机电变换器和光声装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102738383A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210102975.6

    申请日:2012-04-10

    CPC classification number: G01N29/2418 B06B1/0292 G01H9/00

    Abstract: 本发明涉及一种机电变换器和光声装置。本发明提供一种机电变换器,其可防止光入射在接收面上,而不使振动膜的机械特性劣化。所述机电变换器具有至少一个单元(2),在单元(2)中,振动膜(7)被能振动地支承,振动膜(7)包含两个电极(3)和(8)中的一个电极(8),所述两个电极(3)和(8)被设置为在其之间插入间隙(5)。所述机电变换器具有形成在振动膜(7)上的、具有与振动膜(7)的声阻抗匹配的声阻抗的应力松弛层(9),并且具有形成在应力松弛层(9)上的光反射层(6)。

    振荡器装置制造方法及具有振荡器装置的光偏转器和光学器械

    公开(公告)号:CN101441324B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200810178622.8

    申请日:2008-11-21

    CPC classification number: G02B26/105 Y10S359/90

    Abstract: 公开了一种基于蚀刻单晶硅基底的振荡器制造方法包括:掩模形成步骤,用于在单晶硅基底上形成具有带有包括多个相互连接振荡器的重复形状的图案的蚀刻掩模,振荡器中的每一个包括在支承基底和可动部件之间的扭簧;蚀刻步骤,用于在使用蚀刻掩模作为掩模的同时蚀刻单晶硅基底,从而在单晶硅基底上形成包括多个相应的相互连接振荡器的重复形状;和切割步骤,用于确定处于重复形状的每一个振荡器的可动部件和支承基板的宽度,当它们用作振荡器时,所述宽度有效地确定各个振荡器所需要的的谐振频率,并且切割步骤用于以确定的所述宽度在毗连的振荡器之间切割可动部件和支承基板而进行切断。还公开了相应的光偏转器和光学器械。

    光偏转器和使用该光偏转器的光学仪器

    公开(公告)号:CN101082698A

    公开(公告)日:2007-12-05

    申请号:CN200710108182.4

    申请日:2007-05-30

    CPC classification number: G02B26/105 G02B26/085

    Abstract: 光偏转器包括振荡系统和用于驱动振荡系统的驱动系统,振荡系统包括第一振荡器、第一扭力弹簧、第二振荡器、第二扭力弹簧和支撑部件,第一振荡器包括具有被配置为偏转光的光偏转元件的第一可活动元件,第二振荡器包括具有被配置为调整质量的质量调整部件的第二可活动元件,其中,第一可活动元件由第二可活动元件通过第一扭力弹簧弹性地支撑,用于围绕振荡轴进行扭转振荡,其中,第二可活动元件由支撑部件通过第二扭转弹簧弹性地支撑,用于围绕振荡轴进行扭转振荡,以及其中,振荡系统具有至少两种具有不同的频率的围绕振荡轴振荡的固有振荡模式。

    光偏转器和使用光偏转器的光学仪器

    公开(公告)号:CN101082696A

    公开(公告)日:2007-12-05

    申请号:CN200710108171.6

    申请日:2007-05-30

    CPC classification number: G02B26/105

    Abstract: 一种光偏转器,包括:支撑构件;具有光偏转元件的第一活动元件;至少一个第二活动元件;至少一个配置为支撑所述第一和第二活动元件的第一扭转弹簧,用于围绕振荡轴的扭转振荡;至少一个配置为支撑所述第二活动元件和所述支撑构件的第二扭转弹簧,用于围绕振荡轴的扭转振荡;以及配置为向所述第一和第二活动元件中的至少一个施加驱动力的驱动系统;其中第二活动元件对所述振荡轴的转动惯量大于所述第一活动元件对振荡轴的转动惯量,第二活动元件在垂直于振荡轴的方向上的长度等于或小于第一活动元件在垂直于振荡轴的方向上的长度。

    电容型微加工超声换能器和包含其的被检体信息获取设备

    公开(公告)号:CN105657626B

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201510849391.9

    申请日:2015-11-27

    Abstract: 本发明涉及电容型微加工超声换能器和包含其的被检体信息获取设备。电容型微加工超声换能器包括:被设置为其间具有间隙的第一绝缘膜和第二绝缘膜;分别设置在第一绝缘膜和第二绝缘膜的外表面上的第一电极和第二电极,在第一电极和第二电极之间具有所述间隙;至少一个单元,具有第一电极和第二电极之间的静电电容,所述静电电容随着由第二绝缘膜与第二电极的位移导致的所述间隙的厚度的变化而变化;以及电压施加装置,被配置为向第一电极和第二电极之间施加电压。其中,施加到第一绝缘膜的电场强度与施加到第二绝缘膜的电场强度相比更接近导致电介质击穿的电场强度。

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