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公开(公告)号：CN113992179B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111469524.1
申请日：2021-12-03
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
Abstract: 一种具有片上温度补偿的双谐振器，锚点通过弹簧与振荡器连接，驱动电极和感应电极与振荡器连接，振荡器表面带有重掺杂氧化层；分为高温振荡器和低温振荡器两段，低温振荡器与MEMS芯片边缘呈15‑40度的夹角。一种具有片上温度补偿的双谐振器的生产工艺，刻蚀电极和低温振荡器天窗：通过深紫外刻蚀技术在SOI的器件层上刻蚀天窗，以形成振荡器与金属导线间的欧姆接触，沉积金属电极；将MEMS晶圆与电路晶圆键合：减薄抛光，形成终端互联。本发明的优点：通过频率温度补偿调整谐振器固有频率，提高压力传感器的输出精度，可以应用于MEMS谐振式压力传感器，或定时谐振器，过滤器，陀螺仪，谐振式化学传感器等领域。
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公开(公告)号：CN111430870B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202010338081.1
申请日：2020-04-26
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
IPC: H01P7/06
Abstract: 一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，封堵结构，顶层金属件，谐振器结构；底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层，中间硅层为在底层氧化层上沉积的硅薄膜，中间氧化层为在中间硅层形成的氧化层；顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜。一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构的制备方法，衬底硅作为谐振器的支撑层，SOI晶圆的埋层氧化层或者利用热氧化或者化学气相沉积技术在底层硅上沉积的氧化层，形成空腔。本发明优点：采用硅与氧化层叠层结构，氧化物封堵开口技术，CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口；在硅晶圆上沉积氧化层和硅薄膜，是密封单晶硅谐振器的新结构性能稳定，新工艺和新方法。
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公开(公告)号：CN113998661A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111470138.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 梁泽山
Abstract: 一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件，传感器芯片由MEMS晶圆与CMOS晶圆键合组成；两层吸气金属，使得键合后腔体成为真空，CMOS晶圆是由硅基底芯片和CMOS芯片中的N井在P型衬底上通过离子注入形成，有源区为CMOS器件的主要部分；CMOS晶圆内纵向布置有硅基底背部穿孔后金属填充部分，硅基底背部穿孔后金属填充部分的底部设置有与孔连接的晶粒和传感或致动部件，钝化层和金属层依次设置在CMOS晶圆上方，金属键合点设置在金属层和MEMS晶圆之间，MEMS晶圆内设置有MEMS晶圆腔体。本发明的优点：取消了薄膜吸气剂层，用金属吸气层代替其功能，还有导电作用，也可作为垂直电极，使得工艺更加简单。
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公开(公告)号：CN113916415A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111256806.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种阳极压力传感器结构，硅压力传感器芯片与玻璃芯片阳极键合，玻璃芯片与低金属热导系数的垫片键合，然后再与压力传感器不锈钢管壳焊接在一起，用金属封装金属密封外壳密封，内部装有硅压力传感器芯片和键合引线，使用EVG 520进行玻璃芯片、硅压力传感器芯片到低金属热导系数的垫片的阳极键合，在金属封装内孔，压力传感器不锈钢管壳和金属密封外壳之间的焊缝镀有金属Ni，Cr，压力传感器不锈钢管壳和低金属热导系数的垫片之间的缝隙镀有金属Ni，Cr，以防止腐蚀性流体腐蚀，工业封装使用焊接或六角螺母。本申请方案引入了低温度系数金属垫片层，利用晶圆键合技术将芯片和垫片层连接，利用激光焊接将金属垫片焊接在金属底座上，传感器封装全程只有晶圆键合和激光焊接工艺。
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公开(公告)号：CN111458625A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010424735.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种MEMS芯片唯一标识符装置，包括MEMS芯片，MEMS芯片敏感元件区域，MEMS芯片唯一标识符电阻，MEMS芯片唯一标识符电阻焊盘；MEMS芯片敏感元件区域是MEMS芯片的主要敏感元件区域，有多种结构；MEMS芯片唯一标识符电阻的焊盘，用于电阻条的电学连接。一种MEMS芯片唯一标识符装置的实现方法，在晶圆分选测量过程中被编写到测试程序中，芯片在晶圆内所在位置在测试过程中会由测试机台辨识，测试结果和X，Y,坐标数据和晶圆ID(w)组成的唯一标识符匹配。本发明的优点：永久保存在MEMS芯片中的唯一标识符。能利用唯一标识符提高可追溯性和可测试性。既能专门设计，也能通过共用MEMS产品中现有专用集成电路实现，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111430334A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010347907.0
