检查装置和检查方法
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100520290C

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200710102312.3

    申请日:2007-04-27

    CPC classification number: G01N21/3581

    Abstract: 一种检查装置包括:用于传播电磁波的传输线;用于向传输线提供太赫兹波的电磁波提供单元;用于检测来自传输线的太赫兹波的电磁波检测单元;导电区域;检查对象提供单元;以及沉积单元。导电区域布置在包括通过传输线传播的电磁波的电场分布所延伸到的范围的至少一部分的位置上。检查对象提供单元保持检查对象并向外提供该检查对象,沉积单元通过静电力将检查对象选择性地沉积在导电区域上。由电磁波检测单元检测从电磁波提供单元提供并通过传输线传播的电磁波,以获得该检查对象的信息。

    感测设备
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101253403A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200680031668.6

    申请日:2006-08-10

    Inventor: 尾内敏彦

    CPC classification number: G01N21/3581 G01N21/276 G01N21/3577

    Abstract: 本发明提供了一种感测设备,用于使用电磁波获得测试试样的信息,所述电磁波包括30GHz至30THz的频率区域内的频率区域,所述感测设备包括:电磁波发送部,其包括多个传输部(4a,4b),用于传播电磁波;以及检测部(3a,3c),其用于接收并检测来自所述多个传输部(4a,4b)的电磁波,其中,构建所述多个传输部(4a,4b)中的至少一个,以使得测试试样(5,6)可以被置于如下部分中,所述部分受传播通过其的电磁波所影响。

    使用电磁波的检测方法以及检测装置

    公开(公告)号:CN101196467A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200710196483.7

    申请日:2007-12-05

    CPC classification number: G01N21/3581 G01N21/3563

    Abstract: 提供一种能够不管有无太赫兹波的频带的固有振动波谱都使用太赫兹波检测物质状态的变化的检测方法以及装置。检测装置具有保持物质8的待检物保持部;照射部件1、6;检测部件1、7;计算部件、评价部件。照射部件1、6在保持于待检物保持部上的物质8上照射太赫兹波。检测部件1、7检测从物质8透射或者反射来的太赫兹波。计算部件求得针对所照射的太赫兹波的物质8的性质的频率依赖性,算出物质8的性质的频率依赖性的拟合直线时的直线斜率或者直线斜率。评价部件对预先求得的基准状态的物质的性质的频率依赖性的直线斜率和用计算部件算出的物质8的直线斜率进行比较,评价物质状态的变化。

    具有负电阻元件的振荡器
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102484450B

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN201080039684.6

    申请日:2010-08-13

    CPC classification number: H03B9/12

    Abstract: 振荡器具有负电阻元件和谐振器,以及相对于电源偏压电路与负电阻元件并联电连接的电容器,电容器的电容被选择为使得抑制由于电源偏压电路导致的任何寄生振荡并允许由于负电阻元件和谐振器导致的谐振频率上的振荡。

    光学元件以及包含它的光学器件和太赫兹时域分光装置

    公开(公告)号:CN102194914B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201110049029.5

    申请日:2011-03-02

    Inventor: 尾内敏彦

    CPC classification number: H01L27/1443 G01J3/42 H01L31/108

    Abstract: 本发明涉及光学元件以及包含它的光学器件和太赫兹时域分光装置。该光学元件包含:具有比光的光子能量大的能量带隙的半导体层;和与半导体层电气接触的多个电极。所述电极中的至少一个形成在该电极和半导体层之间的肖特基结;该肖特基结具有比光的光子能量小的势垒高度。形成肖特基结的电极和半导体层之间的结表面的至少一部分包含:被布置为从半导体层的没有电极的表面用光照射的光照射表面;和被布置为与用光的照射而产生或检测的太赫兹波耦合的耦合结构的一部分。

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