펌웨어 다운로드 시스템
    31.
    发明公开
    펌웨어 다운로드 시스템 无效
    下载固件的系统

    公开(公告)号:KR1020110108071A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:KR1020100027364

    申请日:2010-03-26

    CPC classification number: G06F21/572 H04L9/0822 H04L9/14 H04L2209/60

    Abstract: 암호화된 펌웨어를 펌웨어 설치 장치에 다운로드하는 다운로드 장치 및 암호화된 펌웨어를 수신하여 설치하는 펌웨어 설치 장치가 제공된다.
    다운로드 장치는 사용자 그룹키를 이용하여 펌웨어를 암호화하고, 암호화된 펌웨어를 펌웨어 설치 장치로 전송한다. 펌웨어 설치 장치는 사용자 그룹키를 이용하여 펌웨어의 암호를 해제하고, 펌웨어를 설치한다.

    애드-혹 네트워크에서 분산 RSA서명을 생성하는 방법 및상기 애드-혹 네트워크의 노드
    33.
    发明公开
    애드-혹 네트워크에서 분산 RSA서명을 생성하는 방법 및상기 애드-혹 네트워크의 노드 有权
    在AD-HOC网络中生成分布式生成的边框签名的方法和节点

    公开(公告)号:KR1020080070261A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:KR1020070008089

    申请日:2007-01-25

    CPC classification number: H04L9/085 H04L9/302 H04L9/3249 H04L2209/80

    Abstract: A method and a node for generating a distributed RSA(Rivest Shamir Adleman) signature in an ad-hoc network are provided to share a distributed signature function safely by determining verification for key sharing information and a partial signature through a partial signature witness. A method for generating a distributed RSA signature in an ad-hoc network includes the steps of: at a dealer node, distributing key sharing information generated using an MDS(Maximum Distance Separable) code and a random symmetric matrix to a plurality of nodes(S301); at the nodes, generating a partial signature using the distributed key sharing information, and transmitting the partial signature to the signature generation node(S302); at the signature generation node, generating an RSA signature using the partial signature(S303). The RSA signature is generated using the partial signature received from a less number of nodes than the nodes.

    Abstract translation: 提供了一种用于在自组织网络中生成分布式RSA(Rivest Shamir Adleman)签名的方法和节点,用于通过确定密钥共享信息的验证和通过部分签名证人的部分签名来安全地共享分布式签名功能。 一种用于在自组织网络中生成分布式RSA签名的方法包括以下步骤:在经销商节点处,将使用MDS(最大距离可分离)码和随机对称矩阵生成的密钥共享信息分发到多个节点(S301 ); 在所述节点处,使用所述分布式密钥共享信息生成部分签名,并将所述部分签名发送到所述签名生成节点(S302); 在所述签名生成节点处,使用所述部分签名生成RSA签名(S303)。 使用从节点数较少的节点接收的部分签名生成RSA签名。

    CrAIO(N)F를 위상 쉬프터 물질로서 사용한 위상쉬프트 마스크 및 그 제조방법
    34.
    发明公开
    CrAIO(N)F를 위상 쉬프터 물질로서 사용한 위상쉬프트 마스크 및 그 제조방법 无效
    使用CRALO(N)F薄膜作为透明材料的相变膜掩模及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020010082981A

    公开(公告)日:2001-08-31

    申请号:KR1020000008574

    申请日:2000-02-22

    Abstract: PURPOSE: A phase shift mask and a fabricating method thereof are to provide a phase shifter material having relative high transmittance with respect to relative short exposing light. CONSTITUTION: A phase shift layer formed of a material including Cr, Al, O and F as a phase shifter material is formed on a transparent substrate. The phase shifter material is semitransparent with respect to the exposing light having desired wavelength. A light shielding layer which is opaque with respect to the exposing light is formed on the phase shift layer. The phase shift layer is deposited by a sputtering method using a multi-target in which Cr and Al is formed as a separate target, or an alloy target of Cr and Al. At this time, O2 and NF3 gas is supplied to a sputtering chamber. The phase shifter material further contains nitrogen. The sputtering process is continuously performed until a thickness of the phase shift layer reaches a desired value.

    Abstract translation: 目的:相移掩模及其制造方法是提供相对于相对短的曝光光线具有相对高的透射率的移相器材料。 构成:在透明基板上形成由包含Cr,Al,O和F的材料形成的相移层作为移相材料。 移相器材料相对于具有期望波长的曝光光是半透明的。 在相移层上形成相对于曝光的不透明的遮光层。 使用其中Cr和Al作为单独的靶或Cr和Al的合金靶形成的多靶,通过溅射法沉积相移层。 此时,将O2和NF3气体供给到溅射室。 移相器材料还含有氮。 连续进行溅射处理,直到相移层的厚度达到期望值。

    반도체장치의 콘택홀 세정방법
    35.
    发明公开
    반도체장치의 콘택홀 세정방법 失效
    清洁半导体器件的接触孔的方法

    公开(公告)号:KR1019990021284A

    公开(公告)日:1999-03-25

    申请号:KR1019970044819

    申请日:1997-08-30

    Abstract: 본 발명은 콘택홀의 세정효과를 향상시킬 수 있는 반도체장치의 콘택홀 세정방법에 관한 것이다.
    본 발명은, 적어도 하나 이상의 막을 관통하여 콘택홀이 형성된 웨이퍼를 일정온도의 이소프로필알콜 25 내지 35 중량% , 과산화수소 2 내지 4 중량%, 불화수소 0.05 내지 0.25 중량%, 잔량으로 탈이온수가 혼합된 세정액 조성물이 담긴 저장조 내부에 투입하여 상기 콘택홀을 세정하는 단계 및 일정시간 세정시킨 후 상기 웨이퍼를 상기 저장조 내부에서 외부로 방출시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
    따라서, 콘택홀에 존재하는 자연 산화막, 폴리머, 구리 및 금 등의 불순물을 용이하게 제거할 수 있고, 이에 따라 후속공정에 의해서 완성된 반도체장치를 동작시킬 때, 전기적 동작불량 등의 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

    반도체장치의제조방법
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019990016671A

    公开(公告)日:1999-03-15

    申请号:KR1019970039308

    申请日:1997-08-19

    Abstract: 본 발명은 포토레지스트의 제거 및 후속되는 세정공정을 수행하는 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명은, 사진식각공정을 수행한 후, 반도체기판 상에 잔류하는 포토레지스트를 건식식각공정을 수행하여 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트가 제거된 반도체기판을 25중량% 내지 35중량%의 IPA(Isopropyl Alcohol), 2.0중량% 내지 4.0중량%의 H
    2 O
    2 , 0.05중량% 내지 0.25중량%의 HF 및 잔량이 탈이온수을 혼합시켜 제조한 세정용 조성물을 이용하여 세정하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
    따라서, 공정수행의 단계를 간소화시킴으로써 공정수행의 소요시간이 단축되어 생산성이 향상되고, 또한 세정효율이 향상됨으로써 제품의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

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