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公开(公告)号：CN113253490B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010669969.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体器件和其形成方法。本公开实施例提供一种半导体器件。半导体器件包含位于衬底之上的第一介电层中的氮化硅波导。半导体器件包含位于第一介电层之上的第二介电层中的半导体波导。包含氮化硅波导的第一介电层位于包含半导体波导的第二介电层与衬底之间。
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公开(公告)号：CN103675024B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310123631.8
申请日：2013-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , B81C1/00
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L21/28525 , H01L21/31111 , H01L21/32135 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L27/283
Abstract: 直接感测BioFET和制造方法。本发明提供生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括采用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者是CMOS工艺中典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。BioFET器件包括具有感测栅极底部和许多堆叠的阱部分的多个微阱。阱部分的底表面积不同于直接位于其下方的阱部分的顶表面积。通过穿过不同材料包括牺牲插塞的多个蚀刻操作形成微阱，从而暴露出感测栅极而不产生等离子体所致损伤。
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公开(公告)号：CN106241727A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201511017559.6
申请日：2015-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00182 , H04R19/00 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与板相对并且包括面向多个孔的多个波形件；以及导电塞，从板延伸穿过隔膜。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中导电塞与接合焊盘接合，以将第一器件与第二器件集成，并且板是外延(EPI)硅层或绝缘体上硅(SOI)衬底。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN116190395A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210834478.9
申请日：2022-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及图像传感器集成芯片。图像传感器集成芯片包括设置在具有第一半导体材料区域的衬底内的光电二极管区域。第二半导体材料区域设置在衬底上。图案化掺杂层布置在衬底和第二半导体材料区域之间。第二半导体材料区域包括连接至第二半导体材料区域的底面的侧壁。侧壁延伸穿过图案化掺杂层。第二半导体材料区域的底面位于光电二极管区域正上方。本申请的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112748588A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010332172.4
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02F1/01
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括第一波导及加热器结构的调制器装置。输入端子被配置成接收入射光。所述第一波导具有第一输出区及耦合到所述输入端子的第一输入区。第二波导光学耦合到所述第一波导。所述第二波导具有第二输出区及耦合到所述输入端子的第二输入区。输出端子被配置成提供基于所述入射光而调制的出射光。所述输出端子耦合到所述第一输出区及所述第二输出区。所述加热器结构上覆在所述第一波导上。所述加热器结构的底表面与所述第一波导的底表面对齐。所述第一波导横向间隔在所述加热器结构的多个侧壁之间。
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公开(公告)号：CN105977282B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201510495959.1
申请日：2015-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种生物感测半导体结构。晶体管包括沟道区和位于沟道区下面的栅极。第一介电层位于晶体管上面。第一开口延伸穿过第一介电层以暴露沟道区。生物感测层作为第一开口的衬垫并且覆盖沟道区的上表面。第二介电层作为第一开口的衬垫并且位于感测层上方。位于第一开口内的第二开口穿过第二介电层的位于沟道区上面的区域而延伸至生物感测层。本发明实施例也提供了一种用于制造生物感测半导体结构的方法。本发明实施例涉及用于制造生物传感器的微阱的方法。
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公开(公告)号：CN103531492B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210382930.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。
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公开(公告)号：CN105800543A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510458907.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2207/015 , B81C2201/019 , B81C2201/112 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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公开(公告)号：CN103675024A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310123631.8
申请日：2013-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , B81C1/00
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L21/28525 , H01L21/31111 , H01L21/32135 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L27/283
Abstract: 直接感测BioFET和制造方法。本发明提供生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括采用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者是CMOS工艺中典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。BioFET器件包括具有感测栅极底部和许多堆叠的阱部分的多个微阱。阱部分的底表面积不同于直接位于其下方的阱部分的顶表面积。通过穿过不同材料包括牺牲插塞的多个蚀刻操作形成微阱，从而暴露出感测栅极而不产生等离子体所致损伤。
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