申请日：2020-04-28
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
Abstract: 一种MEMS 5G通讯射频天线，包括盖帽晶圆，键合界面，衬底晶圆，微型天线，微型天线锚点，中间晶圆，薄膜滤波器，真空腔；衬底晶圆为微型天线提供基座和外接集成电路；微型天线锚点是微型天线与衬底晶圆的接触部分；中间晶圆作为圆锥侧壁的组成部分，在中间晶圆上带有开口；薄膜滤波器为在衬底晶圆上的压电薄膜，形成薄膜滤波器。一种MEMS 5G通讯射频天线的制作工艺，在硅，玻璃，III-V半导体，GaAs,GaN等集成电路晶圆上，通过LIGA-光刻图样，平面电印铸模的方法，通过光刻胶在半导体基底平面上形成金属天线模型。本发明的优点：从天线制成和天线脆弱性的保护两方面运用微机械设计和工艺，天线保护材料和结构，不会造成信号的衰减，性能稳定。
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公开(公告)号：CN111413794A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010337452.4
申请日：2020-04-26
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 孙斯佳
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种压电式微镜的结构，包括衬底晶圆，反射镜金属表面，悬臂梁结构，金属连接线，压电薄膜，盖板晶圆，键合界面，吸气剂盒；衬底晶圆作为微镜的支撑与结构层，金属连接线为薄膜状连接线，压电薄膜在悬臂梁结构上；一种压电式微镜的结构的制备方法，衬底晶圆作为微镜的支撑与结构层，在晶圆键合后形成空腔；利用物理气相沉积计划，光刻技术、刻蚀或剥离技术、剖光技术制作微镜的金属反射镜面；压电薄膜利用物理气相沉积或化学气相沉积技术、光刻技术、刻蚀技术在悬臂梁上制成。本发明的优点：加工简单，采用悬臂梁结构，悬臂梁结构上沉积压电材料和利用金属表面作为反射镜，可封装一个或多组排列的镜面，具有光学开关作用及较高的偏转角度，位移控制精确。
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公开(公告)号：CN111399116A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010331127.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 张晓磊
Abstract: 一种堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆，光波导层，光纤，光纤底座，键合界面；衬底晶圆之间带有键合界面，衬底晶圆上带有光波导层，在衬底晶圆上带有光纤底座，光纤固定在光纤底座上，多层衬底晶圆为整体结构，实现堆叠式多光波导器件。一种堆叠式光波导结构的制备方法，在衬底晶圆上利用刻蚀方法，制作出光纤底座，光纤固定在光纤底座上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。本发明的优点：应用于平面光波方向改变，光束分裂，以及光束干涉，从而传递光信号，结构和工艺性能稳定，传输损耗小。
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公开(公告)号：CN111358446A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010322896.0
申请日：2020-04-22
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 白羽
Abstract: 一种医疗用温度和化学传感器结构及制备方法，温度传感器和湿度传感器均是由金属薄膜，玻璃衬底，钝化层组成；在金属薄膜和玻璃衬底之间，带有一层金属粘附层，温度传感器外部带有金属薄膜，湿度传感器外面带有金属薄膜，玻璃衬底设置在温度传感器和湿度传感器下面，钝化层设置在金属薄膜侧面。金属薄膜，能由铂、镍、铱、镍铬合金、Balco、铑金属组成，由物理气相沉积方法完成；钝化层，为聚酰亚胺或者金属氧化层。本发明的优点：将传感器安装在医院的病床和轮椅上可以监测病人的体温，判断是否发烧；监测病床上的湿度，以更换床单或床垫。将温度和湿度集成起来，传感器的测量可以无线或是远程的，使用更加方便，制备方法简单，性能稳定。
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公开(公告)号：CN110113027B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201910434101.2
申请日：2019-05-23
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
Abstract: 一种薄膜腔声谐振滤波器，包括器件主部分，盖帽部分，第一层金属层，压电层，金属层，第二层压电层，键合金属，吸气薄膜，通孔部分，焊接凸点，腔体一，腔体二；盖帽部分内部上面设置有吸气薄膜，盖帽部分上带有通孔部分，焊接凸点位于通孔部分上方；第二层压电层、金属层和键合金属设置在器件主部分和盖帽部分之间，器件主部分和盖帽部分之间通过键合工艺结合在一起。一种薄膜腔声谐振滤波器制备方法，器件部分与盖帽部分通过键合工艺结合在一起，键合后，盖帽部分利用晶圆减薄工艺，进行减薄；第二层压电层AlN，AlScN，压电陶瓷中的一种、几种或是合金。本发明的优点：方案结构合理，产品可靠性得到了很大提高，简化了制备工艺，提高产品质量。
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