公开(公告)号：CN102637650A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210026467.4

申请日：2012-02-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本圭史郎 ,  今田忠纮 ,  今泉延弘 ,  渡部庆二

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/778 ,  H01L21/56 ,  H01L21/335 ,  H02M7/217 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、一种用于制造半导体装置的方法以及一种电源。本发明的半导体装置包括：半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，该氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；半导体芯片上的第一树脂层，该第一树脂层包括偶联剂；第一树脂层上的第二树脂层，该第二树脂层包括表面活性剂；以及密封树脂层，用于利用第一树脂层和第二树脂层对半导体芯片进行密封。

公开(公告)号：CN101647106A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200780052178.9

申请日：2007-03-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  C09D183/00 ,  C09K3/18

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/26 ,  C08G77/28 ,  C08G77/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 根据本发明，能够得到漏电量少、且EM(电迁移)耐性和TDDB(经时介电击穿)耐性高的布线层，由此能够提供耗电量小、可靠性高的半导体装置的制造技术。本发明的表面疏水化膜是与绝缘膜接触的表面疏水化膜，其在接触时具有比绝缘膜更高的疏水性，并且其相反侧表面还与布线接触并包含选自由硫原子、磷原子和氮原子组成的组中的至少一种原子。

公开(公告)号：CN103681663B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201310367058.5

申请日：2013-08-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L27/06

CPC classification number: G05F1/46 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/24

Abstract: 公开了一种电源电路和电源装置。该电源电路包括：耗尽型晶体管，其包括场板；增强型晶体管，耗尽型晶体管的源极和漏极被耦接到该增强型晶体管；以及恒流源，其被耦接到耗尽型晶体管和增强型晶体管之间的连接节点。

公开(公告)号：CN102468331B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110259610.X

申请日：2011-08-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件，其一个方面提供：衬底；晶体管，包括在衬底上方形成的电子渡越层和电子供应层；氮化物半导体层，在衬底上方形成并连接至晶体管的栅极；以及控制器，控制氮化物半导体层中的电荷运动。

公开(公告)号：CN102723362B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210211258.7

申请日：2009-10-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/34 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：电子渡越层（i-GaN层）；化合物半导体层（n-GaN层），形成在所述电子渡越层上；源电极以及漏电极，形成在所述化合物半导体层上；第一绝缘膜，形成在所述化合物半导体层上；以及栅电极，形成在所述绝缘膜上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内并在所述第一绝缘膜内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分；第二绝缘膜，沿所述凹入部分的内表面形成；以及电极，形成在所述第二绝缘膜上。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。

公开(公告)号：CN102637650B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210026467.4

申请日：2012-02-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本圭史郎 ,  今田忠纮 ,  今泉延弘 ,  渡部庆二

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/778 ,  H01L21/56 ,  H01L21/335 ,  H02M7/217 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、一种用于制造半导体装置的方法以及一种电源。本发明的半导体装置包括：半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，该氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；覆盖在半导体芯片的表面上的第一树脂层，该第一树脂层包括偶联剂；覆盖在第一树脂层的表面上的第二树脂层，该第二树脂层包括表面活性剂；以及密封树脂层，用于利用第一树脂层和第二树脂层对半导体芯片进行密封。

公开(公告)号：CN101641767B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200780052187.8

申请日：2007-03-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  吉川浩太 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  尾崎史朗

IPC: H01L21/3065 ,  C09D9/00 ,  C11D9/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/162 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3742 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。

公开(公告)号：CN103367419A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210589857.2

申请日：2012-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  吉川俊英 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的源电极和漏电极；形成在电子供给层上的在源电极和漏电极之间的栅电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在电子供给层和p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。

公开(公告)号：CN103325824A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310053713.X

申请日：2013-02-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的第一半导体层；形成在第一半导体层之上的第二半导体层；形成在第二半导体层之上的电极；以及形成在第二半导体层上的第三半导体层；其中，第三半导体层形成为围绕其中形成有电极的每一个元件，并且其中，第三半导体层是其导电型的极性与在第一半导体层中产生的载流子的极性相反的半导体层。

公开(公告)号：CN103219374A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310006517.7

申请日：2013-01-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  广濑达哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H02M3/10

CPC classification number: H01L27/088 ,  G05F3/08 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M1/4225 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1483 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及电源器件。所述半导体器件包括：由引线和管芯台组成的引线框；GaN-HEMT，该GaN-HEMT设置在管芯台上并且具有在GaN-HEMT的后表面上的源电极，所述源电极连接至管芯台；以及MOS-FET，该MOS-FET设置在管芯台上并且具有在MOS-FET的后表面上的漏电极，所述漏电极连接至管芯台；其中GaN-HEMT的源电极与MOS-FET的漏电极经由管芯台而彼此共源共栅连接。