公开(公告)号：CN119586349A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380051385.1

申请日：2023-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  肥冢纯一 ,  中田昌孝 ,  岛行德 ,  大野正胜 ,  土桥正佳

IPC: H10D30/67 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种兼具低功耗及高性能的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二导电层、第二导电层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第三导电层以及第一半导体层。第二导电层在与第一导电层重叠的区域中具有到达第一绝缘层的第一开口。第一绝缘层至第三绝缘层及第三导电层在与第一开口重叠的区域中具有到达第一导电层的第二开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面以及第三导电层的顶面及侧面接触。第二晶体管包括第四导电层、第四导电层上的第一绝缘层至第三绝缘层及第三绝缘层上的第二半导体层。

公开(公告)号：CN118946975A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380030581.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  肥塚纯一 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/14 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种能够实现微型化的晶体管。提供一种占有面积小的晶体管。提供一种沟道长度小的晶体管。半导体装置包括第一绝缘层、半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一电极、第二电极及第一导电层。第一绝缘层的侧面位于第一电极上。第二电极位于第一绝缘层上。半导体层与第一电极、第一绝缘层的侧面及第二电极接触。栅极绝缘层具有隔着半导体层与侧面对置的部分。栅电极具有隔着栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分。第一导电层与栅电极接触且具有隔着栅电极、栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分并具有比栅电极厚的部分。

公开(公告)号：CN111788664B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201980014007.X

申请日：2019-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  岛行德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H10K59/10 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。半导体装置通过如下工序制造：形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；形成第一绝缘层的第二工序；在第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；通过对第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成第一导电层重叠于半导体层上的第一区域以及第一导电层不重叠与半导体层上的第二区域的第四工序；以及对导电层进行第一处理的第五工序。第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：CN117693782A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202280052018.9

申请日：2022-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 片山雅博 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  江口晋吾 ,  中村太纪 ,  楠纮慈

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：包括第一下部电极以及位于第一下部电极上的第一有机化合物层的第一发光器件；包括第二下部电极以及位于第二下部电极上的第二有机化合物层的第二发光器件；第一发光器件以及第二发光器件包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，其中，辅助布线包括第一布线层以及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第二布线层在俯视时具有格子状。

公开(公告)号：CN117690933A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311665243.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN111052396B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201880056532.3

申请日：2018-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  中田昌孝 ,  土桥正佳 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一导电层以及第二导电层。第二半导体层位于第一半导体层上，第二导电层位于第二半导体层上，第二绝缘层以覆盖第二导电层的顶面和侧面的方式设置。第二导电层和第二绝缘层具有第一开口，第三半导体层被设置为接触于第二绝缘层的顶面、第一开口的侧面及第二半导体层的位置。第一绝缘层位于第一导电层与第三半导体层之间，第三绝缘层位于第一绝缘层与第一导电层之间，第四绝缘层以围绕第一导电层的方式设置。

公开(公告)号：CN116887634A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202311011380.4

申请日：2019-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  岛行德 ,  黑崎大辅 ,  中田昌孝

IPC: H10K59/131 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H10K59/12 ,  H10K71/00 ,  H01L33/00 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

Abstract: 本公开涉及显示装置及显示装置的制造方法。提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。

公开(公告)号：CN115362561A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180022758.3

申请日：2021-03-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。第一半导体层包括金属氧化物。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极绝缘层及第二栅电极。第二半导体层包含结晶硅。第一绝缘层具有隔着第二绝缘层与第一晶体管重叠的区域。第二绝缘层具有隔着第一绝缘层与第二晶体管重叠的区域。第二绝缘层的膜密度高于第一绝缘层。

公开(公告)号：CN114695562A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210365954.7

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。

公开(公告)号：CN113675275A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110965455.7

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。