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公开(公告)号：CN113235165B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110451177.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种Fe1‑xTMxS单晶材料的制备方法，其中TM为过渡金属，包括钴、镍、铜元素中的一种，x为TM的化学计量数，范围为0.01≤x≤0.5。步骤包括：步骤a制备Fe1.6‑xTMxS2多晶；步骤b制备K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶；步骤c配置硫脲和氢氧化钠的水溶液；步骤d在步骤c的溶液中加入铁粉、TM粉末和K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶得到混合溶液；步骤e将混合溶液保温反应；步骤f使用水和乙醇清洗反应后的溶液得到四方结构的Fe1‑xTMxS单晶。该方法成功在四方结构FeS单晶中掺入了过渡金属元素，以Fe1.6‑xTMxS2多晶作为前驱体，准确控制过渡金属元素的含量，减弱了K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶生长过程中钾单质和硫元素之间的反应，成本低、工艺简单、原料无毒，制备出的单晶质量高、尺寸大，对Fe1‑xTMxS材料体系物性研究及磁性器件的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113984813A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111134382.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20025
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜晶体结构表征装置及方法，包括电子枪发射机构、面探测器、低温控制系统、样品台控制装置、样品台、真空系统；利用易聚焦的电子束作为探测源，通过聚焦元件的汇聚作用，可将电子束束斑直径缩小至微米量级，从而提高样品表面的空间分辨率；通过对电子束的偏转作用可以改变电子束的入射角，从而可以根据实际实验需求改变样品表面的空间分辨率；通过样品台移动机构可以实现样品台沿平面内的高精度可控移动，并通过逐一扫描各个样品完成高通量薄膜中所有样品的晶体结构表征，可以用于高通量薄膜晶体结构表征。
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公开(公告)号：CN113533397A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110744044.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20033
Abstract: 本发明提供了一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法。包括低温控制系统、RHEED系统、衬底台、衬底台升降器、中空Z轴驱动器、真空系统。通过调节衬底台与换热装置的相对距离在低温和高温两种工作模式间进行切换。低温工作模式：衬底台背面和换热装置底端完全接触，适于二维材料的低温晶体结构测试和低熔点金属薄膜制备；高温工作模式：换热装置远离衬底台，高真空环境保证了极小的气体对流漏热。本发明在RHEED系统中集成低温控制系统，为二维材料的晶体结构测试提供了低温环境。其中，本发明的有益效果是：结构简单，操作方便，适合原位二维材料的低温晶体结构分析且不破坏样品结构。
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公开(公告)号：CN103993348B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410193630.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法，通过光学浮区生长法进行第一次晶体生长，得到有1个方向的单晶，然后单晶作为籽晶棒进行循环生长，得到有3个方向的单晶。本发明还公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法的用途，用于制备稀土正铁氧体单晶材料。本发明结合稀土材料本身的特点，使用光学浮区法，通过控制单晶生长速度、料棒旋转速度和气氛的流量等工艺参数得到稳定的熔体，采用单晶作为下棒，从而循环生长有明确a,b,c三个晶体方向的稀土正铁氧体RFeO3功能单晶晶体，整个制备过程，无腐蚀、无污染、晶体完整性好、晶体质量高、晶体生长效率高、可重复性好。
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公开(公告)号：CN113235165A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110451177.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种新型Fe1‑xTMxS单晶材料的制备方法，其中TM为过渡金属，包括钴、镍、铜元素中的一种，x为TM的化学计量数，范围为0.01≤x≤0.5。步骤包括：步骤a制备Fe1.6‑xTMxS2多晶；步骤b制备K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶；步骤c配置硫脲和氢氧化钠的水溶液；步骤d在步骤c的溶液中加入铁粉、TM粉末和K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶得到混合溶液；步骤e将混合溶液保温反应；步骤f使用水和乙醇清洗反应后的溶液得到四方结构的Fe1‑xTMxS单晶。