半导体器件及其制造方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107037094A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201610848816.9

    申请日:2016-09-26

    CPC classification number: G01N27/4145 G01N27/30 G01N27/414

    Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括:衬底;栅极结构,位于衬底的第一表面上方;以及源极区域和漏极区域,在衬底中与栅极结构相邻。该半导体结构还包括:沟道区域,夹置在源极区域和漏极区域之间并且位于栅极结构下方。该半导体结构还包括:第一层,位于衬底的与第一表面相对的第二表面上方;以及第二层,位于第一层上方。该半导体结构还包括:感应膜,位于沟道区域上方以及第一层和第二层的至少一部分上方;以及阱,位于感应膜上方并切断第一层和第二层。

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