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公开(公告)号：CN100521275C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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公开(公告)号：CN101025969A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610160367.5
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , G01Q80/00 , G11B9/1409 , G11B11/007 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种使用半导体探针再现信息的方法和设备。该设备包括：存储介质，包括铁电记录层，其中通过排列极化畴的极化方向来存储信息，和形成于铁电记录层上的物理记录层，通过形成凹点来在其上写入信息；产生复合信号的半导体探针，复合信号包括由存储介质的铁电记录层的电场变化产生的电场信号和由于物理记录层的形状变化引起的温度变化产生的热信号；信号探测器，探测由半导体探针产生的复合信号；解调器，解调由信号探测器探测的复合信号且从复合信息提取电场信号和热信号。通过调制将由场变化产生的信号和由热变化产生的信号彼此分离且探测了有效的信息信号，从而改善了信噪比，即使在存在热噪声的情况下也可以稳定地再现信息信号。
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公开(公告)号：CN1996470A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610121482.1
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1436 , B82Y10/00 , H02K41/0354 , H02K2201/18 , Y10S977/947
Abstract: 本发明公开了一种具有分离的平台的微致动器以及一种采用该微致动器的数据存储设备。所述微致动器包括：支承单元；由所述支承单元弹性支承的多个平台，各个平台具有目标驱动体安装于其上的安装表面，并且各个平台布置得相互相邻；布置在多个平台之间的多个控制杆，各个控制杆具有分别连接相邻平台的两端，并且控制杆对相邻平台施加力，从而当平台之一运动时，相邻的平台在所述平台的运动方向的相反方向上运动；和分别对所述平台提供驱动力的驱动单元。
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公开(公告)号：CN1770456A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510092119.7
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22
Abstract: 提供了一种具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法。所述电阻式存储装置包括：存储部分，其具有依次形成在第一衬底上的底电极和铁电层；探针部分，其具有设置在第二衬底上的电阻式探针的阵列，所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层使得所述电阻式探针能够在所述铁电层上写和读数据；以及粘合层，其将所述电阻式探针抓住并固定在所述铁电层上或所述铁电层上方。该电阻式存储装置的制造方法包括：在第一衬底上依次形成底电极和铁电层；在第二衬底上形成用于写和读数据的电阻式探针的阵列；以及使用粘合层将所述第一衬底晶片级结合到所述第二衬底上使得所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层的表面。
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公开(公告)号：CN1213306C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03138453.6
申请日：2003-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R21/00
CPC classification number: G01R21/00 , G01R1/06772
Abstract: 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如，硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116582736A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310130155.6
申请日：2023-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了图像处理装置和使用图像处理装置的图像处理方法。所述图像处理装置包括：图像传感器，包括单元组，单元组包括各自包括像素和滤色器的参考组和转换组，并且图像传感器被配置为使用像素生成图像数据；以及图像信号处理器，被配置为计算图像数据的散列，并且选择与所述散列对应的滤波器来执行滤波，其中，图像信号处理器包括：像素索引转换器，被配置为基于所述像素之间的位置关系来转换所述像素的索引，像素特性转换器，被配置为转换所述像素的特性并且在所述转换之前转换散列，以及滤波器系数转换器，被配置为基于相应的转换后的像素索引和相应的转换后的像素特性来转换所述像素的滤波器系数。
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公开(公告)号：CN111757030A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010098650.X
申请日：2020-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 针对执行菱形分选以处理图像数据的四单元图像传感器描述了系统和方法。图像传感器包括像素阵列和转换电路，其中像素阵列包括在行方向和列方向上排列的像素集，输出从像素集的第一像素集生成的第一信号，并且输出从像素集的第二像素集生成的第二信号。转换电路基于第一信号和第二信号执行分选，以生成第一分选信号。第一像素集和第二像素集中的每一个包括彼此相邻的像素传感器，并且第一像素集和第二像素集位于不同的行和不同的列。
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公开(公告)号：CN105991946B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201610149204.0
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/3745
Abstract: 本发明提供一种图像信号处理器和包括该图像信号处理器的装置。一种图像信号处理器包括：内存，被配置为存储表，该表包括多个点扩散函数(PSF)；PSF选择电路，被配置为基于选择信息输出存储在该表中的所述多个PSF中的至少一个PSF；差异提取器，被配置为从与从图像传感器中所包括的多个像素中的至少一个像素输出的像素信号对应的图像数据提取差异值；和处理电路，被配置为产生所述至少一个像素的像素位置信息。所述多个像素中的每个像素包括多个光电转换元件。选择信息包括差异值和像素位置信息。
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公开(公告)号：CN102760458A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210194943.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
Abstract: 本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
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公开(公告)号：CN102694998A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210080668.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01S17/89 , G01B11/22 , G01S7/4816 , G01S7/4914 , G01S7/4915 , G01S7/497 , H04N13/207 , H04N13/271
Abstract: 本发明提供了一种深度传感器、深度信息误差补偿方法及信号处理系统。根据至少一个示例性实施例，深度信息误差补偿方法包括：将调制的光输出到目标对象；在第一时间间隔中的不同检测时间点对多个第一像素信号进行检测，所述第一像素信号表示在第一时间间隔期间从目标对象反射的光；在第二时间间隔的不同检测时间点对多个第二像素信号进行检测，所述第二像素信号表示在第二时间间隔期间从目标对象反射的光；将所述多个第一像素信号的每个第一像素信号和所述多个第二像素信号的每个第二像素信号进行比较并根据所述比较步骤计算到目标对象的深度信息。
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