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公开(公告)号：CN101266859A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810032408.1
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01F1/10 , H01F1/113 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子烧结设备(SPS)低温快速烧结微晶铁氧体磁芯器件的方法，属磁性铁氧体器件制备工艺技术领域。本发明方法采用硝酸盐－柠檬酸溶胶凝胶法制得锰锌铁氧体磁性粉体；其晶粒尺寸为20～60nm；所用硝酸盐以其金属氧化物的摩尔百分比来表示，它们为：Fe2O352～55mol％，MnO 34～40mol％，ZnO 6～11％；柠檬酸与硝酸盐总量的摩尔比为1∶1。将上述粉体再经900～1350℃烧结，抽真空保温1～5小时，之后随炉降温冷却，得到微米颗粒的粉体；然后进行PVA上胶、搅拌、造粒、压制，成型为坯件；然后将一定形状的坯件放在等离子烧结设备内进行真空加压烧结；最终制得一定形状的微晶锰锌铁氧体磁芯器件。经测试，该器件具有磁导率为104、截止频率为12MHz，属高频铁氧体软磁材料。
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公开(公告)号：CN1794386A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510110175.9
申请日：2005-11-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01F41/02 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高损耗复合结构磁性材料的制备方法，属磁性材料制备技术领域。本发明采用硝酸盐溶－凝胶法制作材料粉体前驱，随后用自燃法制作纳米晶铁氧体粉体或纳米晶粉体；取部分上述纳米晶铁氧体粉体或纳米晶粉体放入烧结炉中，并在1000～1400℃温度下烧结1～2小时；然后随炉冷却，得微米尺寸的微米铁氧体粉体；将上述制得的纳米晶铁氧体(或纳米晶粉体)和微米铁氧体粉体按一定比例混合，经研磨、造粒，压制成型，然后放入烧结炉内，在900～1300℃温度下烧结1～2小时，然后随炉冷却，即可制得高损耗复合结构磁性材料。
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公开(公告)号：CN1242433C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN03116544.3
申请日：2003-04-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种复合纳米晶磁记录材料的制备方法，其特征在于采用机械合金化方法，在常温常压下通过一定工艺过程，将原始材料纯铁粉和纯碳粉合成Fe-C化合物，然后将纳米晶Fe-C与纳米晶软磁粉末化合成双相复合纳米晶磁记录材料。本发明方法制得的磁性材料具有优良的磁性，可成为优于γ-Fe2O3的磁记录介质，也可以作为粘结磁体用的磁性粉末。本发明方法不需要具备高温高压和特殊气氛等苛刻条件，其工艺简单，可降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1486958A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03116206.1
申请日：2003-04-01
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/624 , H01F1/10
Abstract: 本发明涉及一种掺杂铁氧体磁性材料的制备方法，属磁性材料制备技术领域。本发明方法采用下述技术方案：首先在酸性条件下，将金属硝酸盐溶液与柠檬酸溶液混合，然后按需要加入要掺杂的金属硝酸盐溶液，再调节溶液pH值，经液相反应生成一种湿凝胶溶液，将此湿凝胶溶液在电炉上蒸去多余水分后，形成凝胶，将形成的凝胶在一定温度下预烧，就可得到掺杂的纳米晶铁氧体粉体。再将上述掺杂铁氧体粉体压制所需的形状后，进行烧结，即可值得掺杂铁氧体磁性材料。本发明方法的掺杂过程在化学计量的溶胶阶段进行的，因此制得的掺杂铁氧体磁性材料分散均匀。同时由于省略了二个球磨过程，缩短生产周期，降低能耗，有利于工业化生产，并使该工艺配方化学计量精确，控制容易，重复性好，移植性好。
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公开(公告)号：CN115846652B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202211650238.X
申请日：2022-12-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种磁性合金/氧化铝复合热喷涂粉末以及其制备方法和应用，本发明所述磁性合金/氧化铝复合热喷涂粉末的制备方法包括如下步骤：S1、SiO2壳层包覆；S2、ZrO2壳层包覆；S3、复合粉末制备。本发明通过采用低介电特性的陶瓷相材料包覆来调控磁性合金的电磁参数，从而改善磁性合金的阻抗匹配特性；通过多次包覆来调控包覆层的厚度降低磁性合金的沉降速率，从而使复合粉末的磁—介电组分分布均匀；通过多次包覆来调控包覆层的致密度，从而提高磁性合金的抗氧化性；通过采用不同陶瓷相材料引入多界面，从而降低磁性合金粉末的红外发射率；以及通过调控造粒过程中的浆料配比，从而改善对应复合粉末和高温吸波涂层的性能，解决了商业化铁硅铝(FSA)雾化成型后介电特性较高，阻抗匹配特性差，在造粒时密度大易沉降导致造粒成分不均匀，以及在热喷涂过程中易氧化，涂层红外发射率高等问题。同时，本发明所述制备方法工艺操作简单，易于进行大批量生产。
