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公开(公告)号：KR1020170072796A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020160167682
申请日：2016-12-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은흑린두께조절방법에관한것으로서, 본발명의실시예에따른흑린두께조절방법은 (a) 반응챔버(10) 내의지지대(20) 상에흑린단편(1)을배치하는단계(S100), 및 (b) 자외선램프(30)를이용하여흑린단편(1)에자외선을조사하는단계(S200)를포함하여, 자외선이대기중에서오존을발생시키고, 오존이수산화라디칼을생성하여, 흑린단편(1)을식각한다.
Abstract translation: 本发明涉及heukrin厚度方式的控制，根据本发明包括下列步骤的一个实施例控制heukrin厚度：（a）使（1）上的支撑件（20）在所述室（10）放置heukrin片（S100） （b）使用紫外线灯（30）用紫外线照射黑色片（1），其中紫外线在大气中产生臭氧，臭氧产生羟基自由基， （1）被蚀刻。
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32.发明授权
公开(公告)号：KR101357402B1
公开(公告)日：2014-02-07
申请号：KR1020120006815
申请日：2012-01-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 주식회사 스템랩
IPC: C12N5/079 , C12N5/0797 , C12N5/02
Abstract: 본 발명은 배양 배지에 퍼모파민(Purmorphamine), TGF-β 타입 I 리셉터 억제제(TGF-β type I receptor inhibitor) 및 히스톤 디아세틸라아제 억제제(histon deacetylase inhibitor)를 첨가하여 체세포를 배양하여 체세포를 신경상피세포로 유도하는 단계를 포함하는, 직접적 역분화를 통해 체세포로부터 신경상피세포 및 신경줄기세포를 유도하는 방법 및 이에 이용되는 역분화 유도용 배지 조성물에 관한 것이다. 상기 구성의 본 발명은 유전자 도입 없이 저분자성 물질만을 이용하여 안전하고 높은 효율로 체세포로부터 화학적 유도 신경상피세포 (Chemically Induced Neuroepithelial cell; ciNE) 및 유도 신경줄기세포 (Chemically Induced Neural Stem Cell; ciNSC)로 직접적 역분화하는 방법을 제시하여, 유전자 조작 없는 자가세포를 이용한 신경질환계 세포치료제 개발에 매우 유용하게 이용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101300790B1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：KR1020120039301
申请日：2012-04-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/073 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543
Abstract: PURPOSE: A CdTe thin film solar cell having a diffusion barrier layer and a manufacturing method thereof are provided to improve stability by preventing the diffusion of a back contact electrode material due to the diffusion barrier layer including a graphene thin film. CONSTITUTION: A Cds thin film (13) is deposited on a transparent conduction oxide layer. A CdTe thin film (14) is deposited on the Cds thin film. A diffusion barrier layer is deposited on the CdTe thin film. The diffusion barrier layer includes a graphene thin film (15). A back contact electrode (16) is formed on the diffusion barrier layer.
Abstract translation: 目的：提供具有扩散阻挡层的CdTe薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过防止由于包括石墨烯薄膜的扩散阻挡层引起的背面接触电极材料的扩散来提高稳定性。 构成：CdS薄膜（13）沉积在透明导电氧化物层上。 CdTe薄膜（14）沉积在Cds薄膜上。 扩散阻挡层沉积在CdTe薄膜上。 扩散阻挡层包括石墨烯薄膜（15）。 背面接触电极（16）形成在扩散阻挡层上。
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34.发明公开
公开(公告)号：KR1020130085767A
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020120006815
申请日：2012-01-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 주식회사 스템랩
IPC: C12N5/079 , C12N5/0797 , C12N5/02
Abstract: PURPOSE: A method of inducing a neuroepithelial cell and a neural stem cell from a somatic cell through a direct dedifferentiation is provided to make a gene manipulation unnecessary through an establishment of induction technique to a neural stem cell by a treatment of low molecular material and to reduce an incubation time by not passing through a dedifferentiation stem cell. CONSTITUTION: A method of inducing a neuroepithelial cell and a neural stem cell from a somatic cell through a direct dedifferentiation includes a step of inducing a somatic cell to a neuroepithelial cell by cultivating somatic cells with addition of purmorphamine, TGF-β type I receptor inhibitor, and histon deacetylase inhibitor to a culture medium. A selective inhibitor of Rho-associated kinase of ROCK is more included in a culture medium. A culture medium comprises DMEM/F12, N2 supplement, B27 (serum supplement), bFGF (basic fibroblast growth factor), and EGF (Epidermal Growth Factor).
