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公开(公告)号：CN111965426B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010602865.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆是测试结构的基底件。一种多晶硅压阻系数测试结构的测试方法，通过对测试结构时间外部应力或者改变温度,使得薄膜受力发生变化，多晶硅电阻阻值发生变化，通过单一电阻阻值变化可以计算出电阻所对应的压阻系数分量。本发明的优点：本发明所述的多晶硅压阻系数测试结构与方法，在MEMS传感器领域中，实现了精准有效的测试多晶硅的压阻系数，解决了传统方案的不足，提升了精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN111430334B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010347907.0
申请日：2020-04-28
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
Abstract: 一种MEMS 5G通讯射频天线，包括盖帽晶圆，键合界面，衬底晶圆，微型天线，微型天线锚点，中间晶圆，薄膜滤波器，真空腔；衬底晶圆为微型天线提供基座和外接集成电路；微型天线锚点是微型天线与衬底晶圆的接触部分；中间晶圆作为圆锥侧壁的组成部分，在中间晶圆上带有开口；薄膜滤波器为在衬底晶圆上的压电薄膜，形成薄膜滤波器。一种MEMS 5G通讯射频天线的制作工艺，在硅，玻璃，III‑V半导体，GaAs,GaN等集成电路晶圆上，通过LIGA‑光刻图样，平面电印铸模的方法，通过光刻胶在半导体基底平面上形成金属天线模型。本发明的优点：从天线制成和天线脆弱性的保护两方面运用微机械设计和工艺，天线保护材料和结构，不会造成信号的衰减，性能稳定。
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公开(公告)号：CN114593721A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210090909.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
Abstract: 本发明提供了一种基于正交信号消除的突起电极，其特征在于：所述的基于正交信号消除的突起电极，包括突出部分，正交消除电极，刚性质量块，基底；其中：刚性质量块下面设有突出部分，基底上设有正交消除电极，突出部分与正交消除电极相对布置。本发明的优点：本发明所述的基于正交信号消除的突起电极，依靠凸起部分的厚度提高消除效率，减小占用面积。减少了与添加孔相关的质量分布变化，最大程度的减小了在给定传感器上实施解决方案所需要的设计改变。增加了创建具有特殊平滑形状轮廓的凸起的可能性，从而能够将正交力指定为驱动位移的任意函数。
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公开(公告)号：CN114590769A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210090934.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
Abstract: 一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，MEME晶圆上设置有谐振器，MEME晶圆和盖片之间设置有密封金属条，盖片内设置有真空腔，盖片上设置有吸气剂层和过渡金属。硅‑硅键合，键合前通入的还原气体可以还原金属，使其在接下来的退火工艺中更好的与腔体内的气体反应，增强吸气剂的作用，提高真空度。工艺为，750℃‑1100℃高温退火既改善过渡金属的扩散，使其快速到达腔内墙与气体反应，提高真空度，同时也可以使硅烷和氢气通过化学反应消除增加密封性。本发明的优点：利用过渡金属的高速扩散性从真空腔外侧扩散到真空腔内侧墙壁与氧气，氢气，氮气，碳水化合物，水汽等反应，吸附键合后真空腔的残余气体。
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公开(公告)号：CN114057156A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111572795.X
申请日：2021-12-21
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
Abstract: 一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，在盖片内刻蚀有真空腔，在盖片的外侧墙上淀积有过渡金属，过渡金属的扩散，使其到达内侧墙，形成金属吸气层；盖片与晶圆之间设置有密封金属条，谐振腔设置在MEME晶圆上，MEME晶圆和吸气层内带有腔体结构。一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统的工艺，在盖片的外侧墙上淀积过渡金属，形成金属吸气层；高温退火，改善过渡金属的扩散，使其快速到达腔内墙与气体反应，提高真空度，同时也能使硅烷和氢气通过化学反应消除增加密封性。本发明的优点：吸附键合后真空腔的残余气体，可用于陀螺仪，振荡器，薄膜谐振器以及红外，压力传感器等器件的吸附剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111965426A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010602865.