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公开(公告)号：CN120067571A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510092711.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F18/20 , G06V10/764
Abstract: 本发明公开了一种基于扩散式忆阻器的贝叶斯机器硬件的图像分类方法。方法包括：首先制备扩散式忆阻器并构建交叉阵列电路结构，在电压调制阶段将扩散式忆阻器作为贝叶斯机器硬件的概率位；获取带有预设类别标签的参考图像，并统计像素点的先验概率和条件概率；基于先验概率和条件概率，将待分类的图像进行电压‑概率调制并结合非线性变换方法获得调制电压，输入交叉阵列电路结构中，根据导通次数对图像进行分类。本发明引入扩散式忆阻器作为概率位，通过器件的真物理随机特性，优化了交叉阵列电路结构，避免了大量门电路和伪随机数生成器的使用，从而降低计算成本，具有实现复杂任务的计算能力。
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公开(公告)号：CN113659021B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110806405.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件。该器件包括绝缘层、半导体材料吸收层、正电极、负电极及二维材料薄膜，半导体材料吸收层呈阶梯阵列结构。有光线入射时，由于二维材料的高透光率，光线进入半导体材料并被吸收，不同波长入射光在半导体材料吸收层中的吸收深度不同，因此，对于特定厚度的半导体材料吸收层，对于不同波长的入射光其吸收量不同，对应可贡献光电流不同。各阶梯单元对应的两端电极之间均施加相同恒定电压，分别读取各阶梯单元黑暗和光照条件下产生的电流信号，取二者之差作为最终光电流信号，与预先标定构建的器件不同阶梯单元下响应度‑波长谱建立线性方程组求解最优解，即可获取入射光谱信息。
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公开(公告)号：CN116902910A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310608577.X
申请日：2023-05-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法，包括转移二维材料；对二维材料进行热退火，原子力显微镜接触模式扫描等；转移一维材料纳米线；原子力显微镜非接触模式定位纳米线位置；原子力显微镜控制模式旋转移动纳米线，使纳米线和二维材料特定区域接触；原子力显微镜力曲线模式依次扫描纳米线/二维材料接触区域；同时，该纳米球探针通过聚焦离子束仪器的高能氦离子束注入单晶硅表面，通过调节氦离子的注入电压、开关阀门的开启时间定量调控注入的离子剂量；本发明不会引入额外的污染物，并且可以定点、快速、精准处理材料表面，具有在纳米尺度的高度的可行性和可控性，对材料表面的损伤小，可以兼容于不同的器件制备工艺。
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公开(公告)号：CN116469889A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310358414.0
申请日：2023-04-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/118
Abstract: 本发明涉及一种低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法，本发明的低维材料CMOS片上集成芯片为上下两层的堆叠式芯片。上层是低维材料器件功能层，依靠新型低维材料器件实现感光、忆阻等功能拓展；下层是CMOS电路层，为CMOS电路芯片，依靠CMOS工艺流片生产的CMOS芯片实现新型低维材料器件信号的读出、处理功能。两层之间通过CMOS电路芯片上表面预留的电极接口实现互联。本发明能够实现新型的低维材料器件与成熟的CMOS工艺异质集成。该集成方式制备工艺简单、成本低廉、集成度高，融合了低维材料的特有优势，能够极大地推动低维材料器件的应用和CMOS体系的拓展。低维材料CMOS片上集成芯片解决了传统CMOS芯片材料体系单一，功能难以拓展的局限，实现功能创新。
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公开(公告)号：CN116299957A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211104151.2
