公开(公告)号：CN108780755A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680082388.1

申请日：2016-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 平野梨伊 ,  井上和式

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/134309 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 关于沟道区域由氧化物半导体构成的TFT，抑制在源电极以及漏电极的附近光激励的空穴所引起的阈值电压偏移，提高可靠性。在氧化物半导体层(130)与栅极绝缘膜(120)之间，部分性地设置下层半导体层(140)。下层半导体层(140)存在于氧化物半导体层(130)与源电极(151)重叠的源极重叠区域(171)、和氧化物半导体层(130)与漏电极(152)重叠的漏极重叠区域(172)中的至少一方。相对于此，在源极重叠区域(171)与漏极重叠区域(172)之间，设置有不存在下层半导体层(140)的区域。

公开(公告)号：CN108027541A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052503.0

申请日：2016-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  今村谦 ,  津村直树 ,  小田耕治

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G09F9/30 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。

公开(公告)号：CN106873271A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611141420.7

申请日：2016-12-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩坂利彦 ,  山县有辅 ,  井上和式

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136263

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使在进行配线的断线的连接修复时发生的导通不良减少的显示装置用基板的制造方法以及显示装置的制造方法。本发明所涉及的显示装置用基板及显示装置具有：绝缘性的基板；绝缘膜，其形成在基板之上，以氧化硅或者氧化金属为主要成分；无机膜，其与绝缘膜直接接触地形成，具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部；以及配线膜，其与绝缘体部直接接触地形成。

公开(公告)号：CN101388371B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200810173789.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  津村直树 ,  中畑匠 ,  河濑和雅

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。

公开(公告)号：CN100464210C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200610153180.2

申请日：2006-12-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古藤直树 ,  井上和式

IPC: G02F1/13 ,  G01J3/50 ,  G02F1/1333

Abstract: 得到能够高效测定基板面内的反射特性和散射特性的反射率测定装置。本发明的一个方式所涉及的反射率测定装置(100)，包括：对作为被测定物的基板(101)进行载置的载物台(102)；对载置于载物台(102)的基板(101)照射照明光的第一照明光源(103)和第二照明光源(105)；和具备受光元件的第一检测器(104)和第二检测器(106)，所述受光元件接收从该第一照明光源(103)和第二照明光源(105)照射的照明光中被基板(101)反射的反射光；第一照明光源(103)以任意的角度对基板(101)照射光，第二照明光源(105)以环状对基板(101)照射光。

公开(公告)号：CN100451793C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610139957.X

申请日：2006-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  村上春美 ,  荒木利夫 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/121 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止由于层间绝缘膜的针孔或缺陷而引起的电极间的短路不良、并具有高可靠性的液晶显示装置。本发明的一个实施形态的液晶显示装置具有TFT阵列基板(101)、对置配置在TFT阵列基板(101)上的滤色器基板(102)、和粘合两基板的密封图形(40)，滤色器基板(102)具有对置电极(42)，TFT阵列基板(101)具有栅极布线(4)、在栅极布线(4)上形成的栅极绝缘膜(6)、通过栅极布线(4)和栅极绝缘膜(6)交叉配置的源极布线(11)、在源极布线(11)上形成为两层的层间绝缘膜(14、18)、和在密封图形(40)的下面设置的、通过该密封图形(40)与对置电极(42)导通的共同电极布线(37)，密封图形(40)通过层间绝缘膜(14、18)和源极布线(11)重叠。

公开(公告)号：CN101097948A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710127331.1

申请日：2007-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  竹口彻 ,  河濑和雅

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01B1/00 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01J29/28 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种能够使由Al或者Al合金膜形成的电极或布线与透明电极层直接接触、且可靠性、生产率优越的半导体器件。本发明的透明导电膜是实质上由In2O3、SnO2以及ZnO构成的透明导电膜，摩尔比In/(In+Sn+Zn)为0.65～0.8，且摩尔比Sn/Zn为1以下。该透明导电膜具有与由Al或者Al合金膜形成的电极或布线良好的接触特性。另外，具有该透明导电膜和由Al或者Al合金膜形成的电极或布线的半导体器件可靠性、生产率优越。

公开(公告)号：CN1323319C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的薄膜晶体管阵列衬底的液晶显示装置用薄膜晶体管阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成薄膜晶体管的工序。

公开(公告)号：CN1940688A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139957.X

申请日：2006-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  村上春美 ,  荒木利夫 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/121 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止由于层间绝缘膜的针孔或缺陷而引起的电极间的短路不良、并具有高可靠性的液晶显示装置。本发明的一个实施形态的液晶显示装置具有TFT阵列基板(101)、对置配置在TFT阵列基板(101)上的滤色器基板(102)、和粘合两基板的密封图形(40)，滤色器基板(102)具有对置电极(42)，TFT阵列基板(101)具有栅极布线(4)、在栅极布线(4)上形成的栅极绝缘膜(6)、通过栅极布线(4)和栅极绝缘膜(6)交叉配置的源极布线(11)、在源极布线(11)上形成为两层的层间绝缘膜(14、18)、和在密封图形(40)的下面设置的、通过该密封图形(40)与对置电极(42)导通的共同电极布线(37)，密封图形(40)通过层间绝缘膜(14、18)和源极布线(11)重叠。