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公开(公告)号：KR1020170036995A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150136001
申请日：2015-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01N30/88 , C08F297/026 , C08L53/00 , G01N5/04 , G01N30/74 , G01N33/442 , G01N2030/885 , G03F7/0002 , C08L25/06
Abstract: 블록공중합체패턴평가시스템은블록공중합체및 호모폴리머를포함하는샘플을공급하는샘플공급부, 샘플내 블록공중합체의분자량이측정되는분자량분석부, 블록공중합체에포함된각 블록들의샘플내 총비율인예비블록비율을측정하는예비블록비율분석부, 샘플중 호모폴리머의비율을분리측정하는호모폴리머분석부, 및예비블록비율에서호모폴리머의비율의영향을차감하는호모폴리머간섭제거부를포함한다.
Abstract translation: 嵌段共聚物图案评价系统采样的总包含在试样供给部的每个块的比率，所述样品是在嵌段共聚物中，用于供给包含所述嵌段共聚物和所述均聚物的试样的嵌段共聚物的分子量被测定分子分析单元 该方法包括除去部件均聚物干扰中减去所述均聚物预分析单元的均聚物的百分比效应，并且块比率测量分离所述备用块比率分析单元，测量均聚物的试样的比例的备用块的比率。
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公开(公告)号：KR1020080018369A
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060080382
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/32 , C11D7/5022 , C11D11/0041
Abstract: A cleaning solution for removing a polymer, and a method for removing a polymer by using the cleaning solution are provided to remove the polymer adsorbed on a semiconductor manufacturing apparatus without the damage of parts. A cleaning solution for removing a polymer comprises 5-10 wt% of a fluorinated salt; 5-15 wt% of an acid or its salt; and 75-90 wt% of a glycol aqueous solution. Preferably the glycol is represented by OH-R-OH, wherein R is a C2-C5 alkyl group; the acid is sulfuric acid, hydrofluoric acid or nitric acid; the salt is ammonium nitrate, ammonium sulfate or ammonium hydrofluorate; and the fluorinated salt comprises at least one selected from the group consisting of ammonium fluoride, ammonium tetramethyl fluoride, ammonium tetraethyl fluoride, ammonium tetrapropyl fluoride and ammonium tetrabutyl fluoride.
Abstract translation: 提供用于除去聚合物的清洁溶液和通过使用清洁溶液除去聚合物的方法，以除去吸附在半导体制造装置上的聚合物而不损坏部件。 用于除去聚合物的清洁溶液包含5-10重量％的氟化盐; 5-15重量％的酸或其盐; 和75-90重量％的二醇水溶液。 优选地，二醇由OH-R-OH表示，其中R是C 2 -C 5烷基; 酸是硫酸，氢氟酸或硝酸; 盐是硝酸铵，硫酸铵或氢氟酸铵; 并且所述氟化盐包括选自氟化铵，四氟化铵，四氟化铵，四丙基氟化铵和四丁基氟化铵中的至少一种。
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3.发明公开포토레지스트 제거용 조성물, 이의 제조방법, 이를 이용한포토레지스트의 제거 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 失效除去光催化剂的组合物，制备组合物的方法，除去光催化剂的方法和使用其制造半导体装置的方法
公开(公告)号：KR1020060131180A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050051421
申请日：2005-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/5013 , C11D7/263 , C11D7/266 , C11D7/3263 , C11D7/3272 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047
Abstract: Composition for removing photoresist and its etching residue is provided to effectively remove photoresist and microfine residue after etching the photoresist, and considerably reduce damage of metal wire exposed during photoresist removal by comprising alcohol amide compound, polar non-protonic solvent and general additive. The composition comprises: 5-20wt.% of alcohol amide compound represented by a formula, wherein R1 is hydroxy or hydroxy alkyl group and R2 is hydrogen or hydroxyl alkyl group; 15-60wt.% of polar non-protonic solvent; 0.1-6wt.% of additive; and the balance of water. Alternatively, the composition includes; 5-20wt.% of alcohol amide compound; 15-60wt.% of polar non-protonic solvent; 1-30wt.% of hydroxyl amine or alkanol amine; 0.1-6wt.% of additive; and the balance of water. The composition is used in manufacturing semiconductor device by forming photoresist pattern on a substrate, and adding the prepared photoresist composition to the substrate so as to remove the photoresist pattern.
