公开(公告)号：CN104037102B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310226966.2

申请日：2013-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  黄志辉 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  卢彦池 ,  施俊吉 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。

公开(公告)号：CN103794584B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201310046609.8

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  陈思莹 ,  王铨中 ,  黄志辉 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/059 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本文所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。

公开(公告)号：CN104037102A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310226966.2

申请日：2013-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  黄志辉 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  卢彦池 ,  施俊吉 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。

公开(公告)号：CN103579042A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210465015.6

申请日：2012-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  刘丙寅 ,  林宏桦 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67092 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1972

Abstract: 本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。

公开(公告)号：CN103474420A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210359518.5

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。