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公开(公告)号：CN118213378A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410280295.6
申请日：2024-03-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/77
Abstract: 本发明涉及一种智能图像传感芯片，包括：图像传感模块，用于识别视觉信息，将视觉信息转化为模拟电信号，并响应外围电路模块调控实现像素点权重调节；第一外围电路模块，用于将模拟电信号转化为视觉信息每个像素点对应的电流模拟量；第二外围电路模块，用于判别每个像素点的电流模拟量，并根据对应的电流模拟量形成下一周期每个像素点的电压调控信息；信息存储模块，用于对第二外围电路模块的电压调控信息进行短时存储；第三外围电路模块，用于读取信息存储模块中存储的电压调控信息，以对下一周期每个像素点电压进行可控调节，实现视觉信息的筛选。其有益效果是，可根据场景需求，进行单像素点开启概率的实时调控，最终实现智能化的图像采集。
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公开(公告)号：CN116940226B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311208196.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 使其展示出多种电导态，最终开发出可触觉感知本发明公开了一种铁电半导体器件、触觉传 与存储的铁电器件。感存储器及触觉数据读写方法，铁电半导体器件包括：介电质层，介电质层包括第一表面和相对的第二表面；铁电半导体沟道层，设置在介电质层的第一表面；源电极及漏电极，分别设置在所述铁电半导体沟道层第一表面的两侧；背栅电极，设置在所述介电质层的第二表面；单电极摩擦起电层，设置在所述背栅电极的第二表面；所述单电极摩擦起电层通过负载电阻与源电极相连。通过改变施加触觉应力大小，使得铁电晶体(56)对比文件李悦;陈晨;曾华凌.二维α-In_2Se_3的铁电性与器件应用.低温物理学报.2019,(第01期),全文.
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公开(公告)号：CN116469889A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310358414.0
申请日：2023-04-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/118
Abstract: 本发明涉及一种低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法，本发明的低维材料CMOS片上集成芯片为上下两层的堆叠式芯片。上层是低维材料器件功能层，依靠新型低维材料器件实现感光、忆阻等功能拓展；下层是CMOS电路层，为CMOS电路芯片，依靠CMOS工艺流片生产的CMOS芯片实现新型低维材料器件信号的读出、处理功能。两层之间通过CMOS电路芯片上表面预留的电极接口实现互联。本发明能够实现新型的低维材料器件与成熟的CMOS工艺异质集成。该集成方式制备工艺简单、成本低廉、集成度高，融合了低维材料的特有优势，能够极大地推动低维材料器件的应用和CMOS体系的拓展。低维材料CMOS片上集成芯片解决了传统CMOS芯片材料体系单一，功能难以拓展的局限，实现功能创新。
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公开(公告)号：CN113659021A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110806405.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件。该器件包括绝缘层、半导体材料吸收层、正电极、负电极及二维材料薄膜，半导体材料吸收层呈阶梯阵列结构。有光线入射时，由于二维材料的高透光率，光线进入半导体材料并被吸收，不同波长入射光在半导体材料吸收层中的吸收深度不同，因此，对于特定厚度的半导体材料吸收层，对于不同波长的入射光其吸收量不同，对应可贡献光电流不同。各阶梯单元对应的两端电极之间均施加相同恒定电压，分别读取各阶梯单元黑暗和光照条件下产生的电流信号，取二者之差作为最终光电流信号，与预先标定构建的器件不同阶梯单元下响应度‑波长谱建立线性方程组求解最优解，即可获取入射光谱信息。
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公开(公告)号：CN103943281B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410194397.2
