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公开(公告)号：CN109686707A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910079369.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 南通大学 , 成都锐杰微科技有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/05553 , H01L2224/73265 , H01L23/367 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481
Abstract: 本发明提供一种高散热硅基封装基板，包括硅衬底，硅衬底纵向设置多个垂直通孔，垂直通孔贯穿硅衬底的上、下表面，垂直通孔内设置导电导热柱，导电导热柱两端裸露于硅衬底的上下表面，导电导热柱外侧壁设置电学隔离层，垂直通孔的直径范围为50～200μm。本发明提供的高散热硅基封装基板，具备散热模块集成度高，体积小巧，成本低，有利于封装结构的应用，此外，本发明还提供了其制作方法及基于其的封装结构。
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公开(公告)号：CN109300866A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811388101.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 南通大学 , 成都芯锐科技有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/495 , H01L23/60
Abstract: 本发明一种降低电磁干扰的装置，包括具有上表面并具有接地平面的载片台；跨越至少部分载片台的信号线；以及屏蔽键合线阵列，屏蔽键合线阵列包括多道键合线，至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧，另有至少部分键合线端部耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧；耦接于载片台的接地平面并位于信号线的一侧的端部与耦接于载片台的接地平面并位于信号线的另一侧的端部通过屏蔽键合线阵列的至少部分键合线连接屏蔽键合线阵列跨越信号线的至少一部分。本发明提供具备屏蔽阵列结构的降低电磁干扰的装置，提高芯片封装整体的电磁兼容性能指标。具有与现有工艺兼容，制作成本低且易实现；适用性广，可灵活应用于各种键合线封装。
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公开(公告)号：CN103066990B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310015753.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 南通大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种基于集成电路的输出单元电路，包括逻辑反相电路，用于对输入信号反相转换并向电平转换单元和输出缓冲单元提供输入信号以及偏置电压；电平转换电路，用于接收逻辑反相电路的输出信号和偏置电压并对输入进的信号进行电平转换；输出缓冲电路，用于接收输入信号、逻辑反相电路提供的偏置电压和电平转换电路的输出信号并向外界输出。其有益效果为：所述输出单元电路采用低电压工艺，使晶体管在额定电压下正常工作，在不损害晶体管的使用寿命的情况下，向外界输出高电压信号或者低电压信号。一方面节省芯片面积，另一方面降低功耗。
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公开(公告)号：CN102508936A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110283137.9
申请日：2011-09-22
Applicant: 南通大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种用于BGA基板过孔的高频等效电路，第一端口的正极与第二端口的正极之间接有表示过孔信号通道的互连损耗大小的电阻Rs、表示过孔信号通道的寄生电感值的电感Ls，电阻Rs与电感Ls串联；第一电容Cd1与第一电阻Rd1并联后一端接在第一端口正极与电阻Rs之间，另一端与第一端口的负极连接；第二电容Cd2与第二电阻Rd2并联后一端接在第二端口正极与电感Ls之间，另一端与第二端口的负极连接。本发明结构合理，适用于高频高速集成电路的设计使用，可较易地建立过孔的等效电路模型，对实现芯片-封装一体化设计具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117938108A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311855366.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种具有声学减速带结构的Lamb波谐振器。本发明提供的Lamb波谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极、配置于顶部叉指电极Bus区域上表面的声学减速带结构。本发明申请的具有声学减速带结构的Lamb波谐振器，具有高品质因数、高有效机电耦合系数的特点，能够实现大带宽且显著抑制带内纹波的滤波器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113381723B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110733402.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请公开了一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中，兰姆波谐振器包括：衬底结构，其表面形成有空气腔室；兰姆波谐振结构，其包括压电振动结构，位于压电振动结构上表面的叉指电极，及位于压电振动结构下表面的底部平板电极；所述兰姆波谐振结构悬置于所述衬底结构的空气腔室内，且所述兰姆波谐振结构通过其纵向两端的支撑轴与所述衬底结构固定连接；在各支撑轴与衬底结构连接的锚点处对应的衬底结构上分别设置有金属板。本申请提供的兰姆波谐振器，其通过将兰姆波谐振结构悬置于衬底结构的空气腔室中，并在二者连接的锚点处对应的衬底结构上分别设置有金属板，能够使声能更好的被限制在兰姆波谐振结构的内部，从而提高谐振器的品质因数。
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公开(公告)号：CN117060878A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310885482.2
申请日：2023-07-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频微机电系统器件领域，涉及一种横向振动的水平剪切波谐振器。本发明提供的横向振动的水平剪切波谐振器，自底向上依次包括衬底、介质层、压电层与顶层金属，顶层金属中电极采用两个边缘电极与叉指电极结合的形式。此外，通过优化声波的传播角度可以减小杂散模态的机电耦合系数，从而达到抑制杂散模态的效果。本发明申请的横向振动的水平剪切波模态谐振器在100MHz～600MHz频率范围内具有高机电耦合系数和杂散模态少的性能特征，为构建大带宽、低损耗的滤波器和低相位噪声的振荡器奠定基础，在射频前端中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113300684A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110577798.6
申请日：2021-05-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种Lamb波谐振器及其制作方法，制得的Lamb波谐振器包括自下而上依次设置的第一电极结构、压电振动结构、第二电极结构和掩膜结构；其中，所述第二电极结构为叉指电极，所述压电振动结构的边缘倾角均呈90°，所述掩膜结构为二氧化硅掩膜，所述二氧化硅掩膜同时覆盖叉指电极的外表面和未被叉指电极覆盖的压电振动结构的上表面。本发明实施例的采用二氧化硅作为压电振动结构的掩膜结构的解决方案，使得制备的压电振动结构的边缘倾角能够呈90°角，大幅提高了Lamb波谐振器的品质因数，优化了Lamb波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN113128171A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110409577.8
申请日：2019-12-12
Applicant: 南通大学
IPC: G06F30/398 , H01L23/498 , H05K1/11 , G06F113/18 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种优化晶圆级封装可靠性优化方法，根据封装结构的初始结构尺寸和焊点材料仿真获得结构的初始热疲劳寿命；选取影响封装结构所述疲劳寿命的因素，并制定合适的正交表格；将各个因素的最优组合仿真后获得所述热疲劳寿命，将优化结构的所述热疲劳寿命与初始结构所述热疲劳寿命进行对比，发现所述热疲劳寿命有明显增加，封装结构的可靠性得到优化。
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公开(公告)号：CN111200411A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010095279.1
申请日：2020-02-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供一种微机械压电式圆盘谐振器，包括压电式器件及底部支撑结构，压电式器件包括顶部输入电极、底部接地电极以及设于顶部输入电极和底部接地电极之间的压电振动层；底部支撑结构包括基底及固定于底部接地电极底部中心位置与基底与之间的支撑锚，支撑锚为材料选自低阻硅。本发明优化了锚点设计，将传统的侧向支撑结构改为中心支撑，具有更小的锚点损耗、更高的品质因数，器件性能更加优越。基于此，本发明还提供了上述圆盘谐振器的制作方法。
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