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公开(公告)号：CN112635573B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202011577605.9
申请日：2015-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。
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公开(公告)号：CN119013791A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380033870.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括微细尺寸的晶体管的半导体装置。其中第二导电层设置在第一导电层上，第二导电层包括与第一导电层重叠的第一开口，第三导电层设置在第二导电层上，第三导电层包括与第一开口重叠的第二开口，第一绝缘层与第二导电层所包括的第一开口的侧壁接触，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第三导电层的顶面接触，第二绝缘层设置在半导体层上，第四导电层设置在第二绝缘层上，第一绝缘层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与半导体层夹持的区域，半导体层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与第四导电层夹持的区域。
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公开(公告)号：CN118974947A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032991.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H05B33/14 , H05B44/00 , H10K50/10
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一导电层、位于第一导电层上的第二导电层、与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第三导电层、与第三导电层、第一导电层的顶面及第一绝缘层的侧面接触的半导体层、位于第一绝缘层、半导体层及第三导电层上的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上且隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第四导电层，第一导电层的顶面至第二导电层的顶面的最短距离比第一导电层的顶面至第四导电层的底面的最短距离长。
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公开(公告)号：CN111033757B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880056474.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/12 , H10K59/12 , H01L27/15
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。
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公开(公告)号：CN110676324B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910937461.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN111446259B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201911299399.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN110690230B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910929577.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN114093890B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111335062.4
申请日：2017-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L29/786 , H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含氧化物，第二导电膜的端部包括包含铜及另一种元素的区域。
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公开(公告)号：CN108780818B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201780014556.8
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H05B33/14
Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜包括相同的元素。第二氧化物半导体膜包括其结晶性比第一氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。
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公开(公告)号：CN114512547A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210049336.1
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开的发明名称是“氧化物半导体膜及半导体装置”。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。
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