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公开(公告)号：KR100220584B1
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019960017802
申请日：1996-05-23
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은, 구동부(A)와 지지부(B)로 이루어진 캔틸레버 구조로 형성되고 브리지(C)에 의해서 인접하는 지지부(B)가 연결되어 있는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법에 있어서, 실리콘 기판(410a)상에 형성된 복수개의 능동 소자를 보호하기 위한 보호층(410b)을 형성시키는 단계와; 상기 보호층(410b)을 식각 용액으로부터 보호하기 위한 식각 스톱층(410c)을 형성시키는 단계와; 상기 식각 스톱층(410c)상에 소정 형상의 희생층(460)을 형성시키는 단계와; 상기 희생층(460) 및 희생층(460)의 패턴을 통하여 각 브리지가 2개 부분으로 분할되어 노출된 액티브 매트릭스(410) 상에 멤브레인(420)을 형성시키는 단계와; 상기 멤브레인(420)상에 이소 컷팅부(IC)를 구비한 하부 전극(430)을 형성시키는 단계와; 상기 하부 전극(430)상에 변형부(440) 및 상부 전극(450)을 순차적으로 형성시킴으로서 복수개의 층들로 구성된 미러 어레이(M)를 형성시키는 단계와; 상기 미러 어레이(M)를 구성하는 복수개의 층들을 상부로부터 순차적으로 식각시켜서 소정 형상의 액츄에이터(400)를 형성시키는 단계와; 상기 액츄에이터(400)를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위하여 상기 희생층(460)을 제거하는 단계로 이루어지고; 상기 희생층(460)이 이소 컷팅부(IC)의 하부 전체에 존재하는 것을 특징으로 하며, 액츄에이터를 소정 형상으로 패터닝시키기 위한 식각 공정시 식각 스톱층이 오버 에칭되는 것을 방지시켜서 능동 소자를 보호하기 위한 보호층의 화학적 손상을 제거하여 능동 소자가 누설 전류를 발생시키는 것을 방지시키므로써 광로 조절 장치의 작동 효율을 향상시킨다.
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公开(公告)号：KR100207398B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019950038533
申请日：1995-10-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 전기 접점 단자로 작용하는 패드가 복수개 형성된 구동 기판상에 보호층 및 스톱층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 스톱층상에 소정 형상의 희생층을 형성시키는 단계와, 상기 희생층상에 멤브레인 및 하부 전극을 형성시키는 단계와, 상기 하부 전극만을 패터닝하여 이소 컷팅부를 형성시키는 단계와, 상기 이소 컷팅부가 형성된 하부 전극상에 변형부 및 상부 전극을 형성시키고 패터닝시키는 단계와, 상기 하부 전극상에 변형부 및 상부 전극을 형성시키고 패터닝시키는 단계와, 상기 하부 전극 및 멤브레인을 패터닝시키는 단계와, 그리고 상기 희생층을 제거하는 단계로 이루어지며, 상기 멤브레인의 패턴은 상기 하부 전극의 패턴과 상이한 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 � �법을 제공하므로써, 상기 희생층의 습식 식각 제거시 상기 보호층이 화학적 손상을 받는 것을 방지시켜서 패드를 양호하게 절연시킨다.
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公开(公告)号：KR100197377B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950038534
申请日：1995-10-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼(10)의 외곽에 복수 개의 신호 패드(20)가 형성되고, 상기 신호패드(20)와 전기적으로 연결된 다수개의 트랜지스터 패드(32)가 실리콘 웨이퍼의 중앙부에 형성되며, 상기 신호 패드(20) 및 상기 상기 트랜지스터 패드(20)의 상부에 보호층(331) 및 스톱층(332)이 순차적으로 형성된 구동 기판(310)의 상부에 액츄에이터를 형성하여 광로 조절 장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 구동 기판(310)의 상부에 희생층(330), 멤브레인(342), 하부 전극(343), 변형부(344), 상부 전극(345)을 적층한 후, 그 적층된 구조체를 픽셀단위로 패터닝함과 동시에 신호 패드용 개방부(a')를 형성하며, 신호 패드용 개방부(a')중 멤브레인(342), 스톱층(332), 보호층(331) 부분의 신호 패드용 개방부(a')의 선폭을 상기 신호 패드(20)의 선폭보다 작게 패터닝함으로� ��, 상기 신호 패드의 하부에 위치하는 산화막의 화학적 침해를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100174456B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950038510
申请日：1995-10-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 구동 기판 및 비구동 기판으로 나누어진 실리콘 웨이퍼상에 광로 조절 장치를 소정 형상으로 패터닝시키는 방법에 관한 것으로, 전기 접점 단자로 작용하는 패드가 복수개 형성된 실리콘 웨이퍼상에 보호층 및 스톱층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 스톱층상에 소정 형상의 희생층을 형성시키는 단계와, 상기 희생층상에 멤브레인을 형성시키는 단계와, 상기 실리콘 웨이퍼의 구동 기판상에 하부 전극, 변형부 및 상부 전극을 순차적으로 형성시키고 패터닝시키는 단계와, 그리고 상기 구동 기판상에 형성된 상기 희생층을 제거하는 단계로 이루어지며 이에 의해서 상기 희생층의 습식 식각 제거시 상기 보호층이 화학적 손상을 받는 것을 방지시켜서 패드를 양호하게 절연시킨다.