该方法成功在四方结构FeS单晶中掺入了过渡金属元素，以Fe1.6‑xTMxS2多晶作为前驱体，准确控制过渡金属元素的含量，减弱了K0.8Fe1.6‑xTMxS2单晶生长过程中钾单质和硫元素之间的反应，成本低、工艺简单、原料无毒，制备出的单晶质量高、尺寸大，对Fe1‑xTMxS材料体系物性研究及磁性器件的应用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110607498A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910905251.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统，用于解决现有技术中高通量薄膜制备系统中，掩膜与基片距离大、距离控制精度低、掩膜不可重复利用、生产效率低下、沉积膜组分不可控、膜阴影范围大的技术问题；包括：载体、基片、载体驱动装置、掩膜和定位球；实施本发明的技术方案，利用硅的各向异性加工出第一凹槽、第二凹槽，结合氮化硅定位球，实现掩膜与基片的高精度距离控制，从而将基片与掩膜的距离控制在较低范围，膜阴影范围小；设置可旋转的掩膜台以及掩膜旋转机构，系统可提供多种沉积方案，实现沉积膜组分的精准控制，提高系统的生产效率；设置多个第二凹槽，掩膜可以适用多种类型基片，降低系统成本。
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公开(公告)号：CN105624774A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610136787.3
申请日：2016-03-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光学浮区法生长具有连续变化组分的无机材料单晶体的方法，属晶体生长领域。本发明的制备过程为：以高纯的原料按摩尔比处理反应制备多晶非连续组分原料系列。根据所期望的组分变化范围得到的原料按照有限非连续组分变化顺次排列压制料棒并烧结，再置于浮区炉中生长。该方法的特点是上下棒对接时组分相同，在生长过程中顺次渐变，有利于晶体沿失配最小的方向依次生长，生长过程中注意参数的调节，在成分变化处基于上下棒组分的渐变连续混合并由于相对旋转的搅拌作用使得熔区成分连续变化。该方法制备的晶体经检验性能良好，成分易于调控。制得的连续组分单晶将为高通量的材料表征分析和择优选取提供一种可能。
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公开(公告)号：CN105332055A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510851586.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂铽铁氧化物的磁性温敏材料及其单晶和多晶的制备方法，由Tb4O7、MnO2和Fe2O3粉末以固相反应法合成TbFe1-xMnxO3多晶材料，再由多晶材料用光学浮区炉法生长成单晶材料。本发明磁性温敏材料无须外加磁场辅助，磁转变温度敏感度高，磁转变临界温度可调节且可达到室温的材料，应用于磁温敏器件。本发明磁性温敏材料可通过改变配比获得磁转变临界温度范围在-264.65℃到25.85℃的不同材料，这种相变使得磁转变速度比传统的居里温度附近发生磁转变迅速得多，且在临界温度以上具有自发磁化，因此转变前后无需外加磁场诱导，本发明材料优于传统的依赖于居里温度附近磁转变的磁敏温度器件材料。
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公开(公告)号：CN103993348A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193630.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法，通过光学浮区生长法进行第一次晶体生长，得到有1个方向的单晶，然后单晶作为籽晶棒进行循环生长，得到有3个方向的单晶。本发明还公开了一种稀土正铁氧体单晶的生长方法的用途，用于制备稀土正铁氧体单晶材料。本发明结合稀土材料本身的特点，使用光学浮区法，通过控制单晶生长速度、料棒旋转速度和气氛的流量等工艺参数得到稳定的熔体，采用单晶作为下棒，从而循环生长有明确a,b,c三个晶体方向的稀土正铁氧体RFeO3功能单晶晶体，整个制备过程，无腐蚀、无污染、晶体完整性好、晶体质量高、晶体生长效率高、可重复性好。
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公开(公告)号：CN101481243B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910046494.6
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01F1/10
Abstract: 本发明是一种纳米晶MnZn铁氧体颗粒直接制备高频低功耗材料的制备方法，属于铁氧体磁性材料制备技术领域。操作步骤如下：第一步，纳米晶MnZn粉体制备；第二步，压制成环形素坯；第三步，烧结成产品。把第二步压制的素坯放入真空炉中，在保温和降温的过程中采用平衡氧分压保护，最后自然冷却至室温，便可得到高频低功耗MnZn铁氧体。制备关键在于升温过程的快升温与慢升温的结合，有利于气孔的排除和致密化，并且在慢升温和保温过程中使晶粒大小均匀。本工艺利用溶胶凝胶自燃法制备纳米晶MnZn粉体直接烧结，无需预烧再球磨工艺，周期短，工艺相对简单，从而能降低能耗节约劳动成本。并且溶胶凝胶法制备纳米晶MnZn粉体颗粒均匀、活性大、成分均匀不偏析，成品率高。
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