申请日：2022-09-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种全玻璃球面宽光谱成像镜头，以解决超视觉镜头宽波段的探测需求。该镜头包括从物方到像方依次配置五个透镜，分别为光焦度为正的第一透镜，光焦度为负的第二透镜，光焦度为正的第三透镜，光焦度为正的第四透镜和光焦度为负的第五透镜。第一透镜和第二透镜胶合形成透镜组。镜头第一透镜的材料与第三透镜的材料相同，第四透镜的材料与第五透镜的材料相同。镜头F#为3.8，焦距为45.7mm，总长小于65.0mm。本发明可在340nm‑1550nm波段范围内校正各种像差，解决宽光谱不共焦的问题，实现清晰成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113659021A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110806405.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件。该器件包括绝缘层、半导体材料吸收层、正电极、负电极及二维材料薄膜，半导体材料吸收层呈阶梯阵列结构。有光线入射时，由于二维材料的高透光率，光线进入半导体材料并被吸收，不同波长入射光在半导体材料吸收层中的吸收深度不同，因此，对于特定厚度的半导体材料吸收层，对于不同波长的入射光其吸收量不同，对应可贡献光电流不同。各阶梯单元对应的两端电极之间均施加相同恒定电压，分别读取各阶梯单元黑暗和光照条件下产生的电流信号，取二者之差作为最终光电流信号，与预先标定构建的器件不同阶梯单元下响应度‑波长谱建立线性方程组求解最优解，即可获取入射光谱信息。
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公开(公告)号：CN111180540B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201911405518.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种基于单晶硅纳米膜/石墨烯的柔性光电探测器及制备方法，该光电探测器由聚酰亚胺衬底、金属互连导线、单晶硅纳米薄膜、单原子层石墨烯以及顶层聚酰亚胺组成。本发明基于体硅/石墨烯肖特基异质结光电探测器优异性能的基础上，将体硅减薄到纳米级尺度，使原本大而坚硬的固体硅变得薄而柔且可实现较大程度上的弯曲，经柔性封装材料聚酰亚胺封装后，在保留体硅/石墨烯异质结优异光电探测性能的基础上，还具有了超薄、柔性的优点，结合聚酰亚胺的高绝缘性和良好的生物相容性，大大拓宽了硅/石墨烯异质结光电探测器的应用领域，尤其是生物医学领域、可穿戴电子设备领域等。
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公开(公告)号：CN111158215A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911400367.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明公开一种利用紫外光刻胶作支撑层转印石墨烯进行光刻方法，利用紫外光刻胶作为石墨烯转印支撑层，在把石墨烯转印到目标衬底后，利用紫外光刻胶特性，对光刻胶直接进行光刻、显影工艺，接着对石墨烯进行刻蚀，得到石墨烯图案。该方法弥补了之前使用其它材料作为支撑层对石墨烯进行转印需要先去除支撑层再匀紫外光刻胶进行光刻步骤繁琐的缺陷，同时也避免了之前方法在去除支撑层时由于石墨烯与衬底接触不牢而与衬底脱离的问题，为器件制备及性能分析带来便利。
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公开(公告)号：CN106653891A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611089265.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法，该探测器自下而上依次具有底电极、n型硅基体和开有硅窗口的二氧化硅隔离层，二氧化硅隔离层的上表面覆盖顶电极；顶电极的上表面覆盖硒化铟薄膜，硒化铟薄膜分别与顶电极内侧壁、二氧化硅隔离层上表面、二氧化硅隔离层内侧壁和硅窗口的上表面接触；硒化铟薄膜与n型硅基体接触形成硒化铟/硅异质结。本发明中制备出的γ‐In2Se3材料的薄膜具有窄直接带隙和可见光范围的高吸收系数，该种探测器显示出开关比可达1570的高光电响应，较短响应时间和长期稳定性，此外该光电探测器表现出从紫外到近红外的宽光谱响应特性，这些优异的性能都给更高效的硒化铟/硅光电探测器带来了研究和市场化前景。
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公开(公告)号：CN103943281B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410194397.2
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有铜-石墨烯复相导电线芯的电线电缆的制备方法，步骤包括：将硫酸铜、硫酸、表面活性剂和盐酸配制成铜镀液；在铜镀液中加入石墨烯纳米片制得含石墨烯的电镀液；然后以磷铜片为阳极，经清洗的基板为阴极，置于电镀液中电镀，获得具有铜-石墨烯复相镀层的板材，再经轧制和拉伸成为导电线芯。本发明制备的导电线芯由于采用了铜-石墨烯复相，因此获得的电线电缆重量轻、机械强度高、导电性能好、抗氧化以及抗腐蚀性能优异。本发明制备工艺简单，导电线芯的性能可通过电镀工艺的调节进行控制，因此工艺的可控性强。
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