Abstract translation: 目的：提供通过直接去分化从体细胞诱导神经上皮细胞和神经干细胞的方法，以通过对低分子材料的治疗向神经干细胞建立诱导技术而使基因操作变得不必要，以及 通过不通过去分化干细胞减少孵育时间。 构成：通过直接去分化从体细胞诱导神经上皮细胞和神经干细胞的方法包括通过加入纯吗啡胺，TGF-βI型受体抑制剂培养体细胞来诱导神经上皮细胞的体细胞的步骤 ，和组蛋白脱乙酰酶抑制剂。 ROCK的Rho相关激酶的选择性抑制剂更多地包括在培养基中。 培养基包括DMEM / F12，N2补充剂，B27（血清补充剂），bFGF（碱性成纤维细胞生长因子）和EGF（表皮生长因子）。
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公开(公告)号：KR1020110082357A
公开(公告)日：2011-07-19
申请号：KR1020100002308
申请日：2010-01-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/44 , H01L2933/0025
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device with a reflection preventing film and a manufacturing method thereof are provided to form a GRIN(Graded Refractive Index) reflection preventing film by simple processes, thereby drastically reducing the manufacturing time and costs of the GRIN reflection preventing film. CONSTITUTION: A light generating unit(120) is made of a semiconductor on a substrate(110). A polymer layer(130) is formed on the light generating unit. A plurality of beads(140) is applied on the polymer layer. The polymer layer is heated at a temperature higher than a glass transition temperature so that some beads are precipitated in the polymer layer. A hemi spherical groove part(135) is formed on the polymer layer.
Abstract translation: 目的：提供具有防反射膜的半导体发光器件及其制造方法，以通过简单的工艺形成GRIN（渐变折射率）反射防止膜，从而大大降低了GRIN防反射膜的制造时间和成本。 构成：光发生单元（120）由衬底（110）上的半导体制成。 在光产生单元上形成聚合物层（130）。 在聚合物层上施加多个珠（140）。 在高于玻璃化转变温度的温度下加热聚合物层，使得一些珠子在聚合物层中沉淀。 在聚合物层上形成半球形凹槽部分（135）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101003454B1
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：KR1020090014909
申请日：2009-02-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는, 기판, 기판 상면에 반도체로 구성된 광발생부, 기판의 하면에 배치되며 하면에 복수의 홈부가 형성되어 있는 고분자층, 홈부에 일부분이 삽입되어 있는 복수의 비드, 그리고 비드의 굴곡을 따라 형성된 금속 반사막을 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조 방법에서는, 기판 상면에 반도체로 구성된 광발생부를 형성한 다음, 기판의 하면에 복수의 비드를 도포한다. 그러고 나서, 비드의 굴곡을 따라 금속 반사막을 형성한다. 본 발명에 따르면, 우수한 광추출효율을 갖는 반도체 발광소자를 간단한 공정으로 제조할 수 있어 양산성이 높으며 재현성 또한 높다.
