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公开(公告)号：CN101855311A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115666.4
申请日：2008-11-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/301 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/26 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2427/006
Abstract: 本发明的半导体晶片加工用粘合带，具有基材片(11)及设置在基材片(11)上的粘合剂层(12)，基材片(11)在应力-伸长率曲线中直至伸长率30％为止不存在屈服点，且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上。
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公开(公告)号：CN1906737A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001569.9
申请日：2005-08-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B7/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2891 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 一种晶片加工用带(10)，其具有依次层压于基体膜(1)之上的中间树脂层(2)、可去除粘合剂层(3)、和如果必要时的粘合剂层(4)，其中中间树脂层80℃时的储存弹性模量大于可去除粘合剂层80℃时的储存弹性模量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1230872C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN03145428.3
申请日：2003-06-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 石渡伸一
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/68
Abstract: 一种晶片的制造方法以及其中使用的粘接带，该法具有：(a)在磨削前，预先在晶片表面粘合粘接带的工序；和(b)晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。
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公开(公告)号：CN1472773A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03145428.3
申请日：2003-06-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 石渡伸一
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/68
Abstract: 一种晶片的制造方法以及其中使用的粘接带，该法具有：(a)在磨削前，预先在晶片表面粘合粘接带的工序；和(b)晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。
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公开(公告)号：CN301069608D
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200830141615.1
申请日：2008-07-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品在主视图中左右连续。
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