公开(公告)号：KR100208961B1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019940034974

申请日：1994-12-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 미세패턴의 형성공정에서 포토레지스트의 노광후에 추가로 베이킹 처리를 행함으로써 고해상도의 미세패턴을 얻을 수 있도록 된 광로조절장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 제조방법은, 미세패턴이 형성될 미세패턴형성구조를 준비하는 제1공정과, 상기 미세패턴형성구조상에 포토레지스트를 균일하게 도포하는 제2공정, 상기 포토레지스트를 저온에서 베이킹처리하고 나서 노광하는 제3공정, 상기 노광된 포토레시스트를 소정 온도에서 베이킹처리하는 제4공정, 상기 포토레지스트를 현성처리한 다음에 세정 및 건조하고 나서 고온에서 베이킹 처리하는 제5공정 및, 상기 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 미세패턴형성구조를 에칭해서 미세패턴을 형성하는 제6공정을 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1019990043703A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970064745

申请日：1997-11-29

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 변형층의 균열에 의한 상부 전극과 하부 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. M×N 개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성한 후 패터닝하여 액츄에이터의 앵커를 형성한다. 액티브 매트릭스 및 앵커 상부에 제1층, 하부 전극층, 제2층 및 상부 전극층을 적층한 후, 상부 전극층 및 제2층을 패터닝하여 상부 전극 및 변형층을 형성한다. 앵커 부위에 형성된 상부 전극 및 변형층을 제거하고, 제거된 부위에 매립층을 형성한 후, 매립층 및 상부 전극의 상부에 상부 전극 연결 부재를 형성한다. 하부 전극층 및 제1층을 패터닝하여 하부 전극 및 지지층을 형성한 후, 희생층을 제거한다. 앵커 부위의 변형층에 균열이 발생하였더라도 균열된 변형층을 제거하므로 상부 전극과 하부 전극 사이의 쇼트 발생을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR100177228B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950052087

申请日：1995-12-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 전기 접점 단자로 작용하는 패드가 복수개 형성된 구동 기판상에 보호층, 스톱층, 및 희생층을 형성시키고 상기 희생층을 패터닝시키는 단계와, 상기 희생층의 패턴을 통하여 노출된 상기 스톱층상에 보강층을 형성시키는 단계와, 상기 희생층 및 보강층상에 멤브레인, 하부 전극, 변형부 및 상부 전극을 순차적으로 적층시키는 단계와, 상기 다수의 층들을 상부층부터 순차적으로 패터닝시키는 단계로 이루어지며 이에 의해서 상기 멤브레인의 식각 공정시 상기 스톱층이 화학적 손상을 받는 것을 방지시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100170959B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950023350

申请日：1995-07-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 임용근 ,  구명권

IPC: H04N5/74

Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 관한 것으로서, 광로 조절 장치의 제조공정시 액츄에이터들을 한정하도록 패터닝하고 세척한 후 건조하는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 있어서, 상기 광로 조절 장치의 희생막을 불산기체로 제거하는 단계와, 상기 단계에서 희생막 제거시 사용되고 남은 불산기체를 탈이온수로 세척하는 단계와, 상기 단계에서 보호막을 산소 플라즈마로 제거하는 단계와, 상기 단계에서 탈이온수를 회전 건조한 후 보호막을 제거하고 남은 산소 플라즈마를 탈이온수로 세척하는 단계와, 상기 단계에서 세척하고 남은 탈이온수를 회전 건조하는 단계와, 상기 단계에서 회전 건조한 후 건조되지 않은 수분과 보호막의 잔유물을 급속 열처리하여 제거하는 단계를 구비한다. 따라서, 본 발명은 광로 조절 장치의 에어갭을 형성할 때 발생하는 수분과 식각 잔유물을 제거하여 스티킹이 발생되는 것을 방지하므로서 식각율을 향상시켜 불량율을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970051869A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052087

申请日：1995-12-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 전기 접점 단자로 작용하는 패드가 복수개 형성된 구동 기판상에 보호층, 스톱층, 및 희생층을 형성시키고 상기 희생층을 패터닝시키는 단계와, 상기 희생층의 패턴을 통하여 노출된 상기 스톱층상에 보강층을 형성시키는 단계와, 상기 희생층 및 보강층상에 멤브레인, 하부 전극, 변형부 및 상부 전극을 순차적으로 적층시키는 단계와, 상기 다수의 층들을 상부층부터 순차적으로 패터닝시키는 단계로 이루어지며 이에 의해서 상기 멤브레인의 식각 공정시 상기 스톱층이 화학적 손상을 받는 것을 방지시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970014279A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019950027517

申请日：1995-08-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: H04N5/74

Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 구동부를 지지하는 멤브레인을 구성하는 조성물에 관한 것으로 상기 멤브레인은 희생막상에 실리콘 질화물을 소정 두께로 적층시킴으로서 형성되고 SiCl
2 H
2 에 대한 NH
3 의 조성비를 6:1로 유지시킴으로서 상기 실리콘 질화물을 구성하는 성분 중 실리콘(Si)에 대한 질소(N)의 조성비가 6:1로 유지시키며 이에 의해서 화학량론적 조성물로 이루어진 멤브레인상에서 압축 인장 응력에 의하여 크랙이 발생되는 것을 방지시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1019960039450A

