公开(公告)号：CN117938108A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311855366.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 南通大学

Inventor： 赵继聪 ,  马迅言 ,  吕世涛 ,  党岩盟 ,  孙泽鑫 ,  叶文淏 ,  孙海燕

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/02

Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种具有声学减速带结构的Lamb波谐振器。本发明提供的Lamb波谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极、配置于顶部叉指电极Bus区域上表面的声学减速带结构。本发明申请的具有声学减速带结构的Lamb波谐振器，具有高品质因数、高有效机电耦合系数的特点，能够实现大带宽且显著抑制带内纹波的滤波器。

公开(公告)号：CN119401973A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411510827.7

申请日：2024-10-28

Applicant: 南通大学

Inventor： 赵继聪 ,  叶文淏 ,  张煜昕 ,  孙海燕 ,  吕世涛 ,  孙泽鑫

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/13 ,  H03H9/02 ,  H03H3/02

Abstract: 本申请的实施例提供了一种高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述高阶模态兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面中央设置有释放腔；压电振动结构，悬浮在所述释放腔中；顶部插指电极，布置在所述压电振动结构的上表面上，并且包括主体电极和连接主体电极的bus区域；底部平板电极，布置在所述压电振动结构的下表面上，其中，所述bus区域设置有空槽结构，用于抑制横向杂散模态。本发明的无杂散的高阶模态兰姆波谐振器，具有无杂散和高频率的特点。

公开(公告)号：CN118944629A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411128314.X

申请日：2024-08-16

Applicant: 南通大学

Inventor： 赵继聪 ,  叶文淏 ,  孙泽鑫 ,  吕世涛 ,  孙海燕

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述氮化铝兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的中心处设置有空腔；氮化铝薄膜，位于衬底的上表面上并包括覆盖在所述空腔上方的第一部分和覆盖在衬底上除空腔之外的第二部分；谐振体，所述谐振体包括位于第一部分上表面的顶部叉指电极和位于下表面上的底部叉指电极；声学反射器，所述声学反射器包括位于第二部分的上表面上并且间隔设置的多个金属条。本发明提供的集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器，具有高品质因数和散热性能好的特点，能够实现高频的新型侧向支撑轴结构的谐振器。

公开(公告)号：CN119727648A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411715340.2

申请日：2024-11-27

Applicant: 南通大学 ,  无锡中微腾芯电子有限公司

Inventor： 赵继聪 ,  叶文淏 ,  张凯虹 ,  吕世涛 ,  董智 ,  孙海燕

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/15 ,  H03H3/02 ,  H10N30/082

Abstract: 本申请公开了一种具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。本发明提供的谐振器所述具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面上设置有释放腔；底部平板电极，放置在衬底的上表面的上方并且位于所述释放腔中；压电振动结构，位于底部平板电极的表面上；顶部叉指电极，位于压电振动结构的表面上；支撑轴，位于压电振动结构的两侧使得压电振动结构、底部平板电极和顶部叉指电极均悬浮固定于释放腔中。本发明提供的具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器，具有高品质因数的特点，能够实现提高Q值的新型谐振器。

公开(公告)号：CN119727639A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411635602.4

申请日：2024-11-15

Applicant: 南通大学 ,  无锡中微腾芯电子有限公司

Inventor： 赵继聪 ,  吕世涛 ,  张凯虹 ,  叶文淏 ,  孙海燕 ,  孙泽鑫

IPC: H03H3/02 ,  H10N30/082 ,  H03H9/02 ,  H03H9/15

Abstract: 本申请的实施例提供了一种掺钪氮化铝兰姆波谐振器的制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述制备方法包括以下步骤：在第一晶圆上依次制备下叉指电极的电极层、中间压电层和上叉指电极的电极层；制备保护层并形成空腔；将第一晶圆倒置放置在第二晶圆上；移除第一晶圆并进行图案化处理以形成下叉指电极；刻蚀电极层和中间压电层以引出上叉指电极；制备焊盘并刻蚀上叉指电极的电极层、中间压电层和下叉指电极的电极层，形成空气反射边界。通过晶圆级转移技术将制造的器件结构倒置，改变了叉指电极图案化和压电薄膜沉积的工艺顺序，解决了由图案化叉指电极引起沉积压电薄膜所产生结构畸变或断裂的问题，实现了高质量掺钪氮化铝兰姆波谐振器的制备。

公开(公告)号：CN118971833A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411128316.9

申请日：2024-08-16

Applicant: 南通大学

Inventor： 赵继聪 ,  孙泽鑫 ,  吕世涛 ,  孙海燕 ,  叶文淏

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供了基于声学超材料阵列的双模态兰姆波压电谐振器，属于射频MEMS器件领域。双模态兰姆波压电谐振器包括：第一谐振区域，包括：第一压电振动结构，配置于其上表面上的第一顶部叉指电极，和配置于其下表面上的第一底部叉指电极；第二谐振区域，包括：第二压电振动结构，配置于其上表面上的第二顶部叉指电极，和配置于其下表面上的第二底部叉指电极；声学超材料阵列结构，声学超材料阵列结构设置在第一谐振区域和第二谐振区域之间。本发明的基于声学超材料阵列的双模态兰姆波压电谐振器能够实现两个独立的工作模态，且两个模态都具有较好的频谱纯净度，有利于实现其在双通带滤波器中的应用。