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公开(公告)号：CN104471717A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038010.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物和树脂。式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN104081517A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280067367.4
申请日：2012-12-11
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C08G2261/1426 , C08G2261/1452 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/3444 , C08G2261/91 , C08L65/00 , C08L65/02 , H01L23/3171 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有酸性基的化合物。根据本发明，可以以简便的方法形成具有优异钝化效果的半导体基板用钝化膜。
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公开(公告)号：CN104081504A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280066134.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和树脂的钝化膜形成用组合物。式中，R1分别独立地表示碳原子数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳原子数1～8的烷基。
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公开(公告)号：CN104081499A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380005051.7
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其含有：含施主元素化合物；金属化合物，其是与上述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和分散介质。此外，本发明还提供一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其在半导体基板上赋予上述n型扩散层形成用组合物而形成组合物层，并且对形成有上述组合物层的半导体基板实施热处理，从而制造带n型扩散层的半导体基板。
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公开(公告)号：CN104040701A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280066119.8
申请日：2012-12-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , C08K5/56 , C09D101/28 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104025306A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201380004639.0
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池用基板的制造方法，其包括：在半导体基板的表面上形成含有金属化合物的掩模层的工序，其中，所述金属化合物含有碱土金属或碱金属；和在上述半导体基板的未形成掩模层的区域形成扩散层的工序。
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公开(公告)号：CN107093550A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610917021.9
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN104488088B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201380037778.3
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其包含：具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。
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公开(公告)号：CN103503121B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280021239.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K3/00 , C08L25/18 , C08L27/12 , C08L71/10 , C08L101/02 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。
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公开(公告)号：CN104471715B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380036883.5
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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