公开(公告)日：1996-11-25

申请号：KR1019950009395

申请日：1995-04-21

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 건조방법에 관한 것으로서 포토레지스트로 보호마을 액츄에이터의 상부와,분리에 의한 액츄에이터의 측면에 형성한 후 불산등의 식각용액으로 희생막을 제거하여 탈이온수로 세척하였다.
그리고 탈이온수로 세척된 광로 조절장치를 회전건조한 후 보호막을 산소 플라즈마에 의한 건조방법으로 제거하였다. 따라서 본 발명은 광로 조절 장치를 건조할 때 구동기판과, 액츄에이터가 부착되지 않도록 하고, 고,속회전으로 인하여 액츄에이터가 부러지는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960000822A

公开(公告)日：1996-01-25

申请号：KR1019940014153

申请日：1994-06-22

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: C04B35/46

Abstract: 고압에서 열처리하여 상전이(phase transition) 온도를 낮출수 있는 세라믹의 저온 열처리 방법에 관한 것으로, 본 발명의 디스플레이용 소자 제조공정 중에 구동소자를 압전특성을 가지는 PZT막을 사용하는데, 그 막의 도포 공정후 건조과정을 거쳐서 고온 열처리를 수행하여 원하는 구조(페로브스카이트 상)을 가지게 한다. 이때, 고온 열처리를 사용해야 하기 때문에 재료의 선택에 제한을 가지게 되는데, 본 발명에서는 고압열처리 공정을 수행하므로 저온공정이 가능하다. 즉, 고압장치하에서 기압에서 500기압 정도의 압력 범위에서 열처리 공정을 수행하면, 저온(400 내지 450도의 온도)에서도 페로브스카이트의 상을 얻을 수 있기 때문에 구동부를 저융점 금속으로 사용할 수 있을 뿐만 아니라 희생층을 손쉬운 폴리머계로 사용할 수 있기 때문에 소자 제조공정의 단순화 및 고압상태에서 PZT가 열처리되기 때문에 납등의 휘발이 적어 최적의 조성을 얻기가 용이하다.

公开(公告)号：KR1019950027438A

公开(公告)日：1995-10-16

申请号：KR1019940006660

申请日：1994-03-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 광로조절장치에 관한 것으로서, 액츄에이터 가열전반도체와 금속체로 이루어지며, 이 액츄에이터의 상부에 일측이 금속체에 부착되고 타측이 소정 각을 갖고 꺽어지도록 형상기억합금으로 이루어진 거울이 실장되어, 각기 인가된 바이어스전압과 화상신호에 의해 열전반도체와 금속체의 접합면에서 펠티어효과에 의해 열이 발생되어 거울의 꺽어진 부분에서 잠재하는 응력을 완화시켜 소정 각을 이루는 타측 부분의 각을 변화시키므로 입사되는 광을 경로를 변화시킨다. 따라서, 열전반도체와 금속체사이의 응력이 아닌 형상 기억합금의 변형특성을 이용하므로써 응력에 의한 열화를 방지할 수 있으며, 또한, 금속체가 저온에서 도포되고 별도의 열처리를 필요로 하지 않으므로 열전반도체와의 반응으로 인한 힐록등이 발생되지 않는다.

公开(公告)号：KR100257603B1

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：KR1019970064745

申请日：1997-11-29

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A thin film actuated mirror array and a method for fabricating the same are to prevent the short-circuit from being generated between an upper electrode and a lower electrode by the crack of a deformation layer. CONSTITUTION: An active matrix(100) has an MxN transistor provided therein and a drain pad extended from the drain of the transistor. An actuator(200) is formed on the active matrix. The actuator includes an anchor(135a,135b), a supporting layer(140) formed on the anchors, a lower electrode(145) formed on the supporting layer, a deformation layer(150) formed on the lower electrode, and an upper electrode(155) formed on the deformation layer. A buried layer(170) is formed on the anchors of the actuator. An upper electrode connecting member(175) is formed on the upper electrode and the buried layer. A mirror is formed on the supporting layer. The buried layer consists of oxide, and has the height equal to the surface of the upper electrode.

Abstract translation: 目的：薄膜致动反射镜阵列及其制造方法是通过变形层的裂纹来防止在上电极和下电极之间产生短路。 构成：有源矩阵（100）具有设置在其中的MxN晶体管和从晶体管的漏极延伸的漏极焊盘。 在有源矩阵上形成致动器（200）。 所述致动器包括锚固件（135a，135b），形成在所述锚固件上的支撑层（140），形成在所述支撑层上的下部电极（145），形成在所述下部电极上的变形层（150） （155）形成在变形层上。 在致动器的锚固件上形成掩埋层（170）。 上电极连接部件（175）形成在上电极和埋层上。 在支撑层上形成反射镜。 埋层由氧化物组成，其高度等于上电极的表面。