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公开(公告)号：CN108496243A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008233.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 提供了制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括栅极绝缘层和电极，该电极包括相继层压在该栅极绝缘层的预定表面上的第一导电膜和第二导电膜。该方法包括以下步骤：形成包括元素A和元素B的氧化膜作为栅极绝缘层，该元素A是碱土金属，该元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；在氧化膜上形成在有机碱性溶液中溶解的第一导电膜；在第一导电膜上形成第二导电膜；用具有比对于第一导电膜的蚀刻速率更高的对于第二导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻第二导电膜；以及使用第二导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻第一导电膜。
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公开(公告)号：CN105190854B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201480024713.X
申请日：2014-03-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/368 , C09D1/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02628 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01L21/02565 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供用于形成金属氧化物膜的涂布液，其含有：铟化合物；选自镁化合物、钙化合物、锶化合物、和钡化合物的至少一种；选自含有其氧化数的最大正值为IV的金属的化合物、含有其氧化数的最大正值为V的金属的化合物，和含有其氧化数的最大正值为VI的金属的化合物的至少一种；以及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN102844874B8
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201180019311.7
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L21/363
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。
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公开(公告)号：CN106409881A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610616269.1
申请日：2016-07-29
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。场效应晶体管包括：栅电极；源电极和漏电极；设置成邻近于源电极和漏电极且包括n型氧化物半导体的活性层；以及设置于栅电极和活性层之间的栅绝缘层，其中n型氧化物半导体经历用选自二价、三价、四价、五价、六价、七价、和八价阳离子的至少一种掺杂剂的替代掺杂，掺杂剂的化合价大于构成n型氧化物半导体的金属离子的化合价，条件是从所述金属离子排除掺杂剂，并且源电极和漏电极至少在源电极和漏电极与活性层的接触区域中包括选自如下的材料：Au，Pt，和Pd以及包含Au、Pt、和Pd的至少任一种的合金。
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公开(公告)号：CN105190854A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480024713.X
申请日：2014-03-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/368 , C09D1/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02628 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01L21/02565 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供用于形成金属氧化物膜的涂布液，其含有：铟化合物；选自镁化合物、钙化合物、锶化合物、和钡化合物的至少一种；选自含有其氧化数的最大正值为IV的金属的化合物、含有其氧化数的最大正值为V的金属的化合物，和含有其氧化数的最大正值为VI的金属的化合物的至少一种；以及有机溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104823270A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062543.X
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78606 , G09G3/30 , G09G3/344 , G09G3/348 , G09G3/3696 , G09G3/38 , G09G2300/0426 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L29/7869
Abstract: 提供场效应晶体管，其包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
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公开(公告)号：CN106876475B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201611122623.1
申请日：2016-12-08
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 一种场效应晶体管包括：栅电极，其被配置为施加栅极电压；源电极和漏电极，其被配置为将电流送出；有源层，其被置于邻近所述源电极和所述漏电极并由氧化物半导体形成；以及栅极绝缘层，其被置于所述栅电极与所述有源层之间。其中，所述栅极绝缘层包含顺电性非晶氧化物，其包含作为碱土金属的A族元素以及作为从由Ga、Sc、Y，以及镧系元素组成的所述族中选择的至少一个的B族元素，以及其中，所述有源层具有4.0×1017/cm3或更高的载流子密度。
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公开(公告)号：CN110752255A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910662255.7
申请日：2019-07-22
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及一种金属氧化物、场效应晶体管及其制造方法。所述效应晶体管包括源电极和漏电极、栅电极、有源层和栅极绝缘层，所述制造场效应晶体管的方法包括蚀刻栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层是包含A元素和选自B元素和C元素中的至少一种的金属氧化物，A元素是选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te中的至少一种，B元素是选自由Ga、Ti、Zr和Hf中的至少一种，C元素是选自由元素周期表中的第2族元素中的至少一种，当形成选自由源电极和漏电极、栅电极和有源层中的至少一种时，使用蚀刻溶液A，并且当蚀刻栅极绝缘层时，使用蚀刻溶液B，蚀刻溶液B是与蚀刻溶液A类型相同的蚀刻溶液。
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公开(公告)号：CN105684135B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201480059693.X
申请日：2014-10-23
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 场效应晶体管，包括：基体材料；钝化层；在它们之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；在至少所述源电极和所述漏电极之间形成的且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触的半导体层；和与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层的栅电极，其中所述钝化层包含第一钝化层和形成为与该第一钝化层接触的第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，且所述第二钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物。
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公开(公告)号：CN105261649B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510408238.2
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明涉及涂布液、场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统。所述场效应晶体管包括：配置成施加栅电压的栅电极；配置成取出电流的源电极和漏电极；由n‑型氧化物半导体形成且与所述源电极和所述漏电极接触地设置的有源层；以及设置在所述栅电极和所述有源层之间的栅绝缘层，其中所述n‑型氧化物半导体包括选自Re、Ru、和Os的至少一种作为掺杂剂。
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