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公开(公告)号：CN107078143A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052657.5
申请日：2015-09-25
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/146 , H01L27/14623 , H01L27/14645 , H01L31/10 , H01L51/44 , H01L51/448
Abstract: 本技术涉及能够防止例如氢等物质进入并防止性能的改变的成像装置、制造装置和制造方法。所述成像装置包含：有机光电转换膜；上电极，设置在有机光电转换膜的上部部分中；下电极，设置在有机光电转换膜的下部部分中；以及金属薄膜，设置在有机光电转换膜与上电极之间或有机光电转换膜与下电极之间。金属薄膜设置在有机光电转换膜与上电极之间。上电极由氧化物半导体、金属氧化物和金属薄膜形成。本技术可应用到垂直光谱成像装置。
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公开(公告)号：CN118830086A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025765.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H10K30/60 , H10K39/32
Abstract: 根据本发明的实施方案的摄像元件包括：第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对设置的第三电极；设置在所述第三电极与所述第一和第二电极之间的光电转换层；在所述第二电极上方具有开口并且设置在所述光电转换层与所述第一和第二电极之间的绝缘层；和设置在所述光电转换层与所述绝缘层之间的半导体层，并且所述半导体包括第一层和第二层，所述第一层形成在至少所述第一电极上方，并且所述第二层形成在至少所述第二电极上方，所述第二层经由所述开口电连接至所述第二电极，并且所述第二层在材料组成、结晶性、所含杂质浓度和构成元素中的至少一者上与所述第一层不同。
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公开(公告)号：CN112385044B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201980046197.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K30/65 , H10K39/32 , H10K30/30 , H04N25/76
Abstract: 摄像元件10包括光电转换部，该光电转换部包括相互层叠起来的第一电极21、含有有机材料的光电转换层23A、和第二电极22。在第一电极21和光电转换层23A之间，从所述第一电极侧形成有氧化物半导体层23C和氧化膜23B。
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公开(公告)号：CN112088430B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980029961.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H10K39/38 , H04N25/70
Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
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公开(公告)号：CN118120057A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280069698.5
申请日：2022-09-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本发明的固体摄像装置设置有：像素部，其包括形成在绝缘体的有效像素区域中的透明半导体、形成在所述透明半导体的与所述绝缘体相反的一侧的表面上的有机光电转换膜和形成在所述有机光电转换膜的与所述透明半导体相反的一侧的表面上的透明电极；连接部，所述连接部在所述有效像素区域周围的外围区域中布置在所述绝缘体上，同时连接至向所述透明电极供电的电路；以及配线，所述配线将所述透明电极和所述连接部彼此电连接，并且由透明电极材料形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078143B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201580052657.5
申请日：2015-09-25
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
Abstract: 本技术涉及能够防止例如氢等物质进入并防止性能的改变的成像装置、制造装置和制造方法。所述成像装置包含：有机光电转换膜；上电极，设置在有机光电转换膜的上部部分中；下电极，设置在有机光电转换膜的下部部分中；以及金属薄膜，设置在有机光电转换膜与上电极之间或有机光电转换膜与下电极之间。金属薄膜设置在有机光电转换膜与上电极之间。上电极由氧化物半导体、金属氧化物和金属薄膜形成。本技术可应用到垂直光谱成像装置。
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公开(公告)号：CN112514072A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980048579.X
申请日：2019-06-20
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H01L31/10 , H04N5/369
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够进一步提高可靠性的固态摄像元件。提供了一种固态摄像元件，其从光入射侧起依次至少设置有第一光电转换部和形成有第二光电转换部的半导体基板。所述第一光电转换部至少按说明的顺序包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极。所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。
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公开(公告)号：CN112088430A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980029961.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369
Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
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公开(公告)号：CN104795420B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201410817944.8
申请日：2014-12-24
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本发明提供了一种能够改善器件特性的固态成像元件、其制造方法和电子设备。所述固态成像元件包括：在半导体基板上层叠的绝缘膜；由所述绝缘膜针对每个像素分开形成的下部透明电极膜；在所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的平面上层叠的疏水处理层；在所述疏水处理层上层叠的有机光电转换层；和在所述有机光电转换层上层叠的上部透明电极膜。
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公开(公告)号：CN110024128A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780072818.6
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/42 , H04N5/374
Abstract: 本公开涉及能够抑制由于大气暴露引起的有机光电转换膜的光电转换特性的变动的固态图像拾取元件、固态图像拾取元件的制造方法和电子设备。所述固态图像拾取元件包括：形成在半导体基板的上侧的光电转换膜；和密封所述光电转换膜的侧面的侧壁。所述侧壁包括在所述侧壁正下方的膜的再沉积膜。本公开可以适用于例如CMOS图像传感器等。
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