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公开(公告)号：KR1019980030150A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960049526
申请日：1996-10-29
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 구동 기판의 상부에 이 후 공정에 의하여 복수 개의 층으로 액츄에이터를 형성함에 있어서, 고온 공정 분위기 하에서 상기 액츄에이터를 이루는 복수개의 층중에서 메탈층의 조성 물질이 확산층을 통과하여 실리콘 기판으로 확산되는 것을 방지하고, 상기 확산층의 도펀트가 상기 메탈층으로 확산되는 것을 방지하기 위하여, 컨택트 메탈은 티타늄(Ti)으로된 제 1 컨택트 메탈층과 질화 티타늄(TiN)으로된 제 2 컨택트 메탈층으로 형성하고, 플러그는 폴리 실리콘(Poly-Silicon), 텅스텐(W) ,질화 텅스텐(WN)으로 형성하며, 하부 전극은 티타늄(Ti) 또는 탄탈륨(Ta)으로된 제 1 하부 전극과 백금(Pt)으로된 제 2 하부 전극으로 형성함으로써, 상기와 같은 문제점을 해결하여 박막형 광로 조절 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019970023641A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950038533
申请日：1995-10-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 전기 접점 단자로 작용하는 패드가 복수개 형성된 구동 기판상에 보호층 및 스톱층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 스톱층상에 소정 형상의 희생층을 형성시키는 단계와, 상기 희생층상에 멤브레인 및 하부 전극을 형성시키고 상기 하부 전극을 이소 형성시키는 단계와, 상기 이소 컷팅부가 형성된 하부 전극상에 변형부 및 상부 전극을 형성시키고 패터닝시키는 단계와, 상기 하부 전극상에 변형부 및 상부 전극을 형성시키고 패터닝시키는 단계와, 상기 하부 전극 및 멤브레인을 패터닝시키는 단계와, 그리고상기 희생층을 제거하는 단계로 이루어지며, 상기 멤브레인의 패턴은 상기 하부 전극의 패턴과 상이한 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하므로써, 상기 희생층 의 습식 식각 제거시 상기 보호층이 화학적 손상을 받는 것을 방지시켜서 패드를 양호하게 절연시킨다.
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公开(公告)号：KR1019970008402B1
公开(公告)日：1997-05-23
申请号：KR1019930031718
申请日：1993-12-30
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: H04N5/74
Abstract: depositing a first sacrificial film on a driving substrate where transistors are built in and which has contact terminals on its surface; forming first and second grooves by patterning the first sacrificial film, and forming first and second supporters in the grooves; forming an elastic part on top of the first sacrificial film and the supporters, and forming third grooves revealing the contact terminals; forming a plug in the third grooves and forming a signal electrode; forming a transformation part and a bias electrode on top of the signal electrode, and forming forth grooves revealing the first sacrificial film; forming a second sacrificial film contacted with the first sacrificial film on top of the bias electrode; forming fifth grooves by patterning the second sacrificial film and forming third supporters in the fifth grooves; forming a mirror on top of the second sacrificial film and the third supporters; removing the region between the first grooves of an actuator adjacent to the second grooves in order to reveal the first sacrificial film; and removing the sacrificial films.
Abstract translation: 在内置晶体管的驱动基板上沉积第一牺牲膜，并在其表面上具有接触端子; 通过图案化第一牺牲膜形成第一和第二槽，以及在凹槽中形成第一和第二支撑件; 在第一牺牲膜和支撑体的顶部上形成弹性部分，并形成露出接触端子的第三凹槽; 在第三槽中形成插塞并形成信号电极; 在信号电极的顶部形成变换部分和偏置电极，以及形成露出第一牺牲膜的第三槽; 在所述偏置电极的顶部上形成与所述第一牺牲膜接触的第二牺牲膜; 通过图案化第二牺牲膜并在第五凹槽中形成第三支撑件形成第五凹槽; 在第二牺牲膜和第三支撑物的顶部上形成反射镜; 去除与第二凹槽相邻的致动器的第一凹槽之间的区域，以便露出第一牺牲膜; 并去除牺牲膜。
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公开(公告)号：KR1019970008385B1
公开(公告)日：1997-05-23
申请号：KR1019930004503
申请日：1993-03-23
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 전용배
IPC: H04N5/74
CPC classification number: G02B26/0858 , H01L27/20 , H01L41/338 , Y10T29/42
Abstract: forming a multi-layered ceramic stacked by alternating M+1 ceramic layers and M first metallic films; making a ceramic wafer by cutting vertically to the first metallic films, and forming grooves on the center of the ceramic layers; forming second metallic films on the inner surface of the grooves; forming M x N actuators by cutting vertically to the grooves N-1 times; building the actuators in the substrate of an active matrix and forming M+1 conduction lines connecting the second metallic films electrically; and building mirrors in the top of the actuator.
Abstract translation: 形成通过交替的M + 1陶瓷层和M个第一金属膜堆叠的多层陶瓷; 通过垂直切割第一金属膜制造陶瓷晶片，并在陶瓷层的中心形成凹槽; 在槽的内表面上形成第二金属膜; 通过垂直切割槽N-1次形成M×N个致动器; 在有源矩阵的基板中构建致动器，并形成电连接第二金属膜的M + 1导线; 并在执行器的顶部建立反光镜。
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