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公开(公告)号：JPWO2018155504A1
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018006280
申请日：2018-02-21
Applicant: 住友電気工業株式会社
IPC: G01R33/032 , G01R33/02
Abstract: 少なくとも一つのNV − センターを有するダイヤモンドと、前記ダイヤモンドにマイクロ波を照射するマイクロ波発生器と、前記ダイヤモンドのNV − センターに励起光を照射する励起光発生器と、前記ダイヤモンドのNV − センターから生じる蛍光を受光する蛍光検知器とを備えるダイヤモンド磁気センサーであって、前記蛍光検知器が検知する蛍光強度の変化から磁場強度の時間変化パターンを測定するパターン測定装置を備えたダイヤモンド磁気センサー。
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公开(公告)号：JP2019006629A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017123364
申请日：2017-06-23
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
IPC: C30B25/02 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
Abstract: 【課題】種基板の取り扱いが容易であり、生産性が高い単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。 【解決手段】単結晶ダイヤモンドの製造方法は、単結晶ダイヤモンドの種基板の主面上に、炭素が固溶可能な金属膜を線状に形成する工程と、水素原子および酸素原子の少なくとも一方を含む分子のガス中で種基板を熱処理することにより、金属膜によって種基板を侵食させて、主面に溝を形成する工程と、溝を形成した後に、主面において金属膜が形成されていない領域の上に、化学気相成長法により単結晶ダイヤモンド層を形成する工程とを備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6360041B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2015511223
申请日：2014-04-02
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/105
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公开(公告)号：JP6359805B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2013095373
申请日：2013-04-30
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
IPC: C30B29/04
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公开(公告)号：JP6118954B1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2016575598
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , B21C3/025 , B23B51/00 , C23C16/27 , C23C16/274 , C30B25/105 , C30B25/20 , C30B9/00
Abstract: 単結晶ダイヤモンド材は、非置換型窒素原子の濃度が200ppm以下であり、非置換型窒素原子の濃度より置換型窒素原子の濃度が低く、かつ、結晶成長主面のオフ角が20°以下である。単結晶ダイヤモンドチップは、非置換型窒素原子の濃度が200ppm以下であり、非置換型窒素原子の濃度より置換型窒素原子の濃度が低く、かつ、単結晶ダイヤモンドチップの主面のオフ角が20°以下である。穿孔工具は、単結晶ダイヤモンドダイスにおける非置換型窒素原子の濃度が200ppm以下であり、非置換型窒素原子の濃度より置換型窒素原子の濃度が低く、かつ、伸線用の孔の方位に対する単結晶ダイスのミラー指数が−5以上5以下の整数で表示される低指数面の垂線のオフ角が20°以下である単結晶ダイヤモンドダイスを含む。
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Patent Agency Ranking36.发明专利
公开(公告)号：JP2016026995A
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：JP2015180431
申请日：2015-09-14
Applicant: 住友電気工業株式会社
Abstract: 【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。 【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有导电层的单晶金刚石，其可以用作具有寿命检测机构和接触检测机构的工具的刀刃，以及使用单晶金刚石的工具。解决方案：在 具有导电层的单晶金刚石，至少一个层状导电层基本上平行于主平面形成，导电层形成在具有绝缘性能的单晶金刚石内，并且导电层穿透到单晶的侧表面 钻石。 使用具有导电层的单晶金刚石的工具包括单晶金刚石和支撑它的支撑体。 单晶金刚石和支撑体通过导电接合材料相互连接。 形成在单晶金刚石内的导电层和支撑体通过与它们接触的接合材料彼此电连接。图1
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公开(公告)号：JP2021006501A
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：JP2020144805
申请日：2020-08-28
Applicant: 住友電気工業株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B29/36 , C30B29/48 , C23C16/27 , H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/02 , B23K26/57 , B23K26/00 , B23K26/12 , C30B29/04
Abstract: 【課題】短時間で半導体層を種基板の一部から分離でき、さらに、種基板が薄くても、または、種基板のサイズが大きくなっても分離でき、分離表面が平坦となる半導体基板の製造方法の提供。 【解決手段】半導体材料を含む種基板1を準備する工程と、種基板1にイオン注入を行うことにより、種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層2を形成する工程と、種基板の主面上に気相合成法により、半導体層3を成長させる工程と、半導体層3および種基板1の少なくともいずれかの主面の表面から光4を照射することにより、半導体層3および種基板の一部1aを含む半導体基板5を分離する工程とを含む、半導体基板の製造方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6795521B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2017562857
申请日：2017-01-18
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
IPC: C30B25/02 , C30B25/18 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
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公开(公告)号：JPWO2019059054A1
公开(公告)日：2020-10-15
申请号：JP2018033715
申请日：2018-09-11
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 三菱マテリアル株式会社 , D.N.A.メタル株式会社
IPC: C23C26/00
Abstract: 電源装置と炭素材料を含む放電電極とを有する成膜装置、及び被膜が形成される表面を有する基材を準備する工程Aと、前記成膜装置によって、前記放電電極と前記基材との間に繰り返し放電を発生させることで、前記表面に硬質炭素系被膜を形成する工程Bと、を備える硬質炭素系被膜の製造方法。
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