Abstract translation: 提供用于除去光致抗蚀剂及其蚀刻残留物的组合物，以在蚀刻光致抗蚀剂之后有效去除光致抗蚀剂和微细残留物，并且通过包含醇酰胺化合物，极性非质子溶剂和通用添加剂，显着减少在光致抗蚀剂去除期间暴露的金属线的损伤。 该组合物包含：5-20重量％的由式表示的醇酰胺化合物，其中R1是羟基或羟基烷基，R2是氢或羟基烷基; 极性非质子溶剂15-60重量％ 0.1-6重量％的添加剂; 和水的平衡。 或者，组合物包括： 5-20重量％的醇酰胺化合物; 极性非质子溶剂15-60重量％ 1-30重量％的羟胺或链烷醇胺; 0.1-6重量％的添加剂; 和水的平衡。 通过在基板上形成光致抗蚀剂图案，将该组合物用于制造半导体器件，并将所制备的光致抗蚀剂组合物添加到基板上以除去光致抗蚀剂图案。
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4.发明授权높은 식각 선택비를 갖는 식각 조성물, 이의 제조 방법,이를 이용한 산화막의 선택적 식각 방법 및 반도체 장치의제조 방법 失效具有高蚀刻选择性的蚀刻组合物，其制备方法，选择性蚀刻氧化膜的方法以及使用其制备半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100558194B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020040000235
申请日：2004-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 높은 식각 선택비를 갖는 식각 조성물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 산화막의 선택적 식각 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 식각 조성물은 불화수소용액 약 0.1∼8 중량％, 불화암모늄 약 10∼25 중량％, 비이온성 고분자 계면활성제 약 0.0001∼3 중량％ 및 나머지 중량％의 순수를 포함한다. 폴리실리콘으로 이루어진 패턴 또는 스토리지 전극을 효과적으로 보호할 수 있는 식각 조성물을 사용하여 습식 식각 공정으로 산화막을 선택적으로 제거하기 때문에, 높은 식각 선택비로 산화막을 제거할 수 있는 동시에 폴리실리콘막이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다. 또한, 산화막을 선택적으로 제거하는 습식 식각 공정의 식각 균일성을 크게 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100481855B1
公开(公告)日：2005-04-11
申请号：KR1020020046060
申请日：2002-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67313 , H01L21/67326 , H01L21/68707
Abstract: 본 발명은 집적회로를 제조하기 위한 장치로, 본 발명의 장치는 내부에 유체가 수용되는 챔버, 상기 챔버내에 위치되며, 복수의 웨이퍼들이 놓이는 가이드, 그리고 상기 가이드로 복수의 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩하는 이송로봇을 구비한다.
상기 가이드는 웨이퍼를 지지하는 지지 로드외에 웨이퍼가 소정범위 이상 기울어지는 것을 방지하는 스토퍼 로드를 더 구비한다. 상기 스토퍼 로드는 지지 로드가 지지하는 웨이퍼가장자리보다 높은 위치의 웨이퍼 가장자리와 접촉된다.
상기 이송로봇은 웨이퍼의 가장자리를 지지하는 제 1 아암과, 제 1아암과 반대측에서 상기 스토퍼 로드와 접촉되는 웨이퍼 가장자리를 밀어주는, 그리고 상기 제 1 아암에 비해 짧은 길이를 가진 제 2 아암을 구비한다.
