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公开(公告)号:CN106852140A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201580057449.4
申请日:2015-09-18
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种具有多个基板的微电子构件系统以及一种相应的制造方法。具有多个基板的微电子构件系统包括构造为具有第一集成度的电路基板的第一基板(C1)、构造为具有第二集成度的电路基板的第二基板(C2)和第三基板(C3),该第三基板构造为MEMS‑传感器基板并且压接到第二基板(C2)上。第二和第三基板压接到第一基板(C1)上。第一集成度大幅度地大于第二集成度。
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公开(公告)号:CN106461492A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580019872.5
申请日:2015-04-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01L23/10 , G01L23/18 , G01L23/24 , G01N27/407
CPC classification number: G01L23/24 , G01L23/10 , G01L23/18 , G01N27/4067 , G01N27/407 , G01N27/4071
Abstract: 本发明涉及一种用于探测气体的参数的装置(100)。装置(100)包括至少一个用于容纳来自外室(108)的气体的腔(104),至少一个用于将腔对外室(108)的膜(106)的第一侧(110)具有第一层(114)导电的材料和面对的腔(104),与第一侧(110)相对置的,膜(106)的第二侧(112)具有第二层(116)导电的材料,和其中,膜(106)的至少一个区段具有离子导电的材料,和至少一个布置在膜(106)处的、用于探测在腔(104)中的气体压力的压力测量元件(118)。(104)相对于外室(108)分开的膜(106),其中,面
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公开(公告)号:CN105050941A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201480014120.5
申请日:2014-03-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00412 , B81C2201/0177 , B81C2201/0188
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械元件的加工方法和相应的微机械元件。该加工方法包括步骤:制备一衬底(1),具有在结构部位(3a-3e)露出的启动层(1c),其中所述结构部位(3a-3e)具有顶面(O)和侧向的侧面(F),其中在顶面(O)上设有催化层(2),它适合于,促进形成结构的单晶启动层(1c)的外露顶面(O)的硅生长,并且在侧面(F)上没有催化层(2);并且在单晶启动层(1c)的顶面(O)上利用催化层(2)在反应气体氛围中执行选择性生长工艺,用于构成微机械的功能层(3’)。
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公开(公告)号:CN104904027A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201480004637.6
申请日:2014-01-10
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L41/083 , H01L41/27 , H01L41/293
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/0815 , H01L41/083 , H01L41/0831 , H01L41/27 , H01L41/293 , H01L41/297 , Y10T29/43
Abstract: 本发明涉及一种多层电极系统以及一种用于制造多层电极系统(300)的方法。该方法包括:提供载体衬底(100)的步骤,所述载体衬底具有在所述载体衬底(100)的上侧(102)中的凹陷(104),其中凹陷(104)的至少一个壁被构造为相对于载体衬底(100)的与上侧(102)相对的下侧倾斜;以及将多层堆叠施加到载体衬底(100)的上侧(102)上的步骤,所述多层堆叠至少具有第一电极层、第二电极层、以及布置在第一电极层与第二电极层之间的压电体层,其中凹陷(104)的所述至少一个壁和底部被多层堆叠的至少一个片段覆盖,以便形成多层电极系统(300)。
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公开(公告)号:CN104204755A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201380019457.0
申请日:2013-03-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01L13/026 , G01L19/0618
Abstract: 本发明涉及一种具有高动态的测量区域的微机械的压力传感器。该压力传感器具有两个压力敏感的、闭合的传感器薄膜,其中,两个传感器薄膜中的每一个传感器薄膜可以耦接到一自身的压力贮存器上;还具有一布置在传感器薄膜之间的止挡装置,该止挡装置具有下列元件:一锚固元件,用于将止挡装置锚固在传感器薄膜中的至少一个传感器薄膜上;至少一个将两个传感器薄膜基本上刚性连接的耦接元件;多个支撑元件,传感器薄膜中的一个传感器薄膜在定义的几何上的偏移的情况下能与支撑元件接触;以及一密封元件,用于密封止挡装置。通过两个传感器薄膜的基本上刚性的耦接,有利地取消了单个的绝对压力值的相减。
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公开(公告)号:CN104145476A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201380012466.7
申请日:2013-01-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种传感器装置(1),其具有:红外传感器(2),所述红外传感器被设计用于检测红外辐射并且输出红外图像数据(4a);以及至少一个加速度传感器(3),所述加速度传感器被设计用于检测所述传感器装置(1)的瞬时加速度并且输出加速度数据(4b),其中如果所述传感器装置(1)的瞬时加速度超过可预先给定的阈值,那么所述红外图像数据(4a)从所述红外传感器(2)的输出被阻止。
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公开(公告)号:CN103681836A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310427220.8
申请日:2013-09-18
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7788 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/42372 , H01L29/66462 , H01L29/7789 , H01L29/7855 , H01L2924/1033
Abstract: 本发明实现了一种垂直的微电子元件以及相应的制造方法。该垂直的微电子元件包括半导体基(1;1’’’)以及大量在半导体基(1;1’’’)的正面(O)上形成的鳍状物(1a、1b)的结构,所述半导体基具有正面(O)和背面(R),所述鳍状物具有相应的侧壁(S)和相应的上侧(T)并且通过凹穴(G)相互分开。每个鳍状物(1a、1b)包括至少一个GaN/AlGaN-异层区域(2a、2b)以及至少一个门接口区域(G1-G4),所述GaN/AlGaN-异层区域形成在侧壁(S)上并且具有嵌入的通道区域(K),该通道区域基本上平行于侧壁(S)延伸,所述门接口区域在GaN/AlGaN-异层区域(2a、2b)上方与所属的凹穴(G)中的通道区域(K)电绝缘地布置在侧壁(S)上。共同的源接口区域(SL)布置在鳍状物(1a、1b)上方并且与鳍状物(1a、1b)上侧(T)附近的通道区域(K)的各个第一端部连接。共同的排出接口区域(DL)布置在背面(R)的上方并且与半导体基(1、1’’’)的正面(O)附近的通道区域(K)的各个第二端部连接。
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