흡탈착 성능이 증진된 이산화탄소 흡착제 및 이의 제조방법
    3.
    发明授权
    흡탈착 성능이 증진된 이산화탄소 흡착제 및 이의 제조방법 有权
    具有改善的吸收 - 脱附性能的二氧化碳吸附剂及其制造方法

    公开(公告)号:KR101628033B1

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:KR1020140033183

    申请日:2014-03-21

    CPC classification number: Y02A50/2342 Y02C10/08 Y02P20/152

    Abstract: 본발명은흡탈착성능이증진된이산화탄소흡착제및 이의제조방법에관한것으로서, 구체적으로다공성실리카입자표면에아미노실란화합물이화학적으로결합되어있고, 동시에상기다공성실리카입자기공에아민화합물이물리적으로함침되어있는이산화탄소흡착제에관한것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 본발명의이산화탄소흡착제는종래아민화합물이화학적으로만결합되어있는실리카입자나, 종래아민화합물이함침되어있는실리카입자를이산화탄소흡착제로사용했던경우에서는결코달성할수 없었던저온에서이산화탄소흡착률이약 50% 이상증가되었고, 뿐만아니라, 실리카입자에결합되어있는아미노실란화합물과아민화합물간의인력때문에반복사용에따른안정성이우수하며, 종래아민화합물이고분자지지체에물리적으로함침되어있어, 반복사용시, 아민이침출되어흡착제의수명을감소시키는문제점을해결할수 있어, 흡착률및 내구성이우수한이산화탄소흡착제로유용하게사용될수 있다.

    이산화탄소 흡착용 폴리비닐리덴 플루오라이드 기반 탄소나노섬유 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    이산화탄소 흡착용 폴리비닐리덴 플루오라이드 기반 탄소나노섬유 및 그 제조방법 有权
    用于二氧化碳吸附的聚氯乙烯氟化碳纳米纤维及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020150118840A

    公开(公告)日:2015-10-23

    申请号:KR1020140045003

    申请日:2014-04-15

    Abstract: 본발명은 (a) 할로겐화고분자를이용하여할로겐화고분자나노섬유를제조하는단계; (b) 상기할로겐화고분자나노섬유를탈할로겐화처리하는단계; 및 (c) 상기탈할로겐화처리된할로겐화고분자나노섬유를탄화시키는단계를포함하는이산화탄소흡착용다공성탄소나노섬유제조방법에의하여제조된다공성탄소나노섬유는높은비표면적과기공부피, 빠른흡착/탈착속도그리고열적및 화학적으로안정하고재사용이가능하기때문에, 유용한 CO흡착제로사용할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明,通过用于制造用于二氧化碳吸收的多孔碳纳米纤维的方法制造的多孔碳纳米纤维包括以下步骤:(a)使用卤化聚合物制造卤化聚合物纳米纤维; (b)处理卤代聚合物纳米纤维的脱卤; 和(c)对已进行脱卤的卤化聚合物纳米纤维进行碳化,具有高的比表面积和孔体积以及快速的吸收/解吸速度,并且是热和化学稳定和可再利用的,因此可用作有价值的CO 2吸收剂 。

    해수담수화용 폴리에테르술폰계 역삼투막 제조용 코팅액 조성물 및 이를 이용한 폴리에테르술폰계 역삼투막의 제조방법
    6.
    发明授权
    해수담수화용 폴리에테르술폰계 역삼투막 제조용 코팅액 조성물 및 이를 이용한 폴리에테르술폰계 역삼투막의 제조방법 有权
    用于制备基于聚醚醚酮的反渗透膜用于海水的涂料组合物和使用其制备基于聚醚砜的反向膜蛋白膜的方法

    公开(公告)号:KR101401922B1

    公开(公告)日:2014-06-02

    申请号:KR1020110078794

    申请日:2011-08-08

    Abstract: 본 발명은 해수담수화용 폴리에테르술폰계 역삼투막 제조용 코팅액 조성물 및 이를 이용한 폴리에테르술폰계 역삼투막의 제조방법에 관한 것으로, 해수를 여과해 담수로 만드는 공정에 사용되는 역삼투막의 활성층을 개발하여, 현재 사용되는 폴리아미드 막을 대체 및 보완하기 위한 새로운 활성층 소재 개발에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막코팅에 의한 폴리에테르술폰계 역삼투막, 특히, 종래의 폴리아미드 막에 비해 고유량, 고내구성의 특성을 얻을 수 있도록 친수성인 아민기와 술폰산기를 함유하는 폴리에테르술폰계 공중합체를 포함하는 해수담수화용 역삼투막을 제조하고, 이를 PET 부직포와 같은 다공성 지지체에 코팅한 후, 과잉의 용액을 제거하고, 건조 및 열처리를 통하여 제조되는 해수담수화용 폴리에테르술폰계 역삼투막 제조용 � �팅액 조성물 및 이를 이용한 폴리에테르술폰계 역삼투막의 제조방법 관한 것이다.

