公开(公告)号：CN105975114A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610124502.4

申请日：2016-03-04

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 张恕铭 ,  黄玉龙 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06K9/00006 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/11 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/0412

Abstract: 本发明提供一种晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法，该晶片尺寸等级的感测晶片封装体包括感测晶片、触板以及着色层。感测晶片具有相对的第一上表面与第一下表面，且包括：感测元件以及多个相邻该感测元件的导电垫，位于邻近该第一上表面处；多个硅通孔，位在第一下表面且露出其所对应的导电垫的表面；多个导电结构，设置于第一下表面；及一重布线层，位于第一下表面以及多个硅通孔内，用以分别连接每一导电垫以及每一导电结构。触板具有相对的第二上表面与第二下表面，且设置于感测晶片上。着色层位于感测晶片与触板之间。本发明不需要选择提高电容值所需要的高介质系数材料，由此降低了生产成本，且可使感测晶片封装模组的效率更高。

公开(公告)号：CN103545295B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310298458.5

申请日：2013-07-16

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  陈世锦 ,  张义民 ,  陈键辉 ,  郑家明 ,  孙唯伦 ,  江承翰

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1416 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；一元件区，设置于该半导体基底之中；一介电层，位于该半导体基底的该第一表面上；多个导电垫，位于该介电层中，且电性连接该元件区；至少一对准标记，设置于该半导体基底之中，且自该第二表面朝该第一表面延伸。本发明可提高晶片封装体的可靠度与品质。

公开(公告)号：CN103325740B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310095231.0

申请日：2013-03-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/562 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶圆堆栈结构及方法，该晶圆堆栈结构包括：基板、设于该基板上且其表面具有凸部的坝块、以及设于该坝块上且具有凹处的晶圆。通过该坝块表面上的凸部嵌卡至该晶圆的凹处，能避免该晶圆的凹处与该坝块之间产生气室，所以在晶圆堆栈结构进行后续封装制程时，该晶圆不致因气室存在而与坝块分离。

公开(公告)号：CN105047619A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510187746.2

申请日：2015-04-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  何志伟 ,  刘沧宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/49811 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。

公开(公告)号：CN104934397A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510087272.4

申请日：2015-02-25

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  郑家明 ,  张恕铭

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02233 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14165 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包含半导体晶片、至少一沟槽、多条第一重布局金属线路以及至少一凸起。半导体晶片具有设置于该半导体晶片的上表面的多个导电垫。沟槽自上表面朝半导体晶片的下表面延伸，且配置于半导体晶片的侧边。多条第一重布局金属线路设置于上表面，所述第一重布局金属线路分别与导电垫电性连接，且分别延伸至沟槽内。凸起设置于沟槽内且位于相邻的第一重布局金属线路之间。本发明能提高晶片封装体的制程良率，并有效降低生产成本。

公开(公告)号：CN102832180B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210201200.4

申请日：2012-06-15

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈键辉 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有多个侧边及多个转角区，其中每一所述转角区位于该基底的所述侧边中的至少其中两个的交叉处；一元件区，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，且电性连接该元件区；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；以及一承载基底，其中该基底设置于该承载基底之上，且该基底于所述转角区的至少其中之一处具有朝该承载基底延伸的一凹陷。本发明能够提升晶片封装体的可靠度。

公开(公告)号：CN102543922B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110406269.6

申请日：2011-12-08

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 张恕铭 ,  陈键辉 ,  何彦仕 ,  刘建宏 ,  姚皓然 ,  温英男

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；一漏极区，位于该半导体基底中；一源极区，位于该半导体基底中；一栅极，位于该半导体基底之上或至少部分埋于该半导体基底之中，其中该栅极与该半导体基底之间隔有一栅极介电层；一漏极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该漏极区；一源极导电结构，设置于该半导体基底的该第二表面上，且电性连接该源极区；以及一栅极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该栅极。本发明可缩小电子产品的尺寸，并可缩短电性信号的传递距离而提升电子产品的效能。

公开(公告)号：CN104112717A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410158301.7

申请日：2014-04-18

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  何彦仕 ,  刘沧宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/494 ,  H01L2224/8536 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括半导体晶片、绝缘层、重布局金属层以及焊接垫。半导体晶片具有第一导电垫设置于下表面、以及第一凹部对应第一导电垫而设置，第一凹部与绝缘层均自上表面朝下表面延伸。第一凹部暴露出第一导电垫。部分绝缘层位于第一凹部中且具有开口以暴露出第一导电垫。重布局金属层具有对应第一导电垫的重布局金属线路，重布局金属线路通过开口与第一导电垫连接。焊接垫配置于绝缘层上且位于半导体晶片的一侧。重布局金属线路延伸至焊接垫，使配置于半导体晶片的下表面的第一导电垫，电性连接于该侧的焊接垫。本发明可有效缩减或免除现有技术所必须具有的打线间距，以使半导体晶片发挥更高的效能。

公开(公告)号：CN104051359A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410080425.8

申请日：2014-03-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林义闵 ,  张义民 ,  张恕铭 ,  何彦仕 ,  刘沧宇 ,  郑家明

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形。本发明有助于晶片封装体的缩小化，且可使晶片封装体的可靠度提升。

公开(公告)号：CN103420322A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310192924.1

申请日：2013-05-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 黄郁庭 ,  张恕铭 ,  何彦仕 ,  刘沧宇

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/64 ,  H01L23/481 ,  H01L23/498 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一半导体基底；一第二半导体基底，设置于该第一半导体基底之上，其中该第二半导体基底包括一下半导体层、一上半导体层、及位于该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且部分的该下半导体层电性接触该第一半导体基底上的至少一接垫；一信号导电结构，设置于该第一半导体基底的一下表面之上，该信号导电结构电性连接该第一半导体基底上的一信号接垫；以及一导电层，设置于该第二半导体基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该第一半导体基底上的该至少一接垫电性接触的该部分。本发明的晶片封装体的下表面上的导电凸块的分布密度可得到舒缓。