Abstract:
본 발명은 용매의 종류에 따른 AF4의 용해도 차이를 이용하여 parylene HT의 단량체인 AF4 제조공정 중 냉각 재결정화를 통하여 불순물을 제거할 수 있는 냉각 재결정화 분리 기술을 활용한 고 순도, 고 수율의 1,1,2,2,9,9,10,10-octafluoro[2.2]paracyclophane (AF4) 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 AF4(1,1,2,2,9,9,10,10-octafluoro[2.2]paracyclophane)의 정제방법으로, AF4 및 불순물을 용매에 녹이는 단계; 및 상기 용매를 냉각시키는 단계를 포함하며, 상기 냉각시키는 단계에서의 온도 변화에 따른 AF4의 상기 용매에 대한 용해도(g/100g 용매) 차이는 70% 이상인 것을 특징으로 하는 AF4 정제방법을 제공한다.
Abstract:
본발명은 (a) 할로겐화고분자를이용하여할로겐화고분자나노섬유를제조하는단계; (b) 상기할로겐화고분자나노섬유를탈할로겐화처리하는단계; 및 (c) 상기탈할로겐화처리된할로겐화고분자나노섬유를탄화시키는단계를포함하는이산화탄소흡착용다공성탄소나노섬유제조방법에의하여제조된다공성탄소나노섬유는높은비표면적과기공부피, 빠른흡착/탈착속도그리고열적및 화학적으로안정하고재사용이가능하기때문에, 유용한 CO흡착제로사용할수 있다.
Abstract:
본발명은 (a) 할로겐화고분자를이용하여할로겐화고분자나노섬유를제조하는단계; (b) 상기할로겐화고분자나노섬유를탈할로겐화처리하는단계; 및 (c) 상기탈할로겐화처리된할로겐화고분자나노섬유를탄화시키는단계를포함하는이산화탄소흡착용다공성탄소나노섬유제조방법에의하여제조된다공성탄소나노섬유는높은비표면적과기공부피, 빠른흡착/탈착속도그리고열적및 화학적으로안정하고재사용이가능하기때문에, 유용한 CO흡착제로사용할수 있다.
Abstract:
본 발명은 해수담수화용 폴리에테르술폰계 역삼투막 제조용 코팅액 조성물 및 이를 이용한 폴리에테르술폰계 역삼투막의 제조방법에 관한 것으로, 해수를 여과해 담수로 만드는 공정에 사용되는 역삼투막의 활성층을 개발하여, 현재 사용되는 폴리아미드 막을 대체 및 보완하기 위한 새로운 활성층 소재 개발에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막코팅에 의한 폴리에테르술폰계 역삼투막, 특히, 종래의 폴리아미드 막에 비해 고유량, 고내구성의 특성을 얻을 수 있도록 친수성인 아민기와 술폰산기를 함유하는 폴리에테르술폰계 공중합체를 포함하는 해수담수화용 역삼투막을 제조하고, 이를 PET 부직포와 같은 다공성 지지체에 코팅한 후, 과잉의 용액을 제거하고, 건조 및 열처리를 통하여 제조되는 해수담수화용 폴리에테르술폰계 역삼투막 제조용 � �팅액 조성물 및 이를 이용한 폴리에테르술폰계 역삼투막의 제조방법 관한 것이다.
Abstract:
PURPOSE: An ion exchange film for a redox flow battery is provided to prevent a crossover in between a positive electrode and an electrolyte and loss of an energy density and have excellent durability and chemical resistance. CONSTITUTION: An ion exchange film for a redox flow battery comprises a polymer which includes a repeating unit represented by chemical formula 1 and a reactant between inorganic particles. In chemical formula 1, R1 is hydrogen or sodium. The content of the inorganic particles in the reactant is 1-30 wt%. The inorganic particle has one or more selected from an inorganic silane compound and a titanium-based compound. A polymer including a repeating unit represented by chemical formula 1 has a molecular weight average of 30,000-300,000. The ion exchange film has a thickness of 50-150 micron.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor light emitting device with a reflection preventing film and a manufacturing method thereof are provided to form a GRIN(Graded Refractive Index) reflection preventing film by simple processes, thereby drastically reducing the manufacturing time and costs of the GRIN reflection preventing film. CONSTITUTION: A light generating unit(120) is made of a semiconductor on a substrate(110). A polymer layer(130) is formed on the light generating unit. A plurality of beads(140) is applied on the polymer layer. The polymer layer is heated at a temperature higher than a glass transition temperature so that some beads are precipitated in the polymer layer. A hemi spherical groove part(135) is formed on the polymer layer.
Abstract:
반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는, 기판, 기판 상면에 반도체로 구성된 광발생부, 기판의 하면에 배치되며 하면에 복수의 홈부가 형성되어 있는 고분자층, 홈부에 일부분이 삽입되어 있는 복수의 비드, 그리고 비드의 굴곡을 따라 형성된 금속 반사막을 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조 방법에서는, 기판 상면에 반도체로 구성된 광발생부를 형성한 다음, 기판의 하면에 복수의 비드를 도포한다. 그러고 나서, 비드의 굴곡을 따라 금속 반사막을 형성한다. 본 발명에 따르면, 우수한 광추출효율을 갖는 반도체 발광소자를 간단한 공정으로 제조할 수 있어 양산성이 높으며 재현성 또한 높다.
Abstract:
LED의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 LED의 제조방법은 (a) 말단에 히드록시기를 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 랜덤공중합체를 이용하여 석영기판의 상부면에 표면개질층을 적층하고 뉴트럴 브러쉬(neutral brush)를 형성하는 단계; (b) 상기 뉴트럴 브러쉬의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계; (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막 중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; (d) LED의 발광면과 상기 나노템플레이트가 형성된 석영기판의 하부를 부착하는 단계; (e) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계; 및 (f) 상기 석영기판을 이용하여 상기 LED의 상부면을 식각하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 제조시간을 절감하면서도 LED의 상부면에 수직방향으로 복수개의 나노크기 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어서 광추출 효율이 우수하고 LED에는 열에 의한 악영향을 미치지 않기 때문에 장수명을 갖는 LED를 제조할 수 있다.