    레독스 흐름전지용 이온교환막
    7.
    发明公开
    레독스 흐름전지용 이온교환막 无效
    用于REDOX流动电池的离子交换膜

    公开(公告)号:KR1020130060159A

    公开(公告)日:2013-06-07

    申请号:KR1020120137151

    申请日:2012-11-29

    Abstract: PURPOSE: An ion exchange film for a redox flow battery is provided to prevent a crossover in between a positive electrode and an electrolyte and loss of an energy density and have excellent durability and chemical resistance. CONSTITUTION: An ion exchange film for a redox flow battery comprises a polymer which includes a repeating unit represented by chemical formula 1 and a reactant between inorganic particles. In chemical formula 1, R1 is hydrogen or sodium. The content of the inorganic particles in the reactant is 1-30 wt%. The inorganic particle has one or more selected from an inorganic silane compound and a titanium-based compound. A polymer including a repeating unit represented by chemical formula 1 has a molecular weight average of 30,000-300,000. The ion exchange film has a thickness of 50-150 micron.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于氧化还原液流电池的离子交换膜,以防止正电极和电解质之间的交叉和能量密度的损失,并且具有优异的耐久性和耐化学性。 构成:用于氧化还原液流电池的离子交换膜包括聚合物,其包括由化学式1表示的重复单元和无机颗粒之间的反应物。 在化学式1中,R 1是氢或钠。 反应物中无机颗粒的含量为1-30重量%。 无机颗粒具有选自无机硅烷化合物和钛系化合物中的一种以上。 包含由化学式1表示的重复单元的聚合物的分子量平均为30,000-300,000。 离子交换膜的厚度为50-150微米。

    반사 방지막을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조방법
    8.
    发明公开
    반사 방지막을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조방법 有权
    具有防反射层的发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110082357A

    公开(公告)日:2011-07-19

    申请号:KR1020100002308

    申请日:2010-01-11

    CPC classification number: H01L33/005 H01L33/44 H01L2933/0025

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device with a reflection preventing film and a manufacturing method thereof are provided to form a GRIN(Graded Refractive Index) reflection preventing film by simple processes, thereby drastically reducing the manufacturing time and costs of the GRIN reflection preventing film. CONSTITUTION: A light generating unit(120) is made of a semiconductor on a substrate(110). A polymer layer(130) is formed on the light generating unit. A plurality of beads(140) is applied on the polymer layer. The polymer layer is heated at a temperature higher than a glass transition temperature so that some beads are precipitated in the polymer layer. A hemi spherical groove part(135) is formed on the polymer layer.

    Abstract translation: 目的:提供具有防反射膜的半导体发光器件及其制造方法,以通过简单的工艺形成GRIN(渐变折射率)反射防止膜,从而大大降低了GRIN防反射膜的制造时间和成本。 构成:光发生单元(120)由衬底(110)上的半导体制成。 在光产生单元上形成聚合物层(130)。 在聚合物层上施加多个珠(140)。 在高于玻璃化转变温度的温度下加热聚合物层,使得一些珠子在聚合物层中沉淀。 在聚合物层上形成半球形凹槽部分(135)。

    반도체 발광소자 및 그 제조 방법
    9.
    发明授权
    반도체 발광소자 및 그 제조 방법 有权
    发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101003454B1

    公开(公告)日:2010-12-28

    申请号:KR1020090014909

    申请日:2009-02-23

    Abstract: 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는, 기판, 기판 상면에 반도체로 구성된 광발생부, 기판의 하면에 배치되며 하면에 복수의 홈부가 형성되어 있는 고분자층, 홈부에 일부분이 삽입되어 있는 복수의 비드, 그리고 비드의 굴곡을 따라 형성된 금속 반사막을 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조 방법에서는, 기판 상면에 반도체로 구성된 광발생부를 형성한 다음, 기판의 하면에 복수의 비드를 도포한다. 그러고 나서, 비드의 굴곡을 따라 금속 반사막을 형성한다. 본 발명에 따르면, 우수한 광추출효율을 갖는 반도체 발광소자를 간단한 공정으로 제조할 수 있어 양산성이 높으며 재현성 또한 높다.

    LED의 제조방법
    10.
    发明授权
    LED의 제조방법 有权
    LED的制作方法

    公开(公告)号:KR100996911B1

    公开(公告)日:2010-11-29

    申请号:KR1020070017200

    申请日:2007-02-20

    Abstract: LED의 제조방법이 개시된다.
    본 발명에 따른 LED의 제조방법은 (a) 말단에 히드록시기를 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 랜덤공중합체를 이용하여 석영기판의 상부면에 표면개질층을 적층하고 뉴트럴 브러쉬(neutral brush)를 형성하는 단계; (b) 상기 뉴트럴 브러쉬의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계; (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막 중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; (d) LED의 발광면과 상기 나노템플레이트가 형성된 석영기판의 하부를 부착하는 단계; (e) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계; 및 (f) 상기 석영기판을 이용하여 상기 LED의 상부면을 식각하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 제조시간을 절감하면서도 LED의 상부면에 수직방향으로 복수개의 나노크기 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어서 광추출 효율이 우수하고 LED에는 열에 의한 악영향을 미치지 않기 때문에 장수명을 갖는 LED를 제조할 수 있다.

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