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公开(公告)号：KR1020050081539A
公开(公告)日：2005-08-19
申请号：KR1020040009841
申请日：2004-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6816 , B01L3/508 , B01L7/52 , B01L2300/0645 , B01L2300/0851 , B01L2300/18 , B82Y30/00 , C12Q1/6834 , C12Q1/686 , C12Q1/6848 , C12Q2561/113 , C12Q2565/537 , C12Q2565/607
Abstract: 실시간 중합효소연쇄반응 검사 방법이 개시된다. 본 발명의 중합효소연쇄반응 검사 방법은 복수의 전극을 구비한 반응기를 제조하고, 전극들 표면에 중합효소연쇄반응 프라이머를 고정시키며, 중합효소연쇄반응을 위한 혼합물을 반응기에 주입하여 중합효소연쇄반응이 전극의 표면에서 일어나게하면서 중합효소연쇄반응의 결과물에 대한 임피던스를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1019970077386A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960014957
申请日：1996-05-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재정
IPC: H01L21/60
Abstract: 본 발명은 반도체의 범프 형성시 스크라이브 라인 상에 형성된 TEG(Test Elements Group)용 알루미늄 막질을 제거하는 방법에 관한 것으로서, 칩 형성 영역에는 메탈 패드, 스크라이브 라인 내에는 TEG용 메탈이 형성된 반도체 기판 상에 상기 TEG용 메탈은 마스킹되지 않고 메탈 패드는 엣지부만이 마스킹되도록 패시베이션막이 형성된 결과물의 상부 전면에 베리어 메탈을 증착하는 제1단계; 상기 베리어 메탈 상부에 범프 형상을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 2단계; 상기 포토레지스트 패턴의 개구부를 통하여 상기 메탈패드 상에 범프를 형성하는 3단계; 및 상기 포토레지스트 패턴 및 그 하부에 형성되어 있는 베리어 메탈과 스크라이브 라인 상의 TEG용 메탈을 제거하는 4단계에 의해 반도체 장치의 범프를 형성함으로써 소잉 공정 후 스크라이브 라인 상의 메탈 잔존에 의한 칩내의 전극(범프 또는 리드)간의 쇼트로 인한 반도체 장치의 오동작 가능성이 현저하게 줄일 수 있다.
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