본 발명인 반도체 제조장치를 사용하면 본 발명에서 웨이퍼 가이드는 스토퍼 로드를 구비하므로 웨이퍼가 기울어져 서로 맞닿는 것을 방지할 수 있고, 이로 인해 건조공정 진행시 웨이퍼들의 흡착에 의해 물반점이 생기는 등 건조불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980066826A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002555
申请日：1997-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명에 의한 워터 내의 초산(CH
3 COOH) 분석방법은, 개스 크로마토그래피의 FID(flame ionization detector)에 카보-왁스 칼럼을 장착한 뒤, 이를 이용하여 워터가 함유된 초산을 분석하도록 이루어져, 1) 워터를 함유한 초산 분석시, 워터를 제거하지 않아도 되므로 기기 분석전에 실시하던 전처리 작업이 단순화되어져 분석 시간 및 분석 비용을 절감할 수 있게 되고, 2) 카보-왁스 칼럼와 같은 극성 칼럼을 사용하므로, 워터가 가지는 피크가 GC에서는 검출되지 않으므로 방해 피크가 생기지 않게 되어 초산의 정밀한 분석이 가능하게 되며, 3) HPLC보다 고감도를 가지므로 미량의 초산도 분석 가능하다는 잇점을 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019980066691A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002371
申请日：1997-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명에 의한 반도체 기판 세정방법은, HF, H
2 O
2 , IPA 및, 초순수가 혼합되어진 화학처리제를 이용하여 반도체 기판을 제 1 케미컬 세정하는 단계와, 상기 반도체 기판을 제 1 QDR 세정하는 단계와, 상기 반도체 기판을 DHF 세정하는 단계와, 상기 반도체 기판을 제 2 QDR 세정하는 단계와, 상기 반도체 기판을 최종 린스하는 단계 및, 스핀 드라이 작업에 의해, 상기 기판 표면의 물기를 제거하는 단계로 이루어져, 1) 유기물 화학처리제를 이용하여 세정 공정을 진행할 때, 반도체 기판 표면(또는 반도체막 표면)의 표면 에너지 및 습식력의 차이에 의해 발생되는 공정 불량 요인(예컨대, 표면 손상에 의한 폴리실리콘 브리지 발생, 세정 불량에 의해 기인되는 화학처리제의 잔유물 발생, 식각 선택성 차이에 기인하는 잔류층 발생, 표면의 물리적 특성 변화에 기� ��한 포인트 결함 발생 등)을 제거할 수 있게 되고, 2) 세정 작업을 간소화할 수 있어 공정단순화 및 비용 절감을 실현할 수 있게 된다.-
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公开(公告)号：KR1020070068089A
公开(公告)日：2007-06-29
申请号：KR1020050129835
申请日：2005-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus for drying a semiconductor substrate is provided to prevent external particles from being introduced into a dry region in a process chamber by protecting the dry region by interception gas. A process chamber(100) is composed of a bath(130) and a cover for opening/shutting the upper part of the bath wherein a semiconductor substrate is received in the bath in which a dry process is performed. A cooling member(400) cools dry gas transferring to the upper part of the bath, installed in the upper part of the bath. An interception gas supply member(500) supplies interception gas to prevent the dry gas from flowing to the outside of the bath wherein the interception gas forms an interception layer on the cooling member in the bath. A robot arm vertically transfers a substrate to be dried to the inside and outside of the bath, positioned on the process chamber.
Abstract translation: 提供了用于干燥半导体衬底的装置，以通过拦截气体保护干燥区域来防止外部颗粒被引入处理室中的干燥区域。 处理室（100）由浴（130）和用于打开/关闭浴的上部的盖组成，其中半导体衬底被接收在进行干法处理的浴中。 冷却构件（400）冷却转移到浴的上部的干燥气体，其安装在浴的上部。 拦截气体供应构件（500）供应拦截气体，以防止干气体流到浴室外面，其中拦截气体在浴缸中的冷却构件上形成拦截层。 机器人臂垂直地将要干燥的基底转移到位于处理室上的浴内部和外部。
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公开(公告)号：KR100703014B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050101017
申请日：2005-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 개구의 폭을 확장시키는 공정시 상기 개구에 노출되는 금속 실리사이드의 손상을 방지하기 위해 적용되는 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 따르면, 상기 식각액은 불화수소산 0.2 내지 5중량%, 불화암모늄 0.05 내지 20중량%, 알킬 하이드록사이드 40 내지 70 중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는다. 상술한 조성을 갖는 식각액을 이용하여 제1 개구에 노출된 실리콘 산화막 패턴의 내 측면을 식각함으로써 상기 실리콘 산화막에 상기 제1 개구보다 큰 폭을 갖는 제2 개구를 형성할 경우 제2 개구에 의해 노출되는 금속 실리사이드 패턴의 손상을 최소화 할 수 있다.
Abstract translation: 根据制造氧化硅蚀刻剂的方法和使用该方法制造半导体器件的方法，蚀刻剂的使用量为0.2至5重量％，氟化铵 0.05至20重量％，烷基氢氧化物40至70重量％和过量的水。 当通过使用具有上述组成的蚀刻溶液蚀刻暴露在第一开口中的氧化硅膜图案的内表面而在氧化硅膜中形成具有大于第一开口的宽度的第二开口时， 金属硅化物图案的损坏可以被最小化。
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