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公开(公告)号：CN119156719A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380034772.4
申请日：2023-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01G11/24 , H01G11/46 , H01M4/505 , H01M10/052
Abstract: 提供一种具有优异的充放电倍率特性的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。提供一种正极活性物质，在该正极活性物质中由XRD图案算出的晶粒尺寸为150nm以上，内部中的镍在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于第一表层部及第二表层部中的该比例，第二表层部中的选自钴及锰中的至少一个元素所占的原子个数在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于内部中的该比例，第一表层部中添加元素中的至少一个元素的浓度高于内部及第二表层部中的该浓度。
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公开(公告)号：CN112805592B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980066618.9
申请日：2019-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01S15/931 , B62J27/00 , G01S7/526 , G08B21/00 , G08G1/16
Abstract: 提供一种能够提高安全性的驾驶员报警系统。自行车包括发射第一超声波的第一发射电路、接收第二超声波的第一接收电路、从第二超声波检测出物体有无的运算电路及发射第三超声波的第二发射电路。驾驶员穿戴包括接收第三超声波的第二接收电路的第二外壳。运算电路包括以不同时序分别选择对应于第二超声波的电位的第一选择电路、保持对应于第二超声波的电位的多个信号保持电路、选择多个信号保持电路中的任一的第二选择电路及被输入由第二选择电路选出并输出的信号的信号处理电路。第二选择电路以不同时序分别选择多个信号保持电路来生成拖延了第二超声波的信号。将根据该信号生成的第三超声波发送到上述第二外壳。
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公开(公告)号：CN112840208B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980066607.0
申请日：2019-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 减少测定装置的成本。使测定装置的结构简化。提供一种能够以更高的精度进行测定的测定装置。测定装置(10)包括发送部(13)、接收部(14)、控制部(11)及显示部(15)。控制部包括存储部(21)及运算部(22)。发送部具有输出用来在探针(40)中产生超声波(51)的脉冲信号的功能。接收部具有根据从探针输入的输入信号生成具有第一模拟数据(D1)的第一信号并将其输出到控制部的功能。存储部具有容纳第一模拟数据的功能。运算部具有根据存储部所保持的第一模拟数据生成向显示部输出的图像信号(S0)的功能。显示部具有根据图像信号显示图像的功能。
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公开(公告)号：CN117242899A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280029612.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种功耗低的显示装置。提供一种容易高清晰化的显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。提供一种对比度高的显示装置。显示装置包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层，第一层包括沟道形成区域中包含硅的第一晶体管，第二层包括沟道形成区域中包含金属氧化物的第二晶体管，第三层包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件、具有发射白色光的发光层的EL层、第一发光元件上的第一着色层、第二发光元件上的第二着色层以及第三发光元件上的第三着色层，在第二发光元件与第三发光元件之间确认不到串扰。
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公开(公告)号：CN117199333A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310673114.1
申请日：2023-06-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一个方式为了实现从锂离子二次电池获得稳定的电力供给，进一步提高锂离子二次电池的热安全性。本发明的一个方式通过使正极活性物质的表层部含氟或者使氟吸附在正极活性物质的表面，来抑制锂离子二次电池着火或过热，从而提高热安全性。通过使氟吸附在正极活性物质的表面，吸附的氟可以与其附近的电解液等发生反应，由此可以抑制电解液的热分解等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116759429A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310648141.3
申请日：2019-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/15 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 本公开涉及显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法。提供一种清晰度高的显示装置。提供一种显示质量高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括衬底、绝缘层、多个晶体管及多个发光二极管的显示装置。多个发光二极管以矩阵状设置于衬底。多个晶体管的每一个与多个发光二极管中的至少一个电连接。多个发光二极管位于与多个晶体管相比更靠近衬底一侧。多个发光二极管向衬底一侧发射光。多个晶体管的每一个包括金属氧化物层及栅电极。金属氧化物层包括沟道形成区域。栅电极的顶面的高度与绝缘层的顶面的高度大致一致。
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公开(公告)号：CN116746279A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280010099.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12
Abstract: 提供一种多功能且高清晰的显示装置。其中包括第一像素，第一像素包括第一发光器件、第二发光器件及第一受光器件，第一发光器件包括第一发光层，第二发光器件包括第二发光层，第二发光器件具有发射白色光的功能，第一发光器件具有与第二发光器件不同颜色的可见光的功能，第一受光器件具有检测第一发光器件的发光的功能，第一发光层的侧面与第二发光层的侧面彼此相对，第一发光层的侧面与第二发光层之间的距离为8μm以下。
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公开(公告)号：CN116134442A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180058948.0
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/14
Abstract: 提供一种运算性能高的半导体装置。本发明的一个方式是一种利用跨导线性原理的半导体装置，该半导体装置包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的第一至第十晶体管及第一电容。第一晶体管的第一端子与第二晶体管的第一端子电连接，第三晶体管的第一端子通过第一电容与第二晶体管的第二端子及第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管的第二端子与第四及第七晶体管的第一端子及第五及第八晶体管的栅极电连接。第七晶体管的栅极与第五及第六晶体管的第一端子电连接，第十晶体管的栅极与第八及第九晶体管的第一端子电连接。
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公开(公告)号：CN115606008A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035657.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所(JP)
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供一种能够植入生物的半导体装置。该半导体装置包括通信部、控制部、存储部、运算部及传感器部。控制部具有控制通信部、运算部、存储部的功能。存储部具有保持识别信息的功能。此外，运算部具有使用第一信息及从所述传感器部供应的第二信息生成第三信息的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号使运算部进行运算処理的功能。控制部具有对应于通过通信部输入的信号将识别信息和第三信息中的一方或双方通过通信部输出到外部的功能。运算部包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管。半导体装置优选被覆盖材料覆盖。
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公开(公告)号：CN115428167A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180029174.9
申请日：2021-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/00 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括电流电压转换部、电流开关部、电压电流转换部以及控制部。电流开关部包括第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管。控制部包括第三晶体管。第一晶体管在沟道形成区域包含氧化物半导体。第二晶体管在沟道形成区域包含氮化物半导体。第三晶体管在沟道形成区域包含硅。第一晶体管设置于第一衬底上。第二晶体管及第三晶体管设置于第二衬底上。
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