公开(公告)号：CN102201420B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201110073039.2

申请日：2011-03-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成瀬裕章 ,  都甲宪二 ,  板桥政次

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/3745 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统及其制造方法。一种光电转换装置包括：其上布置有光电转换元件和晶体管的半导体衬底；以及包括第一布线层和在第一布线层之上的第二布线层的多个布线层，其中半导体衬底和多个布线层中的任一布线层之间的连接、晶体管的栅极电极和多个布线层中的任一布线层之间的连接、或者第一布线层和第二布线层之间的连接具有堆叠接触结构。

公开(公告)号：CN102637706A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210027895.9

申请日：2012-02-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 铃木翔 ,  冈部刚士 ,  板桥政次

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

Abstract: 公开了半导体装置制造方法。从上方观察，第一波导构件形成在半导体基板的图像拾取区域和外围区域中。第一波导构件的位于外围区域中的部分被去除。然后执行平坦化步骤以平坦化第一波导构件的与半导体基板相反的一侧的表面。

公开(公告)号：CN101609813B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200910151873.1

申请日：2007-08-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  板野哲也 ,  高桥秀和 ,  滝本俊介 ,  虻川浩太郎 ,  成濑裕章 ,  西村茂 ,  板桥政次

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。

公开(公告)号：CN101118919A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710143752.3

申请日：2007-08-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  板野哲也 ,  高桥秀和 ,  滝本俊介 ,  虻川浩太郎 ,  成濑裕章 ,  西村茂 ,  板桥政次

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。