时检测微流体芯片中进行的PCR扩增，所述微流体芯片具有容积预定的微室；所述荧光检测仪包括产生激发光束的光源，能够将具有预定光点直径的激发光束照到所述微室的第一光学系统，第一检测仪，和第二光学系统，它将来自所述微室中具有预定光点直径的激发光束的荧光束反射到所述第一检测仪。相应地，所述荧光检测仪设计为使光源发射的光线聚焦在所述第一反光镜和物镜之间。因此，物镜传送的激发光束形成的光点直径较大，使得所述激发光束可照射在所述微流体芯片的整个微室上，由此在更大的面积内检测荧光束。
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公开(公告)号：CN119997599A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411601553.2
申请日：2024-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一沟道结构；在第一方向上通过第一沟道结构连接的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；在第一沟道结构上的第一栅极结构；第一接触结构，在第一源极/漏极区域上并且将第一源极/漏极区域连接到电压源；以及第二接触结构，在第二源极/漏极区域上并且将第二源极/漏极区域连接到不同于电压源的另一电路元件，其中第一接触结构与第一源极/漏极区域之间的第一接触面积大于第二接触结构与第二源极/漏极区域之间的第二接触面积。
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公开(公告)号：CN119730374A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411341534.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/85 , H10D84/03 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种集成电路器件。集成电路器件包括衬底和具有多个晶体管的单元。晶体管包括具有上部沟道区的上部晶体管。此外，晶体管包括在衬底与上部晶体管之间的下部晶体管。下部晶体管包括下部沟道区。集成电路器件包括电力线，电力线在衬底下方在第一水平方向上纵向延伸，并且限定在第一水平方向上纵向延伸的单元的单元边界。集成电路器件包括单元边界信号金属图案，该单元边界信号金属图案在单元上并且在单元边界上方在第一水平方向上纵向延伸并且连接到多个晶体管中的至少两个晶体管。还提供了形成集成电路器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN119521763A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411098192.4
申请日：2024-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件包括在基板上的弱化晶体管堆叠，其中弱化晶体管堆叠包括：上晶体管，包括在垂直方向上堆叠的多个上沟道区和接触所述多个上沟道区中的至少一个的上源极/漏极区；下晶体管，在基板和上晶体管之间并包括在垂直方向上堆叠的多个下沟道区和接触所述多个下沟道区中的至少一个的下源极/漏极区；以及源极/漏极隔离层，将上源极/漏极区与下源极/漏极区分隔开，其中源极/漏极隔离层接触所述多个上沟道区中的最下面的一个和/或所述多个下沟道区中的最上面的一个。
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公开(公告)号：CN119342898A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410911855.3
申请日：2024-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了集成电路装置和形成其的方法。所述集成电路装置可包括：上晶体管，包括基底上的上沟道区域；下晶体管，在基底与上晶体管之间，下晶体管包括下沟道区域；以及电源线，在第一水平方向上纵向延伸。上沟道区域和下沟道区域中的至少一个可在横穿第一水平方向的第二水平方向上纵向延伸，并且上沟道区域和下沟道区域中的所述至少一个可在厚度方向上与电源线叠置。
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