公开(公告)号：CN114902323A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080069181.7

申请日：2020-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中川贵史 ,  小林英智 ,  宍户英明

IPC: G09G3/3233 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  G09F9/30 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种高亮度的显示装置。像素包括发光器件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器及第二电容器。发光器件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第一晶体管的栅极与第一电容器的一个电极及第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二电容器的一个电极电连接。第二电容器的一个电极与具有供应第一电位的功能的第一布线电连接。第二电容器的另一个电极与第一电容器的另一个电极、第三晶体管的源极和漏极中的一个及第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接。

公开(公告)号：CN110651468B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201880033542.5

申请日：2018-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田隆之 ,  黑川义元 ,  原田伸太郎 ,  小林英智 ,  山本朗央 ,  木村清贵 ,  中川贵史 ,  根来雄介

IPC: H04N5/341 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。

公开(公告)号：CN114080636A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202080048282.6

申请日：2020-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  池田隆之 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/20

Abstract: 本发明提供一种容易设计且设计的自由度高的显示装置。本发明的一个方式包括：设有驱动电路的第一衬底(101)，该驱动电路包括第一及第二脉冲输出电路(91_1，91_2)；设有显示部(92)的第二衬底(103)，该显示部包括具有第一源极布线(SL_1)及第一接触部(SC_1)的第一像素电路、具有与第一源极布线相邻的第二源极布线(SL_2)及与第二源极布线电连接的第二接触部(SC_2)的第二像素电路；以及第一衬底与第二衬底电连接的连接部，以与驱动电路重叠的方式配置显示部，第一及第二脉冲输出电路分别通过第一及第二接触部与第一及第二像素电路电连接，相对于连接第一及第二接触部的直线将第一脉冲输出电路配置在与第二脉冲输出电路相对一侧，连接部包括含铜的布线。

公开(公告)号：CN113785344A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080032046.5

申请日：2020-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村清贵 ,  小林英智 ,  池田隆之

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/3275 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。此外，提供一种高速工作的半导体装置。此外，提供一种电路面积小的半导体装置。此外，提供一种新颖半导体装置。本发明是一种半导体装置，其中信号线在第一节点和第二节点之间与多个像素电连接，放大电路具有将被供应的电流放大并供应到第一节点的功能，模拟数字转换电路具有将第一节点的电位转换为第一信号的功能以及将第二节点的电位转换为第二信号的功能，检测电路具有对比第一信号和第二信号来生成第三信号的功能，放大电路的电流放大率根据第三信号而决定。

公开(公告)号：CN113711339A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080029996.2

申请日：2020-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  根来雄介 ,  小林英智

IPC: H01L21/3205 ,  G11C11/54 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H04N5/347 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。该摄像装置可以将在摄像工作中获取的模拟数据(图像数据)保持在像素中而从该像素取出该模拟数据乘以任意权系数的数据。通过将该数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大的图像数据以模拟数据的状态保持在像素中，所以可以高效地进行处理。

公开(公告)号：CN113412511A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202080013244.7

申请日：2020-02-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田隆之 ,  小林英智 ,  肉户英明 ,  木村清贵 ,  中川贵史 ,  根井孝征 ,  林健太郎

IPC: G09G5/00 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  H01L27/32 ,  H04N5/64 ,  G02B27/01 ,  H01L51/50

Abstract: 目的是提供一种能够准确地识别使用者的脸的特征的电子设备。一种眼镜式电子设备包括第一光学部件、第二光学部件、镜架、摄像装置、特征抽取单元以及感情推断单元，镜架与第一光学部件的侧面及第二光学部件的侧面接触，摄像装置与镜架接触，摄像装置具有检测出使用者的脸的一部分的功能，特征抽取单元具有从所检测出的脸的一部分抽取出使用者的脸的特征的功能，并且感情推断单元具有从所抽取的特征推断出关于使用者的信息的功能。

公开(公告)号：CN112236869A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980036289.3

申请日：2019-05-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  池田隆之 ,  中川贵史 ,  广濑丈也 ,  胜井秀一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H03K3/356

Abstract: 提供一种校正阈值电压来提高运算精确度的半导体装置。该半导体装置包括第一电流源电路及第二电流源电路，第二电流源电路具有与第一电流源电路相同的结构。第一电流源电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第一至第三节点。第一晶体管的第一端子与第一节点电连接，第一晶体管的背栅极与第二晶体管的第一端子及第一电容器的第一端子电连接。第一晶体管的栅极与第二节点电连接，第一电容器的第二端子与第一晶体管的第二端子电连接。第一电流源电路的第一节点与第一及第二电流源电路的第二节点电连接。通过对第一晶体管的背栅极写入校正电压，改变第一晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN110651468A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201880033542.5

申请日：2018-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田隆之 ,  黑川义元 ,  原田伸太郎 ,  小林英智 ,  山本朗央 ,  木村清贵 ,  中川贵史 ,  根来雄介

IPC: H04N5/341 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。

公开(公告)号：CN106057819B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610557667.0

申请日：2010-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 盐野入丰 ,  小林英智

IPC: H01L27/12 ,  H03K3/037 ,  H03K19/00 ,  H03K19/096

Abstract: 本发明涉及逻辑电路和半导体装置。在时钟门控技术被执行的逻辑电路中，储用功率被降低或者故障被抑制。该逻辑电路包括晶体管，其中，在没有供给时钟信号的时段，当源极端子和漏极端子之间存在电势差时，该晶体管处于截止状态。该晶体管的沟道形成区是使用氧化物半导体形成，在该氧化物半导体中，氢浓度被降低。具体地，氧化物半导体的氢浓度为5×1019原子/立方厘米或更低。因此，可以减少晶体管的泄漏电流。结果，在该逻辑电路中，可以实现储用功率的减少以及故障的抑制。

公开(公告)号：CN102160295B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200980136983.9

申请日：2009-08-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智

IPC: H04B1/59 ,  G06K19/07 ,  H04B5/02

CPC classification number: G06K19/0723 ,  H04B5/0031 ,  H04B5/0037 ,  H04L27/04 ,  H04L27/06 ,  H04Q2213/13095

Abstract: 提供了一种半导体器件，其能在不中断读取器/写入器等的操作的情况下向/从读取器/写入器发送/接收数据。一种能无线通信的半导体器件包括：天线电路；第一解调信号发生电路，其解调调制因子为从95％到100％(含95％和100％)的信号；第二解调信号发生电路，其解调调制因子为从95％到100％(含95％和100％)和从10％到30％(含10％和30％)的信号；以及逻辑电路，其选择来自第一电路的解调信号和来自第二电路的解调信号之一。当天线电路接收电磁波时，逻辑电路选择来自第二电路的解调信号，而当天线电路发射电磁波时，逻辑电路选择来自第一电路的解调信号。