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公开(公告)号：CN117505847A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311441300.9
申请日：2023-11-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种钴基哈斯勒合金材料及其制备方法和应用，其制备方法包括以下步骤：(1)按2：(1～1.75)：(0.25～1)摩尔比例称量钴单质粉末、铁单质粉末和锗单质粉末，混合后放置于碳化钨研磨罐中，加入无水乙醇，加入研磨球，球磨处理；(2)将球磨粉末烘干过筛，取筛下磁性合金粉料封入真空石英管，使用马弗炉进行热处理，随炉冷却至室温获得钴铁锗哈斯勒合金。本发明采用球磨方法，可以有效改变合金粉末的表面形貌，使其形成比表面积更大的片状粉末，从而改善磁性合金的电磁吸收性能；通过哈斯勒合金组分元素的选择和比例变化可以有效的增加磁性合金的饱和磁化强度，增加其居里温度，提高磁性合金在高温下的电磁波吸收性能。
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公开(公告)号：CN116535709A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310623948.1
申请日：2023-05-30
Abstract: 本发明提供一种多功能介电弹性体的制备方法及介电弹性体薄膜。该方法包括：步骤1：配制碳点CDs溶液；步骤2：在碳点CDs溶液中加入二氧化硅颗粒，获得CDs‑二氧化硅悬浮液并混和均匀；步骤3：提供PDMS，将CDs‑二氧化硅悬浮液加入PDMS中混和均匀得到前驱体，将前驱体加入模具中加热固化，得到具有荧光发射性能的CDs‑PDMS复合薄膜。本发明通过将碳点颗粒填充进介电弹性体基体中，并实现碳点在基体中的均匀分散，碳点作为纳米导电颗粒，其填充可以提升介电弹性体的介电常数。同时，分散均匀的碳点具备紫外激发后的荧光发射性能，因此，通过碳点的填充可以同时达到提升介电弹性体介电性能和赋予其荧光发射性能，制备出多功能介电弹性体。
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公开(公告)号：CN116496526A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310623533.4
申请日：2023-05-30
Abstract: 本发明提供一种复合介电弹性体薄膜的制备方法及介电弹性体薄膜致动器。该制备方法包括：步骤1：将BTRU@CDs巨电流变颗粒与电流变液分散相预混合得到悬浮液；步骤2：将硅橡胶与悬浮液混和均匀得到复合介电弹性体预聚物，其中硅橡胶与所述悬浮液的质量比为15:1至1:1，BTRU@CDs巨电流变颗粒占复合介电弹性体预聚物的质量比为5‑40％；步骤3：对复合介电弹性体预聚物进行制膜得到复合介电弹性体薄膜。根据本发明的复合介电弹性体薄膜的制备方法制备的复合介电弹性体薄膜，相对于传统的橡胶弹性体具有更优的致动性能，更优的机械性能及循环稳定性。解决了现有的介电弹性体材料面临驱动电压高、预拉伸比例大、致动应变有限、耐疲劳性能差及易击穿等问题。
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公开(公告)号：CN115044981A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210677496.0
申请日：2022-06-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用，反铁磁单晶材料的分子式为Mn3‑xCrxSn，其中0≤x≤0.42，将锰，锡和铬粉末以一定的化学比例混合，置于密封的石英管中，低熔点的Sn作自助熔剂，溶解Mn和Cr，设定高温烧结炉程序，进行缓慢降温淬火获得单晶。本发明通过改变Cr的掺杂含量来调控并获得大的交换偏置效应，制备工艺简单，成本低，能源消耗少，当x＝0.42时，在温度为2～200K都存在交换偏置效应。该晶体可以被应用到需要通过温度而调节交换偏置场的应用环境中，如信息存储，磁场探测，磁记录介质和磁指纹识别等领域。同时，在2～50K范围内也具有垂直偏移量，垂直偏移量的存在不但丰富了传感器的设计方式，而且表现出比平行方向更大的偏移量，为实际应用提供新的更好的选择。
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公开(公告)号：CN110607498B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910905251.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统，用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中，掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题；包括：载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球；实施本发明的技术方案，利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽，结合氮化硅定位球，实现掩膜与基片的高精度距离控制，从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围，膜阴影范围小；设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构，系统可提供多种沉积方案，实现沉积膜组分的精准控制，提高系统的生产效率；设置多个第二凹槽，掩膜可以适用多种类型基片，降低系统成本。
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