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆是测试结构的基底件。一种多晶硅压阻系数测试结构的测试方法，通过对测试结构时间外部应力或者改变温度,使得薄膜受力发生变化，多晶硅电阻阻值发生变化，通过单一电阻阻值变化可以计算出电阻所对应的压阻系数分量。本发明的优点：本发明所述的多晶硅压阻系数测试结构与方法，在MEMS传感器领域中，实现了精准有效的测试多晶硅的压阻系数，解决了传统方案的不足，提升了精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN111504293A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010472675.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
IPC: G01C19/56
Abstract: 一种同轴频率调制MEMS陀螺仪，包括硅弹簧、锚点、内部质量块、外部质量块、感应梳齿状结构、共振微调；共振微调设置在内部质量块的四个侧面以及外部质量块的四个侧面上；四个感应梳齿状结构设置在内部质量块的周围，分别通过硅弹簧与内部质量块连接；四个感应梳齿状结构和四个锚点间隔布置成环状，之间通过硅弹簧连接，四个感应梳齿状结构分别通过硅弹簧与布置在外部质量块的四个侧面上的共振微调连接。本发明的优点：同轴频率调制陀螺仪有两个同轴质量块，其中一个是外部质量块为框架结构，另一个质量块为内部质量块。两个质量块具有相同的中心。这种同轴双质量块结构可以消除由于工艺和温度渐变引起的漂移，测量精度高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN111486836A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010452050.9
申请日：2020-05-26
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
IPC: G01C19/5776
Abstract: 一种MEMS芯片级正交信号消除装置，框架电极设置在框架质量块上面，质量块上面通过弹簧设置在框架质量块上，质量块下面通过阻尼器与框架质量块连接，质量块下面对应感应电极，框架质量块通过弹簧和阻尼器与外部框架连接；框架电极和框架电容转换器连接。一种MEMS芯片级正交信号消除装置的消除方法，利用一个与正交信号相关的机械信号来补偿传感元件信号中的中的正交信号，机械信号是由框架质量块沿感测方向的位移，框架质量块是陀螺仪的刚性部分，与正交信号成一定比例。本发明的优点：不需要额外的电路，降低成本。不需要修正，没有量化误差，大大节省了最终检测时间，不由于模拟前端的相位失配产生新的偏执。本质上对于正交变化不敏感。
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公开(公告)号：CN111477737A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010391523.9
申请日：2020-05-11
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
IPC: H01L41/113 , H01L41/22 , G01L1/16 , G01L9/08
Abstract: 一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层，金属圆片，金属薄膜，键合界面，金属连接层；硅电阻层组成电桥，金属圆片为硅电阻层提供衬底结构，硅晶圆与金属圆片键合形成键合界面，金属连接层起到电路连接的作用。一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器制备工艺，硅电阻层：利用光刻，刻蚀和减薄工艺制程，为高温压力传感器电阻层；金属圆片为高温压力传感器主体结构，硅晶圆与金属圆片键合形成的键合界面由环氧树脂、玻璃、焊料构成可以由丝网印刷或光刻；金属连接层：利用物理气相沉积、光刻，剥离技术制成。本发明的优点：原理结构简单，精度高，稳定性好，有效克服传统高温高压传感器在高温下精度低、稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN111426413A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010410415.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种新型底装式搅拌机及其使用方法。一种新型压力传感器，惠斯通主桥上带有惠斯通主桥输入电源和斯通主桥输出端；惠斯通次级桥电阻R1’，惠斯通次级桥电阻R2’，惠斯通次级桥电阻R4’和惠斯通次级桥电阻R3’顺次串联形成惠斯通次级桥，惠斯通次级桥上带有惠斯通次级桥输入电源和惠斯通次级桥输出端。一种新型压力传感器的设计方法，采用压阻式压力传感器温度补偿方法，次级惠斯通电桥信号用来对压阻压力传感器进行温度补偿；次级电信号来源于位于敏感薄膜上的次级惠斯通电桥，主惠斯通电桥对于外界应力敏感，次级惠斯通电桥也能对外部压力敏感，利用次级惠斯通电桥的信号能增强压力传感器灵敏度。本发明的优点：原理结构简单，精度高，有效实现温度补偿，市场前景广泛。
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