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有铜-石墨烯复相导电线芯的电线电缆的制备方法，步骤包括：将硫酸铜、硫酸、表面活性剂和盐酸配制成铜镀液；在铜镀液中加入石墨烯纳米片制得含石墨烯的电镀液；然后以磷铜片为阳极，经清洗的基板为阴极，置于电镀液中电镀，获得具有铜-石墨烯复相镀层的板材，再经轧制和拉伸成为导电线芯。本发明制备的导电线芯由于采用了铜-石墨烯复相，因此获得的电线电缆重量轻、机械强度高、导电性能好、抗氧化以及抗腐蚀性能优异。本发明制备工艺简单，导电线芯的性能可通过电镀工艺的调节进行控制，因此工艺的可控性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943170B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410193891.7
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的电线电缆的核-鞘结构导电线芯，是以铜或铝为核，以铜-石墨烯复相为鞘的核-鞘结构。其制备包括：将硫酸铜、硫酸、表面活性剂和盐酸配制成铜镀液；将石墨烯纳米片加入到铜镀液中，得到含石墨烯纳米片的电镀液；以磷铜片为阳极，去除表面氧化物的铜或铝线为阴极，置于电镀液中电镀，得到以铜或铝为核，以铜-石墨烯复相为鞘的核-鞘结构的导电线芯。本发明的电线电缆的导电线芯具有重量轻、机械强度高、抗腐蚀性能优异、导电性能好以及抗氧化等优点。
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公开(公告)号：CN104300028A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410390595.6
申请日：2014-08-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/107 , H01L31/022408 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L31/1884
Abstract: 本发明公开了一种以氟化石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器及制备方法，所述紫外雪崩光电探测器包括衬底、金属电极、石墨烯叉指电极和氟化石墨烯；氟化石墨烯是一种宽禁带的二维半导体材料，可探测波长小于415nm的光。本发明以氟化石墨烯作为感光材料，石墨烯作为透明叉指电极，可实现对紫外光的探测。氟化石墨烯的电阻可达1TΩ以上，利用氟化石墨烯制作的光电探测器具有非常低的暗电流噪声。本发明以石墨烯和氟化石墨烯两种二维材料为主，可以实现柔性的光电探测器。
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公开(公告)号：CN104060317A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410194217.0
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开的铜-石墨烯复相的制备方法，步骤如下：1）将基板用盐酸去除表面氧化物；2）将硫酸铜、硫酸、盐酸和表面活性剂配制成铜镀液；3）将石墨烯纳米片加入到铜镀液中，得到含石墨烯纳米片的电镀液；4）以磷铜片为阳极，基板为阴极，置于电镀液中电镀，得到铜-石墨烯复相。本发明直接将石墨烯与铜复合，避免了传统方法中GO的还原过程，工艺简单，可控性好，适用范围广，且制得的铜-石墨烯复相电性能、抗氧化性能、机械性能和抗腐蚀性能好。
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公开(公告)号：CN103956354A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410194159.1
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , C25D15/00
Abstract: 本发明公开的以石墨烯为金属化层和扩散势垒层的互连线在绝缘基板上自下而上依次有石墨烯层和铜-石墨烯复相导电层。其制备步骤包括：将石墨烯转移到经清洗的绝缘基板上，使用光刻的方法对石墨烯进行图形化，然后在含石墨烯纳米片的电镀液中通过电镀的方法在该石墨烯上电镀形成铜-石墨烯复相导电层。本发明的互连线以石墨烯作为导电层的扩散势垒层，降低了扩散势垒层的厚度，有利于器件的小型化，并可降低导电层的表面粗糙度，提高其电导，且具有优异的抗腐蚀性能。石墨烯既作为金属化层，又作为导电层的扩散势垒层，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN103943601A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410194333.2
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/306 , H01L21/3065 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开的具有铜-石墨烯复相的互连线在绝缘基板上自下而上依次有铜层和铜-石墨烯复相导电层。其制备步骤包括：使用化学镀的方法在经清洗的绝缘基板上沉积一层铜层，使用光刻的方法对该铜层进行图形化，然后在石墨烯纳米片的电镀液中通过电镀的方法在该铜层上电镀。本发明的互连线以铜-石墨烯复相作为导电层，提高了互连线的导电性、导热性、抗氧化性能、机械性能及抗腐蚀性能。
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