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公开(公告)号:CN107037094A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201610848816.9
申请日:2016-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/30 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/30 , G01N27/414
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括:衬底;栅极结构,位于衬底的第一表面上方;以及源极区域和漏极区域,在衬底中与栅极结构相邻。该半导体结构还包括:沟道区域,夹置在源极区域和漏极区域之间并且位于栅极结构下方。该半导体结构还包括:第一层,位于衬底的与第一表面相对的第二表面上方;以及第二层,位于第一层上方。该半导体结构还包括:感应膜,位于沟道区域上方以及第一层和第二层的至少一部分上方;以及阱,位于感应膜上方并切断第一层和第二层。
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公开(公告)号:CN105977282A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201510495959.1
申请日:2015-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00595 , B01L3/502707 , B01L2200/10 , B01L2300/0887 , B81B1/002 , B81B2201/0214 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00206 , G01N27/4145 , H01L21/2007 , H01L23/49816 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80801 , H01L2224/8385 , H01L2924/1306 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01074 , H01L29/0684 , B81B7/02
Abstract: 本发明实施例提供了一种生物感测半导体结构。晶体管包括沟道区和位于沟道区下面的栅极。第一介电层位于晶体管上面。第一开口延伸穿过第一介电层以暴露沟道区。生物感测层作为第一开口的衬垫并且覆盖沟道区的上表面。第二介电层作为第一开口的衬垫并且位于感测层上方。位于第一开口内的第二开口穿过第二介电层的位于沟道区上面的区域而延伸至生物感测层。本发明实施例也提供了一种用于制造生物感测半导体结构的方法。本发明实施例涉及用于制造生物传感器的微阱的方法。
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