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公开(公告)号：KR1020060019367A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040068009
申请日：2004-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28035 , H01L21/28061 , H01L21/3212 , H01L21/823842
Abstract: 보이드가 없는 게이트 전극을 구비한 MOS 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 먼저, 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성한다음, 상기 게이트 산화막 상부에 게이트 전극용 폴리실리콘막을 증착한다. 그후, 상기 폴리실리콘막에 p형 불순물을 이온 주입하고, 상기 폴리실리콘막의 소정 두께 만큼을 화학적 기계적 연마 방식으로 제거한다.
BF2, 듀얼 게이트, 보이드
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