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公开(公告)号：KR100996911B1
公开(公告)日：2010-11-29
申请号：KR1020070017200
申请日：2007-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: LED의 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따른 LED의 제조방법은 (a) 말단에 히드록시기를 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 랜덤공중합체를 이용하여 석영기판의 상부면에 표면개질층을 적층하고 뉴트럴 브러쉬(neutral brush)를 형성하는 단계; (b) 상기 뉴트럴 브러쉬의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계; (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막 중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; (d) LED의 발광면과 상기 나노템플레이트가 형성된 석영기판의 하부를 부착하는 단계; (e) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계; 및 (f) 상기 석영기판을 이용하여 상기 LED의 상부면을 식각하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 제조시간을 절감하면서도 LED의 상부면에 수직방향으로 복수개의 나노크기 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어서 광추출 효율이 우수하고 LED에는 열에 의한 악영향을 미치지 않기 때문에 장수명을 갖는 LED를 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020100095885A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020090014909
申请日：2009-02-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing time and costs by using only a low thermal process and a thin film forming process through a simple process like spin coating. CONSTITUTION: A light generator(20) is composed of a semiconductor on the upper side of a substrate. A plurality of polymer layers(30) are arranged on the lower side of the substrate. A plurality of grooves are formed on the lower side of the polymer layers. A plurality of beads are partially inserted into the groove. A metal reflection layer(50) is formed along the curve of the bead. The polymer layer is made of PS(polystyrene) or BCB(bis-benzo cyclobutene). The bead is made of an oxide bead or polymer bead.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过仅通过简单的方法如旋涂仅使用低热处理和薄膜形成工艺来减少制造时间和成本。 构成：光发生器（20）由衬底上侧的半导体构成。 多个聚合物层（30）布置在基底的下侧。 在聚合物层的下侧形成有多个槽。 多个珠部分地插入凹槽中。 沿着珠的曲线形成金属反射层（50）。 聚合物层由PS（聚苯乙烯）或BCB（双 - 苯并环丁烯）制成。 珠由氧化物珠或聚合物珠制成。
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公开(公告)号：KR100968241B1
公开(公告)日：2010-07-06
申请号：KR1020070017204
申请日：2007-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 (a) 말단에 히드록시기를 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 랜덤공중합체를 이용하여 석영기판의 상부면에 표면개질층을 적층하고 뉴트럴 브러쉬(neutral brush)를 형성하는 단계; (b) 상기 뉴트럴 브러쉬의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계; (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; (d) 태양전지의 표면에 상기 나노템플레이트가 형성된 석영기판의 하부를 부착하는 단계; (e) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계; 및 (f) 상기 석영기판을 이용하여 상기 태양전지의 표면을 식각하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 제조비용을 절감하면서도 태양전지의 표면에 수직방향으로 복수개의 나노크기 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어서 광전변환 효율이 우수하고 태양전지에는 열에 의한 악영향을 미치지 않기 때문에 장수명을 갖는 태양전지를 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100951855B1
公开(公告)日：2010-04-12
申请号：KR1020080005966
申请日：2008-01-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 발광다이오드 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 발광다이오드(Light Emitting Diode ; LED) 발광면에 폴리에틸렌옥사이드-폴리메틸메타크릴레이트-폴리스티렌 삼중블록공중합체(poly(ethylene oxide-b-methyl methacrylate-b-styrene ; PEO-b-PMMA-PS)를 이용하여 삼중블록공중합체막을 형성한다. 그리고 삼중블록공중합체막이 폴리스티렌 기지(matrix) 영역 내에 발광다이오드 발광면에 수직한 폴리에틸렌옥사이드 영역과 폴리메틸메타크릴레이트 영역으로 이루어진 실린더 형상의 미세구조를 갖는 형태가 되도록, 삼중블록공중합체막을 어닐링한다. 그리고 어닐링된 삼중블록공중합체막 중 폴리에틸렌옥사이드 영역 및 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거하여 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하고, 나노템플레이트를 이용하여 발광다이오드 발광면을 식각한다. 본 발명에 따르면, 삼중블록공중합체를 이용하여 저온에서 두꺼운 나노템플레이트를 형성시킴으로서, 발광다이오드 발광면에 복수 개의 종장형 나노 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어 우수한 광추출 효율을 갖는 발광다이오드를 제조할 수 있다.
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